Лабораторне заняття № 7

Тема: Статичні характеристики польових транзисторів.

Мета роботи. Дослідження залежностей струму стоку транзистора від напруги затвор-витік при різних значеннях напруги живлення для польових транзисторів з p-n переходом та з ізольованим затвором.

1. Теоретичні відомості

Мал. 7.1

Мал. 7.2

На даних малюнках (7.1 – транзистор з p-n переходом, 7.2 – транзистор з ізольованим затвором) зображено схеми, що дають можливість зрозуміти принцип дії польових транзис-торів та дослідити їх статичні характеристики.

Польові транзистори мають високий вхідний опір, малий рівень шумів, високу термо-стабільність та радіаційну стійкість. Це й обумовлює можливість їх широкого застосування в електронних схемах.

Польові транзистори характеризуються такими основними параметрами: крутизна про-хідної характеристики S = ΔI_c / ΔU_зв, опір стік-витік R_{с.в.від.}, максимальна робоча частота f_max = 1/(2π×R_k×C₀), де R_k – середнє значення опору каналу, а C₀ – ємність між затвором і каналом при заземленому витоку, стоку та підложці.

2. Практична частина

Налаштування осцилографа проводиться за допомогою його панелі, де містяться харак-теристики каналів А та В, синхронізації та розгортки. Слід зазначити, що графіки можна ба-чити у трьох проекціях: Y/Т (розгортка в часі), А/В та В/А ( один сигнал в залежності від ін-шого).

Під’єднання виводів потрібно здійснювати ретельно, без розривів. Адже тоді можлива неправильна робота схеми. Для зручності під’єднань можна застосовувати «крапку». Її вста-новлення на схемі у потрібних місцях дає можливість краще проектувати складні вузли.

Вибрати необхідне дослідницьке обладнання слід самостійно.

2.1. Програма роботи та завдання.

2.1.1. Скласти схему мал. 7.1 за допомогою програми EWB 5 та встановити значення параметрів елементів відповідно до неї. Встановити на схемі тип транзистора 2n5485. Побудувати графіки залежності І_с від U_с (сім’ю характеристик для різних значень U_зв) відповідно до даних, які можна отримати за допомогою зміни значень U_c (з 2В до 12В з кроком 2В) та U_зв (з 0В до -2,5В з кроком - 0,5В). Побудувати перехідну характеристику для даного транзистора.

2.1.2. Скласти схему мал. 7.2. Аналогічно побудувати сім’ю характеристик для транзис-тора 2N7000 відповідно до зміни значень U_c (з 2В до 20В з кроком 2В) та U_зв (з 0В до 5В з кроком 0,5В). Побудувати перехідну характеристику для даного транзистора.

2.1.3. У звіт занести усі схеми, вихідні дані, вимірювані та розраховані дані. Відповісти письмово на контрольні питання.

Контрольні питання:

1) Якими параметрами характеризуються польові транзистори?

2. У чому полягає різниця між польовим та біполярним транзисторами?

3. Чим обумовлене широке використання польових транзисторів у електронних схемах?

Лабораторне заняття № 8

Тема: Каскади на польових транзисторах.

Мета роботи. Дослідження включення польового транзистора по схемі з загальним витоком та загальним стоком та стабілізатора струму на польовому транзисторі.