4.8. Память ddr3
Средняя продолжительность жизни одного поколения памяти составляет около 3 лет. За это время чипы не меняются принципиально, они увеличиваются в объёме хранимой информации, наращивают частотный потенциал, а также улучшают одну из важнейших характеристик- тайминги. Но в итоге производители упираются в технологические ограничения, не позволяющие двигаться дальше. В разработку нового стандарта памяти DDR3 принимали участие более 270 компаний, которые объединены в специальный комитет и готовили его совместно с комиссией JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council).
DDR3 можно считать естественным продолжением развития технологии DDR: переход от DDR2 к DDR3 аналогичен переходу от DDR к DDR2. Он предполагает введение новой схемы 8n-prefetch вместо 4n-prefetch, применяемой в DDR2, что проявляется в виде дальнейшего уменьшения вдвое собственной частоты функционирования микросхем памяти и увеличением во столько же раз частоты «внешнего интерфейса» модулей памяти. Частота функционирования модулей DDR3 составляет от 800 до 1600 МГц (что в 2 раза превосходит официальный частотный предел DDR2). Хотя, ведущими производителями памяти были представлены эксклюзивные модули, работающие на частоте 1800 и 2000 МГц, предсказывают разгон до 2133 МГц.
Ёмкость модулей DDR3 ожидается в пределах от 1 до 32 Гб. Диапазон пропускной способности DDR3 составляет от 12.8 ГБ/с для DDR3-800 (в двухканальном режиме) до 25.6 ГБ/с для DDR3-1600, тогда как типичная полоса пропускания данных внутри процессоров и чипсетов на сегодня около 10 ГБ/с. Поэтому, чтобы получить реальную выгоду от DDR3, потребуется существенно усовершенствовать характеристики процессоров и чипсетов. На платформе Intel Core 2 Duo / Intel P35 раскрытия потенциала памяти DDR2-1066 или DDR3-1066 можно добиться лишь в одноканальном режиме работы последней (при этом реальная пропускная способность памяти достигает примерно 83% от теоретического максимума).
Еще одним преимуществом DDR3 является уменьшенное по сравнению с DDR2 энергопотребление. Модули DDR3 имеют стандартное питающее напряжение 1.5 В, в то время как у DDR2 оно составляет 1.8 В.
Процесс вытеснения DDR2 памятью DDR3 продлится примерно до 2010 года, когда DDR3 займёт большую часть рынка. Следующее поколение DDR ожидается в 2011 году.
Конструктивно модули DDR3 похожи на DDR2- аналоги. Они имеют 240-контактный форм-фактор, поэтому во избежание неприятностей ключ на DDR3-модуле смещён в сторону, что не позволяет вставлять его в системные платы, не поддерживающие новый стандарт оперативной памяти.
Характеристики памяти DDR3
4.9. Скорость работы памяти
Оперативная память с точки зрения скорости её работы характеризуется, как минимум, несколькими параметрами - шириной шины данных, частотой синхронизации (или связанной с ней пропускной способностью), и задержками, которые возникают при работе памяти. Желательно, чтобы пропускная способность должна быть как можно больше, а задержки (так называемая латентность памяти)- как можно меньше. Под пропускной способностью памяти или полосой пропускания (bandwidth) следует понимать, как много данных может принять/передать память через шину данных за единицу времени (пиковое значение). Рассчитывается пропускная способность по следующей формуле:
Bandwidth = Частота шины памяти х Разрядность шины (в битах) х 1/8 х Число блоков, передаваемых за такт.
Исходя из этого, пропускная способность памяти DDR400 такова: 200 МГц х 64 бита х 1/8 х 2 блока/такт = 3200 Мб/сек.
Различные программы по-разному требовательны как к полосе пропускания, так и латентности памяти. При использовании в программе трёхмерной графики процессор обрабатывает геометрические фигуры и пересылает огромные потоки полигонов (простейших геометрических фигур, формирующих изогнутые поверхности) - до 100000 и более полигонов на каждый кадр, что требует высокой пропускной способности шин и памяти. Если же при выполнении программы процессор хаотично адресуется к различным участкам памяти, то эффективность памяти диктуется уже скоростью срабатывания, и производительнее будет тот компьютер, на котором установлена память с низкой латентностью, а не высокой пропускной способностью.