МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

"САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ

ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"

Филиал в г. Сызрани

Кафедра «Электротехника, информатика

и компьютерные технологии»

Методические указания

к выполнению лабораторной работы

«Исследование биполярного транзистора»

по дисциплине

«Общая электротехника и электроника»

Утверждено на заседании

кафедры ЭИКТ

от 4.03.2008 г. Пр. 6

Сызрань 2010

Составитель: П.П. Гавриш, А.Ю. Карсаков, О.В. Лысенко,

Ю.А. Мелешкин

УЛК 621. 375

ББК 32.85

Исследование биполярного транзистора: методические указания к лабораторному практикуму по «Общей электротехнике и электронике» / ГОУ ВПО сам ГТУ филиал в г. Сызрани, 2009.

Составлено в соответствии с рекомендациями РНПО «Росучприбор» Южно – Уральского государственного университета – разработчика и изготовителя стендов «Теория электрических цепей и основы электронике», а также для выполнения работы на стенде 17Д – 01.

Методические указания предназначены студентов высших учебных заведений, обучающимся по направлениям «Электротехника» и «Электроника».

Цель работы: изучение и исследование характеристик и параметров биполярного транзистора, включенного по схеме с общем эмиттером.

Сведения из теории биполярные транзисторы.

4.1 Классификация транзисторов

Транзистором называют электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими электрическими переходами, пригодный для усиления мощности и имеющий три или более выводов.

Транзисторы классифицируются по следующим признакам:

по исходному материалу: германиевые, кремниевые и арсенид галлиевые;

по принципу действия: биполярные и униполярные или полевые. В биполярных транзисторах ток создается перемещением носителей двух знаков-электронов и дырок. В униполярных транзисторах ток создается носителями только одного знака – электронами, либо дырками;

по числу p-n переходов: однопереходные, двухпереходные и многопереходные. Наибольшее применение находят двухпереходные транзисторы с тремя выводами;

по способу преодоления участка базы: дрейфовые и бездрейфовые. В бездрейфовых транзисторах инжектированные в базу заряды преодолевают ее за счет диффузии, а в дрейфовых- под действием ускоряющего электрического поля;

по порядку чередования областей p-n переходов: p-n-p и n-p-n. Транзисторы p-n-p называют транзисторами прямой проводимости, n-p-n – обратной проводимости;

по величине допустимой мощности: маломощные (0,3 Вт), средней мощности (0,3-1,5 Вт), мощные (свыше 1,5 Вт);

по значению предельной частоты: низкочастотные (до 3 МГц), средней

частоты (3-30 МГц) и высокочастотные (свыше 30МГц);

по технологии изготовления: сплавные, микросплавные, диффузионные, планетарные и т.д.;

по типу используемого перехода: точечные и плоскостные. Точечные транзисторы обладают нестабильными параметрами, поэтому в настоящее время не применяются.

4.2 Система обозначений транзисторов.

Система обозначений транзисторов состоит из шести элементов.

Первый элемент обозначения – буква или цифра, определяющая исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор: Г или 1- германий или соединения германия, К или 2- кремний или соединения кремния.

Второй элемент обозначения- буква, определяющая подкласс прибора: Т- биполярный транзистор, П- полевой транзистор.

Третий элемент обозначения – цифра от 1 до 9, определяющая назначение транзистора в соответствии с таблицей 1

Таблица 1

транзисторы	малой мощности	средней мощности	большой мощности
низкой частоты	1	4	7
средней частоты	2	5	8
высокой частоты	3	6	9

Четвертый и пятый элементы определяют порядковый номер разработки технологического типа транзистора и обозначается от 01 до 99.

Шестой элемент определяет деление технологического типа на параметрические группы и обозначается буквами русского алфавита от А до Я.

Условные обозначения плоскостных биполярных транзисторов, разработанных

в 1964 г. и выпускаемых сейчас, состоят из двух или трех элементов.

Первый элемент обозначения – П.

Второй элемент обозначения – число (номер), указывающее на область применения транзистора в соответствии с таблицей 2

Таблица 2

Транзисторы		Германиевые	Кремниевые
Низкой частоты	маломощные мощные	от 1 до 100 от 201 до 300	от 101 до 200 от 301 до 400
Высокой частоты	маломощные мощные	от 401 до 500 от 601 до 700	от 501 до 600 от 701 до 800

Третий элемент обозначения – буква, указывающая разновидность транзистора.

Примеры обозначения транзисторов:

ГТ605А – германиевый биполярный транзистор средней мощности, предназначенный

для устройств широкого применения, высокой частоты, номер разработки

05, группа А.

2Т144А - кремниевый биполярный транзистор малой мощности, предназначенный для

устройств специального назначения, низкой частоты, номер разработки 44, группа А.