Биполярные транзисторы.

Биполярный транзистор – это полупроводниковый трёхслойный прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами. В зависимости от чередования областей с различным типом проводимости различают p-n-p транзисторы и n-p-n транзисторы. Транзистор имеет три вывода. Два вывода включаются в цепь преобразования сигналов – силовая цепь между коллектором и эмиттером, а третий является управляющим – база. На рис. 1 представлены упрощённое устройство плоскостного n-p-n транзистора и схемы замещения транзисторов p-n-p и n-p-n. Используя схему замещения представляется возможным осуществлять проверку исправности транзистора вне схемы включения с помощью тестера.

Работа транзистора основана на управлении токами электродов в зависимости от приложенных к его переходам напряжений. От того, каким образом включены источники напряжений, зависит режим работы транзистора и выполняемая функция устройства, в котором используется этот транзистор. Промышленностью выпускается громадная номенклатура транзисторов, которые могут использоваться в различных устройствах преобразования электрических сигналов.

Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивным и технологическим признакам, роду исходного материала находит своё отражение в системе условных обозначений их типов. Система обозначений современных типов транзисторов в России и на территории СНГ установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков.

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код, первый элемент которого обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы:

Г или 1 — для германия и его соединений;

К или 2 — для кремния и его соединений;

А или 3 — для соединений галлия

Второй элемент обозначения – буква, определяющая подкласс транзистора.

Т – для биполярных транзисторов;

П – для полевых транзисторов.

Третий—цифра от 1 до 9, определяющая его основные функциональные возможности табл.1 ( допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту)

Таблица 1

1	2	3	Транзисторы маломощные (Рмакс< 0,3 Вт)
4	5	6	Транзисторы средней мощности ( 0,3Вт < Рмакс < 1,5Вт )
7	8	9	Транзисторы большой мощности (Рмакс > 1,5 Вт)
Транзисторы низкочастотные f < 3 МГц	Транзисторы средней частоты 3МГц<f<30МГц	Транзисторы высокочастотные И СВЧ 30МГц<f

Четвёртый элемент это число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов ( каждый технологический тип может включать в себя один или несколько типов, различающихся по своим параметрам).

Пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов , изготовленных по единой технологии.