- •1 Вся элементная база в современном мире делятся на 4 группы
- •2 Основные параметры резисторов
- •3 Классификация резисторов
- •4 Система условных обозначений и маркировка резисторов
- •7. Температурный коэффициент сопротивления(ткс).
- •8. Классификация конденсаторов
- •9.Конденсаторы
- •Удельная ёмкость
- •Плотность энергии
- •Номинальное напряжение
- •Полярность
- •Опасность разрушения (взрыва)
- •Паразитные параметры
- •Электрическое сопротивление изоляции конденсатора — r
- •Эквивалентное последовательное сопротивление — r
- •Эквивалентная последовательная индуктивность — l
- •Саморазряд
- •Тангенс угла диэлектрических потерь
- •Температурный коэффициент ёмкости (тке)
- •Диэлектрическая абсорбция
- •Пьезоэффект
- •Самолечение
- •10. По виду диэлектрика различают:
- •11 Влияние внешних факторов на параметры конденсаторов, практическое определение параметров.
- •12 Трансформаторы. Классификация и принцип действия.
- •Основные и паразитные параметры катушек индуктивности.
- •16.Дроселли: обозначение, особенности конструкции и область применения.
- •17. Классификация полупроводниковых диодов.
- •18. Обозначение и маркировка полупроводниковых диодов.
- •19. Полупроводниковые диоды: вольтамперная характеристика и основные параметры.
- •20. Классификация транзисторов обозначение и маркировка.
- •21. Характеристики и основные параметры транзисторов.
- •Применение транзисторов
- •24. Светоизлучающий диод: принцип работы, область применения, основные параметры и характеристики.
- •Преимущества
- •26. Оптопары. Классификация, принцип действия и область применения.
- •28. Виды фотоприемников. Принцип работы.
- •29. Основные параметры и характеристики фотоприемников.
- •30. Фотодиод. Принцип работы, параметры и характеристики.
- •31. Фоторезистор(фр): принцип работы. Параметры и характеристики.
- •32. Когерентная оптоэлектроника. Лазеры. Классификация и основные параметры.
- •33. Структурная схема лазера. Принцип работы и область применения.
- •34.Волоконно-оптические линии связи, структурная схема, параметры.
- •35. Классификация элементов индикации. Принцип действия и параметры газоразрядных индикаторов.
- •38 Вакумно-иллюминисцентный индикатор
- •39 Классификация коммутационных устройств
- •37 Жидкокристалические индикаторы
- •36 Светоизлучающий диод
- •40 Классификация контактных устройств
- •41. Основные характеристики, параметры и виды электромагнитных реле.
- •42.Lc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
- •43. Rc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
- •44.Фильтры на поверхности акустических волн.
- •45. Фильтры на приборах с зарядовой связью.
- •47 Линия задержки
- •48 Электрические линии задержки
- •49 Ультразвуковые лз
34.Волоконно-оптические линии связи, структурная схема, параметры.
Волоконно-Оптические Линии Связи (ВОЛС) - это вид системы передачи информационных данных, при котором информация передается по оптическим диэлектрическим световодам, известным под названием оптическое волокно. Помимо вопросов волоконной оптики технологии ВОЛС также охватывают вопросы, касающиеся электронного передающего оборудования, его стандартизации, протоколов передачи, топологии сети и общие вопросы построения сетей.
35. Классификация элементов индикации. Принцип действия и параметры газоразрядных индикаторов.
Конструктивно газоразрядный графический индикатор состоит из двух стеклянных пластин, образующих камеру, заполненную, как правило, смесью неона с другими инертными газами. На каждой стеклянной пластине размещается набор параллельных проводников (на одной — анодов, на другой — катодов), покрытых прозрачным диэлектриком и защитным слоем. Пластины располагаются так, чтобы катоды и аноды были перпендикулярны друг другу. При определенном значении электрического поля, создаваемого в областях пересечения электродов, происходят ионизация и свечение газа, электроны и ионы движутся к противоположным электродам, образуя разрядный ток. Светящийся газ в местах приложения напряжения создает точки отображаемой информации.
38 Вакумно-иллюминисцентный индикатор
Достоинство вакуумных люминесцентных индикаторов (ВЛИ)-высокое значение яркости и контраста при широких углах обзора. В основу их работы положен эффект люменесценции-излучения,возникающего под действием каких-либо источников энергии.Вакуумная или катодолюминесценция широко применяются в таких ЭИ,как осцилографические трубки,кинескопы и т.п. В зависимости от энергиии, приобретаемой электронами при прохождении вакуумного промежутка и затем передаваемой кристаллофосфору,катодолюминесценция делится на высоковолютную(порядка 10 кэв) и низковольтную(10…..100эв).
Конструктивно ВЛИ представляют собой вакуумный прибор,имеющий два или три электрода.Наиболее распространеной являются триодная конструкция индикаторов,состоящая из катода прямого канала,сетки и несколько анодов,покрытых низковольтными люминофором и расположенных в одной плоскости. Вакуумно-люминесцентные индикаторы работают в статическом(одноразрядные) и динамическом(однорозрядные и многоразрядные)режимах. Одноразрядные ВЛИ предназначены для отображения информации в виде отдельных букв,цифр и символов.Многоразрядные индикаторы,предназначены для отображения информации в виде многоразрядных чисел и десятичных дробей,выполняются часто в одном баллоне с необходимым числом параллельно влюченных триодов с общим катодом и раздельными сетками(иногда общими).
Важным элементом ВЛИ являются люминофор,выполненный для низковольтной катодолюминесценции на основе соединений типа ZnO,SnO2,In2O3. В последнее время широкое применение находят композиции типа:ZnSCu,Al=In2O3(зеленое свечение);ZnSAu,Al+In2O3(желтое свечение);ZnSCL+ZnO(голубое свечение).
Экран ВЛИ покрывают слоем порошкового кристаллофосфора(10….50 мкм) на токопроводящую подложку.Зацепление зерен люминофора выполняется путем рационального использования адгезии порошка к твердым поверхностям.Основное требование к индикаторам-это увеличение яркости.Оно может быть обеспечено только в режиме непрерывной бомбардировки при низкой скважности(не более 100).В отличие от экранов ЭЛТ,где люминофор наносится ровным слоем на всю поверхность экрана, в ВЛИ экран разбивается на отдельные элементы,поверхность которых бомбардируется расфокусированным потоком электронов.Требуемое изображение формируется при подключении соотвествующей комбинации элементов.