Источник опорного напряжения

В микросхемах ADuC7019/.../28 имеется встроенный источник опорного напряжения (ИОН) 2.5 В на запрещенной зоне, который может быть использован как для АЦП, так и для ЦАП. Этот ИОН также выдает сигнал на внешний вывод VREF. При использовании внутреннего ИОН между выходом VREF и "землей" должен быть подключен конденсатор емкостью 0.47 мкФ для обеспечения стабильности и минимизации переходного процесса при аналого-цифровом преобразовании. Этот ИОН может подключаться через выход VREF в качестве опорного источника ко внешним схемам в системе. Этот выход не обладает высокой нагрузочной способностью, поэтому может понадобиться внешний буфер. С помощью программных установок можно переключить микросхему ADuC70xx в режим внешнего источника опорного напряжения и подключить внешний ИОН к выводу VREF. Отметим, что невозможно запретить (отключить) внутренний источник опорного напряжения. В связи с этим внешний источник опорного напряжения должен быть способен перегружать внутренний

Интерфейс с ИОН осуществляется с помощью 8-битного MMR-регистра REFCON, описанного в табл. 11 ???.

Энергонезависимая память flash/ee

В микросхеме ADuC702x имеется память Flash/EE, обеспечивающая энергонезависимое хранение и возможность внутрисхемного программирования. Подобно памяти EEPROM, память Flash может программироваться в системе побайтно, однако сначала необходимо ее очистить; очистка производится постранично. Таким образом память Flash часто (и более корректно) именуется памятью Flash/EE. В целом память Flash/EE представляет собой нечто весьма близкое к идеальному устройству памяти, т.к. обладает энергонезависимостью, внутрисистемной програмируемостью, высокой плотностью и низкой стоимостью. В составе ИС ADuC702x память Flash/EE обеспечивает возможность внутрисхемного репрограммирования без необходимости замены микросхемы памяти, если необходимо изменить программу в готовом работающем устройстве.

В ИС ADuC7019...7028 имеется 64 kB памяти Flash/EE, или 128 страниц по 512 байт. Нижние 62 kB доступны для пользователя, верхние 2 kB памяти Flash/EE содержат встроенное заводское программное обеспечение для внутрисхемного последовательного программирования. В этих 2 kB памяти также находится программа конфигурирования процессора при подаче питания, которая загружает заводские калибровочные константы для различной периферии (АЦП, датчика температуры, ИОН и т.д.) Эти 2 kB программ скрыты от пользователя.

В ИС ADuC7128/29 объем памяти Flash/EE увеличен до 128 КБ.

Надежность Flash/ee памяти

Надежность памяти Flash/EE определяется двумя основными характеристиками: количеством циклов «стирание/запись» (cyclingendurance) и временем сохранения записанных данных (dataretentiontime). Один цикл обращения состоит из четырех независимых действий:

1. Стирание страницы. 2. Считывание /проверка стирания 3. Запись в страницу нового содержимого 4. Считывание /проверка записанного содержимого

При проверке надёжности местоположение каждого полуслова (16-bit wide) на трех страницах Flash/EE памяти (верней, средней и начальной) периодически повторяется 10 000 раз от 0x0000 до 0xFFFF. Как показано в Таблице 1 проверка долговечности памяти Flash/EE выполнена в соответствии с Спецификацией A117 сохранения работоспособности JEDEC(jointelectrondeviceengineeringcouncil - объединённый инженерный совет по электронным устройствам) в промышленном температурном диапазоне от −40° до +125°C.Результаты удовлетворяют спецификации в показателе минимальной долговечности для приведенной температуры для 10 000 циклов.

Сохранение данных определяется способностью Flash/EE памяти сохранять запрограммированные данные в течение долгого времени. Микросхема опять же отвечает требованиям в соответствии с Спецификацией A117 сохранения работоспособности JEDEC(jointelectrondeviceengineeringcouncil - объединённый инженерный совет по электронным устройствам) при определённой температуре (TJ = 85°C). Как часть этой процедуры проверки на соответствие память Flash/EE циклически приводится к установленному техническими условиями пределу долговечности, описанному ранее, перед тем как сохранение данных было описано. Это означает, что память Flash/EE гарантированно будет хранить данные на протяжении всего установленного времени сохранения работоспособности, всякий раз когда память Flash/EE будет повторно запрограммирована. Кроме того, отметьте, что сохранение работоспособности, основанное на энергии активации 0.6 eV, снижает номинальные значения TJ как показано в иллюстрации 50