Статические характеристики в схеме с об.

На рис.3а представлена схема снятия вольтамперных характеристик транзистора p-n-p с общей базой, а на рис 3б – для транзисторов n-p-n.

Входная характеристика в схеме с ОБ является зависимость вида:

I_э = (U_эб)│_Uкб=const

Семейство входных характеристик приведено на рис. 4.а. Увеличение эмиттерного тока при изменении напряжения на коллекторе от 0 до 10В отражается смещением входной характеристики в сторону меньших напряжений. Режиму отсечки формально соответствует обратное смещение на эмиттере, но фактически эмиттерный переход остается закрытым при прямых напряжениях, не достигающих порогового напряжения.

Выходная зависимость транзистора с ОБ представляет зависимость вида:

I_к = (U_кб)│­_{Iэ = const}

Iэ

Uкб=0

Uкб=5В

активный режим

Iк

Iэ=3мА

режим

отсечки

Режим активный

Iэ=2мА

Iэ=1мА

Uэб

Iэ=0

режим отсечки

Uкб

0

0

Рис. 4.а

Рис. 4.б

Семейство выходных характеристик представлено на рис.4 б. Выражение для идеальной выходной характеристики имеет вид: I_k = I_э + I_эо. В соответствии с этим выражением ток коллектора определяется только током эмиттера и не зависит от коллекторного напряжения. В активном режиме характеристики практически эквидистантны (расположены на одинаковом расстоянии друг от друга). При отсутствии эмиттерного тока в выходной цепи протекает тепловой неуправляемый ток I_эо.

С 0 татические характеристики в схеме с оэ.

На рис.5а представлена схема снятия вольтамперных характеристик с общим эмиттером для транзисторов p-n-p, а на рис 5б – для транзисторов n-p-n.

Входная характеристика представляет зависимость вида:

I_б = (U_бэ)│_Uкэ=const

Семейство характеристик представлено на рис.6. Также, как в схеме с ОБ входная характеристика (рис.6а) имеет вид характерный для р-n перехода. Рост тока базы при повышении отпирающего напряжения на базе связан с увеличением инжекции электронов в базу и последующим ростом рекомбинационного тока. Снижение тока базы при увеличении коллекторного напряжения объясняется с ужением базы и уменьшением рекомбинационного тока, при этом график ВАХ смещается в область больших напряжений.

Выходная характеристика в схеме с ОЭ представляет собой зависимость

I_к = (U_кэ)│ _{Iб = const}

Семейство выходных характеристик представлено на рис.6 б. Выходное напряжение U_кэ распределяется между эмиттерным и коллекторным переходами. При U_кэ<U_кэ0 транзистор находится в режиме насыщения. В этом режиме ток коллектора пропорционально зависит от коллекторного напряжения В режиме насыщения все характеристики сливаются в одну линию, то есть ток коллектора не зависит от тока базы. Эту линию называют линией критического режима. При токе I_б = 0 в коллекторной цепи протекает сквозной неуправляемый ток – это ток теплового режима I_кэо = ∙ I_кбо. Этот режим называют режимом отсечки. Увеличение теплового тока в  раз по сравнению со схемой с ОБ объясняется несколько приоткрытым базо-эмиттерным переходом.. При увеличении коллекторного напряжения U_кэ> U_бэ0 транзистор переходит в усилительный (активный) режим. Ток коллектора пропорционально зависит от тока базы. В усилительном режиме имеет место мало заметный рост коллекторного тока с увеличении U_кэ при постоянном токе базы. Этот рост выражен сильнее, чем в схеме с ОБ, так как коэффициент  в большей степени зависим от U_кэ,, I_б, и I_к чем коэффициент . Поэтому, также отсутствует эквидистантность характеристик (равно удаленность друг от друга).

Порядок определения h-параметров по реальным характеристикам:

1 - на характеристиках отмечают положение рабочей точки;

2- относительно рабочей точки определяют приращения токов и напряжений.

3 - параметры h₁₁ и h₁₂ находят по входным характеристикам, представленных на рис.8 а,б.

Рис. 8.

h_11Э = - приращения базового тока и напряжения находят согласно масштабу на координатных осях относительно рабочей точки в пределах линейного участка графика;

h_12Э = - приращение ∆U_БЭ находят как расстояние между графиками по горизонтали, а ∆U_КЭ - как разность констант коллекторных напряжений, соответствующих характеристик.

4 - параметры h₂₁ и h₂₂ находят по выходным характеристикам (рис. 9 а, б).

h₂₁ = – приращение ∆I_К находят как расстояние по вертикали между графиками, а ∆I_Б – как разность соответствующих констант (I_б2 – I_б1);

h₂₂ = приращения коллекторного тока и напряжения находят согласно масштабу на координатных осях на линейном участке графика относительно рабочей точки.