- •1 Вся элементная база в современном мире делятся на 4 группы
- •2 Основные параметры резисторов
- •3 Классификация резисторов
- •4 Система условных обозначений и маркировка резисторов
- •7. Температурный коэффициент сопротивления(ткс).
- •8. Классификация конденсаторов
- •9.Конденсаторы
- •Удельная ёмкость
- •Плотность энергии
- •Номинальное напряжение
- •Полярность
- •Опасность разрушения (взрыва)
- •Паразитные параметры
- •Электрическое сопротивление изоляции конденсатора — r
- •Эквивалентное последовательное сопротивление — r
- •Эквивалентная последовательная индуктивность — l
- •Саморазряд
- •Тангенс угла диэлектрических потерь
- •Температурный коэффициент ёмкости (тке)
- •Диэлектрическая абсорбция
- •Пьезоэффект
- •Самолечение
- •10. По виду диэлектрика различают:
- •11 Влияние внешних факторов на параметры конденсаторов, практическое определение параметров.
- •12 Трансформаторы. Классификация и принцип действия.
- •Основные и паразитные параметры катушек индуктивности.
- •16.Дроселли: обозначение, особенности конструкции и область применения.
- •17. Классификация полупроводниковых диодов.
- •18. Обозначение и маркировка полупроводниковых диодов.
- •19. Полупроводниковые диоды: вольтамперная характеристика и основные параметры.
- •20. Классификация транзисторов обозначение и маркировка.
- •21. Характеристики и основные параметры транзисторов.
- •Применение транзисторов
- •24. Светоизлучающий диод: принцип работы, область применения, основные параметры и характеристики.
- •Преимущества
- •26. Оптопары. Классификация, принцип действия и область применения.
- •28. Виды фотоприемников. Принцип работы.
- •29. Основные параметры и характеристики фотоприемников.
- •30. Фотодиод. Принцип работы, параметры и характеристики.
- •31. Фоторезистор(фр): принцип работы. Параметры и характеристики.
- •32. Когерентная оптоэлектроника. Лазеры. Классификация и основные параметры.
- •33. Структурная схема лазера. Принцип работы и область применения.
- •34.Волоконно-оптические линии связи, структурная схема, параметры.
- •35. Классификация элементов индикации. Принцип действия и параметры газоразрядных индикаторов.
- •38 Вакумно-иллюминисцентный индикатор
- •39 Классификация коммутационных устройств
- •37 Жидкокристалические индикаторы
- •36 Светоизлучающий диод
- •40 Классификация контактных устройств
- •41. Основные характеристики, параметры и виды электромагнитных реле.
- •42.Lc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
- •43. Rc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
- •44.Фильтры на поверхности акустических волн.
- •45. Фильтры на приборах с зарядовой связью.
- •47 Линия задержки
- •48 Электрические линии задержки
- •49 Ультразвуковые лз
42.Lc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
Электрический фильтр - это четырехполюсник, устанавливаемый между источником питания и нагрузкой и служащий для беспрепятственного (с малым затуханием) пропускания токов одних частот и задержки (или пропускания с большим затуханием) токов других частот.
Полоса пропусканияили полоса прозрачности фильтра - Это диапазон частот, пропускаемых фильтром без затухания (с малым затуханием);
Полоса затухания или полоса задерживания (режекции) фильтра - это диапазон частот, пропускаемых с большим затуханием.
Классификация:
Низкочастотный фильтр (фильтр нижних частот), Высокочастотный фильтр (фильтр верхних частот), Полосовой фильтр (полосно-пропускающий фильтр), Режекторный фильтр (полосно-задерживающий фильтр)
схема простейшего низкочастотного фильтра:
Схема простейшего высокочастотного фильтра:
43. Rc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
C помощью конденсаторов и резисторов можно строить частотно-зависимые делители напряжения, которые будут пропускать только сигналы нужной частоты, а все остальные подавлять.
Фильтры высоких частот. Частотная характеристика фильтра высоких частот.
Фильтры низких частот. Частотная характеристика фильтра низких частот.
44.Фильтры на поверхности акустических волн.
В простейшем применении трансверсальный фильтр на ПАВ состоит из двух преобразователей со встречными решётками проводящих электродов, расположенных на поверхности пьезоэлектрической подложки, например, монокристаллического кварца или ниобата лития. Один из этих преобразователей возбуждает, а другой принимает рэлеевскую волну. Если подать на передающий преобразователь сигнал в виде дельта-функции, то импульсный отклик фильтра будет являться сверткой локальных импульсных откликов двух преобразователей. Расстояние между соседними электродами составляет половину длины рэлеевской волны. Скорость таких волн на пять порядков меньше скорости света. Отсюда становится ясно, что на маленькой подложке можно воспроизвести сотни или тысячи периодов требуемого радиоимпульса.
45. Фильтры на приборах с зарядовой связью.
ПЗС — прибор с зарядовой связью. Общее обозначение класса полупроводниковых приборов, в которых применяется технология управляемого переноса заряда в объеме полупроводника.
Название ПЗС — прибор с зарядовой связью — отражает способ считывания электрического потенциала методом сдвига заряда от элемента к элементу.
ПЗС устройство состоит из поликремния, отделённого от кремниевой подложки, у которой при подаче напряжения через поликремневые затворы изменяются электрические потенциалы вблизи электродов. Один элемент ПЗС-матрицы формируется тремя или четырьмя электродами. Положительное напряжение на одном из электродов создаёт потенциальную яму, куда устремляются электроны из соседней зоны. Последовательное переключение напряжения на электродах перемещает потенциальную яму, а следовательно, и находящиеся в ней электроны, в определённом направлении. Так происходит перемещение по одной строке матрицы.