Основные параметры биполярного транзистора и их ориентировочные значения

1. Коэффициенты передачи эмиттерного и базового тока

h_21Э = |_{Uкэ =const} (>>10); h_21Б = |_{Uкб =const} ( 11).

2. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода (единицы – десятки Ом) r_{э диф} = | _{Uкэ =const}.

3. Обратный ток коллекторного перехода при заданном обратном напряжении (несколько наноампер – десятки миллиампер)

I_кбо = I_к|_Iэ=0 при обратном смещении коллекторного перехода

4. Объемное сопротивление базы r_б' (десятки – сотни Ом).

5. Коэффициенты внутренней обратной связи по напряжению h_12б и h_12Э (10^-3 – 10^-4).

6. Выходная проводимость h₂₂ (от долей до сотен мкСм);

r_{к диф} = | _{Iб =const}; r_{к диф} = | _{Iб =const}.

7. Максимально допустимый ток коллектора I_{к max} (сотни миллиампер - десятки ампер).

8. Наибольшая мощность рассеяния коллектором Р_{к max} (милливатты – десятки ватт).

9. Емкость коллекторного перехода С_к (единицы – десятки пикофарад).

10. Тепловое сопротивление между коллектором транзистора и корпусом

R_т = ,

где ∆Т- перепад температур между коллекторным переходом и корпусом.

11. Предельная частота коэффициента передачи тока _h21 на которой коэффициент h_21Э уменьшается до уровня 0,7 от своего статического уровня (единицы килогерц – сотни мегагерц).

_гр – граничная частота передачи тока в схеме с общим эмиттером; На некоторые транзисторы в справочнике не даются значения _гр , а приводятся значения модуля |  | на измеренной частоте _{измерения} , или постоянная времени цепи коллектора _= ( r_кС_к ). В этих случаях _гр определяется по формулам 1) _гр = |  |  _{иземерения} ; 2) _гр =

12. Максимальная частота генерации _max - это максимальная частота, при которой транзистор может работать в схеме автогенератора.

Значения большинства параметров транзисторов зависит от рабочего режима и температуры, причём с увеличением температуры зависимость параметров от режима сказывается более сильно. . В справочнике, как правило , приводятся типовые ( усреднённые ) параметры и зависимости.

Разброс параметров транзисторов и их изменения во времени и от внешних условий при конструировании схем могут быть учтены расчётными методами или экспериментально – методом граничных испытаний.

В справочнике для большинства биполярных транзисторов не приводятся вольтамперные характеристики ( ВАХ ) ввиду их однотипности и взаимозаменяемости при построения схем по приводимым данным.

11