- •1 Вся элементная база в современном мире делятся на 4 группы
- •2 Основные параметры резисторов
- •3 Классификация резисторов
- •4 Система условных обозначений и маркировка резисторов
- •7. Температурный коэффициент сопротивления(ткс).
- •8. Классификация конденсаторов
- •9.Конденсаторы
- •Удельная ёмкость
- •Плотность энергии
- •Номинальное напряжение
- •Полярность
- •Опасность разрушения (взрыва)
- •Паразитные параметры
- •Электрическое сопротивление изоляции конденсатора — r
- •Эквивалентное последовательное сопротивление — r
- •Эквивалентная последовательная индуктивность — l
- •Саморазряд
- •Тангенс угла диэлектрических потерь
- •Температурный коэффициент ёмкости (тке)
- •Диэлектрическая абсорбция
- •Пьезоэффект
- •Самолечение
- •10. По виду диэлектрика различают:
- •11 Влияние внешних факторов на параметры конденсаторов, практическое определение параметров.
- •12 Трансформаторы. Классификация и принцип действия.
- •Основные и паразитные параметры катушек индуктивности.
- •16.Дроселли: обозначение, особенности конструкции и область применения.
- •17. Классификация полупроводниковых диодов.
- •18. Обозначение и маркировка полупроводниковых диодов.
- •19. Полупроводниковые диоды: вольтамперная характеристика и основные параметры.
- •20. Классификация транзисторов обозначение и маркировка.
- •21. Характеристики и основные параметры транзисторов.
- •Применение транзисторов
- •24. Светоизлучающий диод: принцип работы, область применения, основные параметры и характеристики.
- •Преимущества
- •26. Оптопары. Классификация, принцип действия и область применения.
- •28. Виды фотоприемников. Принцип работы.
- •29. Основные параметры и характеристики фотоприемников.
- •30. Фотодиод. Принцип работы, параметры и характеристики.
- •31. Фоторезистор(фр): принцип работы. Параметры и характеристики.
- •32. Когерентная оптоэлектроника. Лазеры. Классификация и основные параметры.
- •33. Структурная схема лазера. Принцип работы и область применения.
- •34.Волоконно-оптические линии связи, структурная схема, параметры.
- •35. Классификация элементов индикации. Принцип действия и параметры газоразрядных индикаторов.
- •38 Вакумно-иллюминисцентный индикатор
- •39 Классификация коммутационных устройств
- •37 Жидкокристалические индикаторы
- •36 Светоизлучающий диод
- •40 Классификация контактных устройств
- •41. Основные характеристики, параметры и виды электромагнитных реле.
- •42.Lc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
- •43. Rc фильтры: схемы, параметры и характеристики.
- •44.Фильтры на поверхности акустических волн.
- •45. Фильтры на приборах с зарядовой связью.
- •47 Линия задержки
- •48 Электрические линии задержки
- •49 Ультразвуковые лз
47 Линия задержки
Линия задержки - это устройство, с помощью которого сигнал, поданный на его вход, задерживается на определённое постоянное или изменяемое время.
Классификация:
- ЛЗ для задержки электрических сигналов
- Аналоговые ЛЗ
- ЛЗ на линиях с распределёнными параметрами (кабельные, волноводные)
- Искусственные ЛЗ (цепи с сосредоточенными параметрами)
- ЛЗ с преобразованием электрических сигналов в сигналы другой физической природы (ультразвуковое, оптическое излучение) и обратно
- Цифровые ЛЗ
- Аппаратно реализованные цифровые ЛЗ
-Программно реализованные ЛЗ
Основные параметры ЛЗ:
а) длительность задержки, измеряемая временным интервалом между средними точками фронта входного и выходного импульсов (на рисунке 8.1 - между точками, соответствующими 50% амплитудного значения входного и выходного импульсов);
б) рабочая частота, определяемая резонансной частотой используемых в ЛЗ преобразователей, а также степенью затухания акустических колебаний в материале звукопровода;
в) полоса пропускания, определяемая длительностью фронта импульса между уровнями, соответствующими 10 и 90% его амплитудного значения;
г) характеристическое сопротивление, определяемое величиной сопротивления нагрузки, при котором отражение от её концов минимально",
д) относительный уровень ложных сигналов;
е) затухание передаваемого сигнала. Величина потерь, выраженная в децибелах, определится как
B=10lg(P2/P1)
где P1 - мощность на нагрузке без включения ЛЗ;
Р2 - мощность на нагрузке с включенной ЛЗ;
ж) температурный коэффициент задержки.
48 Электрические линии задержки
Рисунок 8.2 - Схемы фильтров, используемых в ЛЗ с сосредоточенными параметрами
а) Т-образное звено;б) П-образное звено;в) ЛЗ из Т-образных звеньев:г) ЛЗ из П-образных звеньев.
Представляют собой каскадно-соединённые фильтры, состоящие из Т- или П-образных звеньев. Схемы фильтров приведены на рисунке 8.2.
Время задержки в данном случае зависит от времени, необходимого для зарядки конденсатора через последовательно включённые индуктивности.
Такие ЛЗ состоят из дискретных элементов и называются ещё искусственными. " Характеризуются наличием полосы пропускания, вносят искажения в форму импульса. Это следующие искажения:
- уменьшение амплитуды (зависит от коэффициента затухания);
- увеличение длительности;
- растягивание фронта.
Необходимо отметить: чем меньше длительность импульса и его фронта, тем больше искажений вносит ЛЗ.
ЛЗ могут иметь также следующий вид (рисунок 8.3).
Рисунок 8.3 - Разновидности ЛЗ
Существенным недостатком ЛЗ является появление паразитных индуктивностей и емкостей.
Кроме того? искусственные ЛЗ имеют малое время задержки.
49 Ультразвуковые лз
Ультразвуковые ЛЗ обеспечивают большое время задержки.
Представляют собой пьезоэлектрические преобразователи па объёмно-акустических волнах.
Конструктивно имеют вид, представленный на рисунке 8.4.
Рисунок 8.4 - Пьезоэлектрические преобразователи на объёмных акустических волнах
1 - звукопровод;2 - входной преобразователь;3 - выходной преобразователь.
В таких ЛЗ осуществляется преобразование электрического сигнала в звуковой (преобразователь 2), прохождение и задержка звукового сигнала в звукопроводе и преобразование звукового сигнала в электрический (преобразователь 3).
В качестве звукопроводов применяют:
- плавленый кварц;
- монокристаллический кварц;
- керамику;
- специальные магнитоэлектрические сплавы.
При необходимости получения большого времени задержки используют УЛЗ со звукопроводом с многократным отражением, при необходимости имеющим также дополнительные отводы (см. рисунок 8.5).
На рисунках 8.6 и 8.7 показаны примеры ультразвуковых ЛЗ, в которых для возникновения механических волн используется пьезокерамический преобразователь крутящих колебаний.
Рисунок 8.5 - Звукопровод с многократным отражением
1- вход ЛЗ;2- выход ЛЗ;3-дополнительный отвод ЛЗ;4- звукопровод с многократным отражением.
Рисунок 8.6 - Магнитострикционные ЛЗ на продольных и крутильных колебаниях
1,2- входной и выходной пьезокерамические преобразователи;
3 -звукопровод.
Рисунок 8.7 - Магнитострикционная ЛЗ
1 - магнитострикционный стержень;2 - возбуждающая катушка (вход);3 - выходная катушка;
- постоянные магниты.
50 Запоминающие устройства. Классификация:
-По организационным признакам ЗУ делят на регистры общего назначения (РОН), сверхоперативные ЗУ (СОЗУ), оперативные ЗУ (ОЗУ), постоянные ЗУ (ПЗУ), буферные ЗУ (БЗУ), внешние ЗУ (ВЗУ), архивная память.
-РОН имеет ёмкость памяти до сотен бит. Доступ к памяти осуществляется в пределах одного машинного такта. Там хранятся данные из АЛУ (арифметико-логическое устройство). Включается в память центрального устройства МП.
--СОЗУ имеет ёмкость до 103-105 бит при небольшом времени выборки. Хранится только изменяемая информация.
--ОЗУ имеет ёмкость до десятков, в отдельных случаях сотен, Мбит при большом времени доступа. Хранятся основные части программ, базы и банки данных.
--ПЗУ. В нём хранятся минипрограммы и п/п, знакогенераторы и генераторы значений функций. Важное требование - энергонезависимое хранение информации.
--БЗУ занимают промежуточное место между ОЗУ и ВЗУ. Информационная ёмкость определяется конкретным типом машины.
--ВЗУ. Объем памяти от 105 до 1010 бит, характеризуется большим временем выборки (до мс и с). Хранится всё, что угодно.
--Архивная память (свыше 1010 бит). Хранится только неизменяемая информация. Это память однократной записи. Используются оптические диски.
--Типы ЗУ по поиску информации:
--ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ).
--ЗУ последовательного типа (выборка производится перебором данных) - ЛЗ, магнитные ленты.
--Ассоциативные ЗУ (АЗУ). Поиск и выбор информации производится по содержанию произвольного количества разрядов, независимо от физической координаты элемента памяти.
--Типы ПЗУ:
--ПЗУ только для чтения (ROM);
--ППЗУ - программируемые ПЗУ - с возможностью однократного программирования (PROM);
-РПЗУ - репрограммируемые ПЗУ - с возможностью многократного стирания и записи информации (ELPROM - возможность избирательного стирания);
--РПЗУ УФ - РПЗУ с ультрафиолетовым стиранием (EPROM - стирание общее, запись избиретельное).