Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Компьютерная схемотехника.rtf
Скачиваний:
49
Добавлен:
21.09.2019
Размер:
46.11 Mб
Скачать

7.2 Базовый эсл - элемент или/или-не

В этом элементе [3, 11] логические операции выполняются эмиттерно-связанными транзисторами, чем и обусловлено название типа логики. Элемент имеет два выхода, на одном из которых фиксируется результат операции ИЛИ над входными цифровыми сигналами, а на другом - операции ИЛИ-НЕ.

В этой схеме к “земле” присоединена плюсовая шина источника питания, поэтому выходные сигналы имеют отрицательную полярность.

Разработанные на основе схем ЭСЛ ИМС характеризуются высоким быстродействием, высокой нагрузочной способностью, низкой помехоустойчивостью и достаточно большой потребляемой мощностью.

7.3 Базовый кмоп-элемент или-не

Логические схемы на комплементарных (дополняющих друг друга) МОП (МДП) - транзисторах содержат последовательно включенные и управляемые одним сигналом МОП-транзисторы с каналами разных типов проводимости (n- и p-типа) (рисунок 7.6).

Рисунок 7.6

Когда один из последовательно включенных транзисторов открывается, другой - закрывается. Поэтому такой каскад практически не потребляет мощности в статическом режиме.

КМОП-элемент (рисунок 7.6) представляет собой делитель напряжения +Епит. Нижнее плечо делителя составляет транзистор VT2, который называется коммутирующим или управляющим. Верхнее плечо образует транзистор VT1, который называется нагрузочным. Если на вход подается высокий уровень напряжения (логическая 1), то открывается транзистор VT2 и закрывается VT1. Большая часть напряжения питания выделяется на нагрузочном транзисторе VT1, а с выхода снимается низкий уровень напряжения (логический 0).

Если на вход поступает низкий уровень сигнала (логический 0), то открывается VT1 и закрывается VT2. С выхода снимается высокий уровень напряжения, а открытый транзистор VT1 выполняет функцию стокового резистора Rс. Рассмотренная схема выполняет функцию инвертора .

Ниже показана схема логического элемента с тремя входами ИЛИ-НЕ на КМОП-транзисторах (рисунок 7.7).

Рисунок 7.7

Если на любой из входов, например, С, подается высокий уровень (логическая 1), то открывается транзистор VT1 и шунтирует параллельно включенные с ним транзисторы VT2 и VT3. Сопротивление нижнего плеча делителя, состоящего из трех параллельно включенных управляющих транзисторов VT1, VT2 и VT3, уменьшается. Одновременно запирается транзистор VT6 и сопротивление верхнего плеча делителя, состоящего из трех последовательно включенных нагрузочных транзисторов VT4, VT5 и VT6 становится весьма значительным. Большая часть напряжения питания +Епит выделяется на нагрузочных транзисторах, а с выхода снимается низкий уровень сигнала (логический 0).

Только когда на всех входах А, В и С присутствует низкий уровень сигнала (логический 0), управляющие транзисторы закрыты, а нагрузочные – открыты. Падение на нагрузочных транзисторах мало и они выполняют функцию стокового (нагрузочного) резистора Rс для параллельно включенных закрытых транзисторов VT1 ... VT3. С выхода снимается высокий уровень напряжения (логическая 1).

Таким образом, рассматриваемый элемент (рисунок 7.7) выполняет логическую функцию ИЛИ-НЕ

.(7.1)

Логические КМОП-элементы имеют ряд существенных достоинств. Во-первых, в статическом состоянии в цепи источника Епит находится запертый транзистор, так что потребляемая элементом мощность весьма мала. Потребление мощности происходит только при переключении элемента. Во-вторых, входное сопротивление полевого транзистора весьма велико, поэтому каждый последующий элемент практически не нагружает предыдущий. В-третьих, при исполнении по интегральной технологии полевой транзистор занимает на подложке (основании микросхемы) меньшую площадь, чем биполярный. Недостатком элемента является меньшее быстродействие, чем у ТТЛШ - и ЭСЛ - элементов.

При перевозке и монтаже КМОП-схем нужно соблюдать определенные меры предосторожности. В частности, монтажник и все монтажные инструменты должны быть заземлены, чтобы исключить возможность пробоя изоляции между затвором и каналом.