Память Flash/ее
64 килобайта памяти Flash/EE организованы по принципу 32k x 16 бит. Из них 31k x 16 бит представляют собой пользовательскую память и 1k x 16 бит содержатon-chipkernel(ПО, записанное при изготовлении и защищенное от модификации).
Размер страницы памяти Flash/EE составляет 512 байт. Подробнее об организации памяти Flash/EE см. ???
Внутрикристальная шина Flash/EEпамяти имеет ширину 16 бит, поэтому в режиме ARM (32-разрядныхкоманд) команда считывается из памяти за два обращения. Поэтому когда программа выполняется из памяти Flash/EE, рекомендуется использовать режим Thumb (16-битовые команды)при этом скорость выполнения программы оказывается выше. Максимальная скорость доступа к памяти Flash/EE составляет 41.78 MHz в режиме Thumb и 20.89 MHz в 32-битном ARM-режиме.
Память sram
Пользователю доступно 8 кбайт оперативной памяти SRAM, она организована как 2 k по 32 разряда, т.е. 2 k слов. Код ARM может выполняться непосредственно из памяти SRAM на частоте 41.78 MHz,, что обеспечивается 32-битной шириной памяти SRAM. Более подробно о памяти SRAM говорится в разделе "Выполнение из памяти SRAM и Flash/EE" ???.
Регистры внутрикристальных периферийных устройств.
Область адресов регистров внутрикристальных периферийных устройств располагается в верхних двух страницах массива памяти, содержимое регистров доступно с помощью косвенной адресации через организованные в банки регистры ядра ARM7 ???.В оригинальном Техническом Описании регистрыпериферийных устройств называются словосочетаниемMemoryMappedRegisters, MMR – регистры, отображенные на память.
Через область адресов MMR организован интерфейс между вычислительным ядром (CPU) и находящейся на кристалле периферией. Все регистры, за исключением регистров вычислительного ядра, доступны через область адресов MMR. Все адреса, показанные на рис. ??? серым цветом, являются незанятыми или зарезервированными адресами и пользовательская программа не должна обращаться к этим адресам. В таблице ??? приведен полныйпереченьрегистров внутрикристальной периферии и их основные атрибуты.
Время доступа при чтении или записи в соответствующий регистр пространства MMR определяется параметрами шины AMBA (AdvancedMicrocontrollerBusArchitecture), которая применена для доступа к периферии. Данный процессор имеет две шины AMBA: шина AHB (AdvancedHigh-performanceBus) применяется для доступа к модулям системы и APB (AdvancedPeripheralBus) применяется для доступа к периферии с низкой скоростью обмена.
Обращение к шине AHB осуществляется за один цикл в то время как доступ к шине APB – за два цикла. Все периферийные устройства микросхем ADuC7019/20/21/22/24/25/26/27/28 подключены к более медленной шине APB за исключением памяти Flash/EE, портов параллельного дискретного ввода/вывода (General-PurposeInput/Output GPIO) и широтно-импульсного модулятора ШИМ (Pulse-WidthModulator PWM).
|
Адреса регистров периферии и их атрибуты |
Стр. |
Диапазоны адресов регистров периферии
|
|
(78) (78) (78) (78) (79) (79) (79) (79) (79) (51) (51) (51) (80) (80) (80) (80) (80) (80) (80) (81) (81) (81) (81) (81) (82) (82) (82) (82) (83) (56) (56) (56) (56) (56) (56) (53) (54) |
|
Стр. |
(46)
(42) (43) (43) (44) (44) (44) (44) (44) (52) (52) (52) (52) (52) (52) (52) (52) (66) (66) (66) (66) (66) (67) (67) (67) (67) (68) (68) (68) (68) (68) (68)
|
|
Стр. |
(71) (71) (72) (72) (72) (72) (72) (72) (72) (73) (73) (74) (74) (74) (74) (74) (74) (74) (71) (71) (72) (72) (72) (72) (72) (72) (72) (73) (73) (74) (74) (74) (74) (74) (74) (74) (70) (70) (70) (70) (70) |
|
Стр. |
(75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (75) (76) (76) (77) (77) (77) (77)
(84) (84) (84) (84) (84) (84) (84) (84) (84) |
|
(64) (64) (64) (64) (64) (65) (65) (65) (64) (65) (65) (65) (64) (65) (65) (65) (65) (65) (65) (65) (65) (65)
(48) (48) (49) (49) (49) (49) (49) (49) (48) (48) (49) (49) (49) (49) (49) (49) (49) (49) |
Схема АЦП ‑общий обзор
??? Отредактировать для курсов существенное, убрать малосущественное
Аналого-цифровой преобразователь (АЦП), входящий в состав микросистем ADuC70xx–это быстродействующий, многоканальный 12-разрядный АЦП. Он работает при напряжении питания от 2.7 V до 3.6 V и обеспечивает производительность до 1 миллиона отсчетов в секунду (1 MSPS) при тактовой частоте 41.78 МГц. В блок АЦП входят многоканальный аналоговый коммутатор (для разных моделей семейства имеющий от 5 до 16 входов), дифференциальное устройство выборки-хранения???, встроенный источник опорного напряжения (ИОН) и собственно АЦП.
12-разрядный АЦП последовательного приближения использует принцип перераспределения зарядов (ChargeRedistribution) на основе двух ЦАП на переключаемых конденсаторах. АЦП может работать в одном из трех различных режимов:
полностью дифференциальный режим – для слабых дифференциальных сигналов;
однополярный режим – для любых однополярных сигналов
псевдодифференциальный режим – для любых однополярных сигналов, но при этом обеспечивается преимущество – подавление синфазного сигнала псевдо-дифференциальным входом.
Данный преобразователь работает с аналоговым сигналом в диапазоне от 0 до VREF при работе в однополярном или псевдодифференциальном режиме. В полностью дифференциальном режиме синфазное напряжение VCM входного сигнала должно находиться в диапазоне 0...AVDD и размах входного сигнала не должен превышать 2·VREF (см. рис. ???).
На кристалле имеется прецизионный, высокостабильный источник опорного напряжения (ИОН) напряжением 2.5 В с заводской калибровкой. Также можно использовать внешний ИОН, как описано ниже.
С помощью программы запускается режим одиночного или непрерывного преобразования. Кроме того, для запуска аналого-цифрового преобразования может быть использован сигнал на входе CONVSTART, выходной сигнал встроенной в кристалл программируемой логической матрицы (PLA), а также сигнал переполнения таймера Timer0 или Timer1.
В схеме ИОН имеется выход напряжения, пропорционального абсолютной температуре линейно зависящего от температуры: VT=780-1,3(TºC-25º); это напряжение может подаваться на один из входов мультиплексора (в сущности это – еще один канал АЦП), в результате мы имеем канал измерения температуры и можем получить значение температуры кристалла с точностью ±3°C.