- •Электроника
- •Содержание
- •1.1 Основы алгебры логики………………………………………………..5
- •1 Цифровые интегральные микросхемы
- •1.1 Основы алгебры логики
- •1.1.1 Основные определения
- •1.1.2 Некоторые логические функции и реализующие их логические элементы
- •1.1.3 Основные законы и соотношения алгебры логики
- •Сочетательный закон
- •Распределительный закон
- •1.2 Параметры цифровых интегральных микросхем
- •1.2.1 Параметры цифровых интегральных микросхем (цимс), имеющие размерность напряжение.
- •1.2.2 Параметры, соответствующие размерности тока.
- •1.2.3 Параметры, имеющие размерность мощности.
- •1.3.2 Характеристики дтл.
- •1.4 Транзисторно – транзисторная логика.
- •1.5 Ттл со сложным инвертором.
- •1.6 Ттл с открытым коллекторным выходом.
- •1.7 Ттл с тремя состояниями на выходе
- •1.8 Транзисторно-транзисторная логика Шоттки
- •1.9 Комплиментарная мдп логика
- •2 Операционные усилители
- •2.1 Параметры и характеристики оу
- •2.3 Дифференциальный усилитель
- •2.4 Составной транзистор
- •2.5 Источник тока
- •2.6 Схема сдвига уровня
- •2.7 Эмиттерный повторитель
- •2.8 Инвертирующий усилитель на оу.
- •2.9 Неинвертирующий усилитель
- •3 Технологические основы производства полупроводниковых интегральных микросхем
- •3.1 Подготовительные операции
- •3. 2 Эпитаксия
- •3.3 Термическое окисление
- •3.4 Литография
- •3.5 Легирование
- •3.5.2 Ионная имплантация.
- •3.6.1 Термическое (вакуумное) напыление.
- •3.6.2 Катодное напыление.
- •3.6.3 Ионно-плазменное напыление.
- •4 Полупроводниковые
- •4.1 Методы изоляции элементов в ппимс
- •4.1.1 Изоляция элементов обратно смещенными pn-переходами.
- •4.1.2 Резистивная изоляция.
- •4.1.3 Диэлектрическая изоляция
- •4.2 Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор
- •4.2.1 Этапы изготовления
- •4.2.2 Распределение примесей.
- •4.2.3 Эквивалентная схема.
- •4.3 Планарно-эпитаксиальный биполярный транзистор
- •4.4 Разновидности биполярных транзисторов
- •4.4.1 Многоэмиттерный транзистор.
- •4.4.2 Транзистор с барьером Шоттки.
- •4.4.3 Транзисторы р-n-р
- •4.5 Интегральные диоды
- •4.6 Полевые транзисторы
- •4.6.1 Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
- •4.6.3 Мноп-транзистор.
- •4.7 Полупроводниковые резисторы
- •4.7.1 Диффузионные резисторы.
- •4.7.2 Ионно-легированные резисторы.
- •4.8 Полупроводниковые конденсаторы
- •5.1 Подложки гимс.
- •5.2 Резисторы.
- •5.3 Конденсаторы
- •5.4 Катушки индуктивности
4 Полупроводниковые
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
В полупроводниковых интегральных микросхемах (ППИМС) элементы выполнены в объеме или часть из них на поверхности полупроводникового материала, чаще всего монокристаллического кремния. В ППИМС все элементы (активные и пассивные) реализуются на основе биполярных и МДП-транзис -торных структурах. В связи с этим различают интегральные микросхемы на биполярных транзисторах и МДП - интегральные микросхемы.
Обычно каждому элементу схемы соответствует локальная область полупроводникового материала, свойства и характеристики которой обес- печивают выполнение функций дискретных элементов (транзисторов, резисторов, конденсаторов и др.). Каждая локальная область, выполняющая функции конкретного элемента, требует изоляции от других. Соединения между элементами согласно электрической схеме обычно выполняют с помо- щью металлических пленочных проводников, напыленных на окисную поверхность, покрывающей полупроводниковый кристалл. Такой кристалл заключается в герметизированный корпус и имеет систему выводов для практического использования микросхемы. Таким образом, полупроводни- ковая микросхема представляет собой законченную конструкцию.
Различают так же следующие разновидности полупроводниковых интегральных микросхем: многокристальные, совмещенные, с балочными выводами и на сапфировой подложке 5.
Как уже указывалось, большинство полупроводниковых микросхем изготовляют на основе монокристаллического кремния. Это объясняется тем, что кремний имеет перед германием ряд физических и технологических преимуществ, важных для создания элементов интегральных микросхем. Основные физические преимущества кремниевых микросхем следующие:
- большая ширина запрещенной зоны кремния и меньшие при этом обратные токи переходов, что уменьшает паразитные связи между элементами микросхем, позволяет создавать микросхемы, работоспособные при -повышенных температурах (до +120°С), и микромощные схемы, работающие при малых уровнях рабочих токов (менее 1 мкА);
- более высокий порог отпирания, а, следовательно, и большая статическая помехоустойчивость;
- меньшая диэлектрическая проницаемость, что обусловливает меньшие барьерные емкости переходов при той же их площади, что позволяет увеличить быстродействие микросхем.
4.1 Методы изоляции элементов в ппимс
4.1.1 Изоляция элементов обратно смещенными pn-переходами.
На рисунке 4.1а представлен фрагмент ППИМС с двумя биполярными транзисторами и с изоляцией обратно смещенными pn-переходами. На рисунке 4.1б представлена эквивалентная схема этого фрагмента. На подложку подается наибольшее отрицательное напряжение от источника питания, поэтому pn-переходы между коллектором БТ и подложкой оказываются запертыми и транзисторы изолированы друг от друга. Однако следует отметить, что обратно смещенные pn-переходы обладают барьерной емкостью СБ и с увеличением частоты возрастает паразитная связь между элементами схемы.
а) б)
Рисунок 4.1