- •Основные понятия линейных электрических цепей:
- •Ток, напряжение, мощность и энергия в электрических цепях.
- •Идеализированные источники электрической энергии.
- •Пассивные элементы цепи.
- •Основные определения, относящиеся к электрической схеме. Граф цепи.
- •Задача анализа цепи. Законы Кирхгофа.
- •Метод контурных токов.
- •Метод узловых потенциалов.
- •Метод эквивалентного генератора.
- •Эквивалентное преобразование цепей.
- •Потенциальные диаграммы.
- •Энергетические соотношения.
- •Гармонический ток.
- •Линейные электрические цепи при синусоидальных (гармонических) воздействиях
- •Представление синусоидальных функций времени в комплексной форме.
- •Синусоидальный ток в реактивном сопротивлении индуктивности и ёмкости.
- •Электрическая цепь при параллельном соединении r,l,c.
- •Топографические диаграммы.
- •Пассивный двухполюсник цепи синусоидального тока.
- •Трёхфазные электрические цепи.
- •Мощность в трёхфазных цепях.
- •Расчёт переходных процессов линейных электрических цепей.
- •Общая схема расчета переходного процесса, классическим методом.
- •Полупроводники. Механизм проводимости полупроводников.
- •Электронно-дырочный переход.
- •Полупроводниковый диод.
- •Полупроводниковый стабилитрон.
- •Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
Полупроводниковый стабилитрон.
Режим электрического пробоя находит применение для стабилизации напряжения, специализированный диод называется стабилитроном, изготавливается из кремния (германиевый диод не имеет полочки стабилизации напряжения).
Стабилитрон чаще всего применяют для создания опорного напряжения, в схемах стабилизации напряжения. Чем меньше сопротивление стабилитрона, тем лучше он отвечает своему назначению.
Низкое пробивное напряжение достигается в стабилитроне путём повышения концентрации примеси. При дальнейшем повышении концентрации основных носителей, пробой наступает при очень маленьком напряжении, и обратная ветвь становится круче, чем прямая, такой диод называется обращённым.
Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
Принцип действия одинаков, но в первом основную роль играют дырки, а во втором электроны.
Принцип действия:
Пусть
При обрыв эмиттерной ветви коллектора, p-n переход включён в обратном направлении, и его ВАХ повторяет обратную ветвь ВАХ диода.
Построим диаграмму на основе коллекторного перехода.
То есть шунтированный или тепловой ток коллектора.
Значит:
Пусть
Эмиттерный переход включён в прямом направлении. Обычно концентрация основных носителей в области эмиттера превышает концентрацию основных носителей в области базы.
- втягиваются в коллектор.
- рекомбинируют.
Где α- коэффициент передачи тока, в схеме с общей базой.
-α-тем больше чем:
уже ширина базы.
выше концентрация основных носителей в эмиттерной области по сравнению с базой.
больше площадь коллекторного перехода по сравнению с эмиттерным.
Рассмотрим схему, в которой транзистор включен с общей базой (база общий электрод для входной и выходной цепи).
Схема с общим коллектором - это эмиттерный повторитель, иногда его называют «трансформатором сопротивления». Входное сопротивление такой схемы примерно в раз увеличивается по сравнению с сопротивлением нагрузки, а выходное примерно в раз уменьшается по сравнению с входным сопротивлением предыдущей части схемы.