- •Методические указания
- •«Исследование диодов»
- •Сызрань 2010
- •Сведения из теории проводимость полупроводников
- •2.1 Общие сведения о полупроводниках
- •2.2 Собственная проводимость полупроводников
- •2.3 Примесная проводимость полупроводников
- •2.4 Электронно-дырочный переход
- •2.4.1 Образование и равновесное состояние р-n перехода
- •2.4.2. Энергетическая диаграмма р-n перехода
- •2.4.3 Формулы для диффузионного и дрейфового токов
- •2.5 Электронно-дырочный переход при включении внешнего напряжения
- •2.5.1 Прямое включение р-n перехода
- •2.5.2. Обратное включение р-n перехода
- •2.6 Инжекция неосновных носителей
- •2.7. Вольт-амперная характеристика идеального р - n перехода
- •2.8 Отличие вольт-амперной характеристики
- •2.9 Виды пробоя р-n перехода
- •2.10 Емкость р-n перехода
- •2.11. Эквивалентная схема р-n перехода
- •Полупроводниковые диоды
- •3.1. Классификация полупроводниковых диодов
- •3.2 Устройство полупроводниковых диодов
- •3.3. Основные общие параметры диодов
- •3.4. Типы полупроводниковых диодов
- •3.4.1. Выпрямительные диоды
- •3.4.1.1 Вольт-амперные характеристики выпрямительных диодов
- •3.4.1.2 Влияние температуры и проникающей радиации на характеристики и параметры диодов
- •3.4.2. Универсальные (высокочастотные) диоды.
- •3.4.3. Сверхвысокочастотные диоды
- •3.4.4. Переключательные p-I-n диоды
- •3.4.5. Варикапы
- •3.4.6. Импульсные диоды
- •3.4.7. Туннельные и обращённые диоды
- •3.4.8. Стабилитроны и стабисторы
- •3.4.9. Фотодиоды
- •3.4.10. Излучательные диоды
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде «тэц и оэ – нрм» Перечень используемых минимодулей
- •Порядок выполнения работы
- •Выполнение лабораторной работы на лабораторном стенде 17д – 01.
- •Порядок выполнения работы.
- •Содержание отчета.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература.
3.4.8. Стабилитроны и стабисторы
Стабилитроном называют полупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя при обратном включении слабо зависит от протекающего по нему тока.
Вольт-амперная характеристика стабилитрона представлена на рис. 3.16. После достижения обратного напряжения значения, при котором возникает электрический пробой р-n перехода, обратный ток через стабилитрон резко возрастает, причем в пределах изменения этого тока от I ст мин до I ст макс (участок ДЕ) падение напряжения на стабилитроне остается практически постоянным. Оно носит название напряжения стабилизации Uст. Напряжение пробоя, а следовательно, и напряжение стабилизации зависит от концентрации примесей в полупроводнике и лежит в пределах от 4 до 400 вольт.
В случае большой концентрации примесей р-n переход получается узким и в нем даже при малых напряжениях (Uпроб 6 В) возникает электрическое поле, вызывающее туннельный пробой.
При малой концентрации примеси р-n переход имеет значительную ширину, в результате лавинный пробой наступает раньше, чем туннельный (при Uпроб > 6 В).
Стабилитроны изготавливаются из кремния, так как в германиевых диодах электрический пробой легко переходит в тепловой.
Рис. 3.16
Стабилитроны характеризуются следующими основными параметрами (рис 3.16):
напряжением стабилизации Uст – напряжение на стабилитроне при протекании заданного тока стабилизации I ст;
максимальным и минимальным током стабилизации I ст мин и I ст макс. Минимальный ток определяется наступлением устойчивого пробоя. Максимальный ток ограничивается мощностью, рассеиваемой на диоде Рмакс. При токе, превышающем I ст макс, наступает тепловой пробой, в результате которого стабилитрон выходит из строя;
дифференциальным сопротивлением Ом;
температурным коэффициентом напряжения ТКН ( ), определяемым относительным изменением напряжения стабилизации при изменении температуры окружающей среды на один градус при постоянном значении тока стабилизации.
град.
При лавинном пробое положителен, при туннельном – отрицателен. Для компенсации температурных изменений применяются различные методы. Условное графическое изображение стабилитрона показано на рис 3.17.
Рис. 3.17
В настоящее время серийно выпускаемые промышленностью стабилитроны подразделяются на стабилитроны общего назначения и прецизионные. Стабилитроны общего назначения используются в стабилизаторах, ограничителях постоянного или импульсного напряжения, а также в качестве элементов межкаскадной связи в усилителях, релаксационных генераторах, как выпрямители, управляемые емкости, шумовые генераторы. Прецизионные стабилитроны используются в качестве источников эталонного напряжения или опорных элементов в различных схемах, где необходима высокая точность стабилизации уровня напряжения.
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики стабилитрона подобна прямой ветви обычного диода. Постоянное прямое напряжение при токах больших 1 мА для многих кремниевых диодов составляют 0,6 …1 В. Промышленностью выпускается группа полупроводниковых стабилитронов, так называемых СТАБИСТОРОВ, с напряжением стабилизации U=0,7…1,9 В, в которых областью стабилизации является прямая ветвь вольт-амперной характеристики. Стабисторы характеризуются теми же основными электрическими параметрами, что и стабилитроны.