- •1. Цель лабораторной работы
- •2. Физические процессы в электронно-дырочных переходах с туннельным эффектом
- •2.1. Понятие и особенности электронно-дырочных переходов с туннельным эффектом
- •2.2. Вольтамперная характеристика идеального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом
- •2.3. Вольтамперная характеристика реального электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом
- •2.4. Влияние температуры окружающей среды на вах реального p-n перехода с туннельным эффектом
- •2.5. Параметры электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом
- •3. Схемы экспериментальных исследований
- •4. Лабораторное задание
- •5. Обработка результатов экспериментальных исследований
- •6. Содержание отчета
- •7. Вопросы и задания для самопроверки
- •Библиографический список
- •Приложение 1
- •Приложение 3 электронно-дырочные переходы с туннельным эффектом на основе арсенида галлия
- •Оглавление
- •620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19
- •620002, Екатеринбург, ул. Мира, 19
2.4. Влияние температуры окружающей среды на вах реального p-n перехода с туннельным эффектом
Колебания температуры окружающей среды приводят к изменениям характеристик и параметров примесных полупроводников, а, следовательно, и полупроводниковых структур на их основе. Из-за высокой степени легирования исходных примесных полупроводников электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом влияние температуры проявляется значительно слабее, чем в обычных p-n переходах. Особенно это заметно на участке вольтамперной характеристики p-n перехода с туннельным эффектом, на котором ток определяется туннельной составляющей общего тока p-n перехода:
I = IT + ID + IE, (15)
где I – общий ток p-n перехода с туннельным эффектом; ID – диффузионная составляющая тока; IT – туннельная составляющая тока; IE – дрейфовая составляющая тока. На ВАХ p-n перехода с туннельным эффектом, представленной на рис. 8, ток на участке DOAB зависит в основном от туннельной составляющей (15). Поэтому на указанном участке ВАХ p-n перехода изменение температуры окружающей среды будет сказываться слабо, как это показано на рис. 10.
На участке OD ВАХ (см. рис. 10) обратный ток с ростом температуры окружающей среды увеличивается незначительно, так как при этом возрастает дрейфовая составляющая тока IE (15), которая изменяется по экспоненциальному закону от температуры, а туннельная составляющая IТ (15) изменяется очень слабо. Вес IE в выражении (15) на участке OD ВАХ (см. рис. 10) очень мал. При увеличении температуры от значения Т1= +20 °С до величины Т2=+70 °С экспоненциально возрастает дрейфовая составляющая тока IE (15), уменьшается ширина обратносмещенного p-n перехода, растет напряженность электрического поля на p-n переходе (EОБР =), несколько возрастает IТр (туннельная составляющая тока обратносмещенного p-n перехода), это приводит к увеличению общего обратного тока IОБР= IТр+ IЕ, температурный коэффициент напряжения обратной ветви ВАХ p-n перехода с туннельным эффектом ТКНОБР = . При изменении температуры окружающей среды обратная ветвь ВАХ располагается очень близко к первоначальной зависимости приТ1=+20°С.
Рис.10. ВАХ реального p-n перехода с туннельным эффектом при изменении температуры окружающей среды:
T1= +20 ºC; -------- T2= +70 ºC
Туннельная ветвь прямого тока ВАХ p-n перехода с туннельным эффектом (участок ОАВ зависимости, рис. 10) также слабо зависит от температуры окружающей среды. При возрастании температуры изменяется лишь ток пика IП. Он может как уменьшаться, так и увеличиваться. Это обусловлено следующими двумя факторами: во-первых, при возрастании температуры снижается значение контактной разности потенциалов φК (9) p-n перехода, вследствие чего уменьшается равновесная ширина p-n перехода l0 (2) и lПР, что приводит к росту напряженности электрического поля Е и туннельной составляющей тока; во-вторых, при увеличении температуры происходит смещение энергетического уровня Ферми ближе к середине запрещенной зоны (это следует из теории примесных полупроводников) в полупроводниках р+ - и n+ - типов, а это приводит к уменьшению перекрытия зон в электронно-дырочном переходе, содержащих энергетические уровни, заполненные электронами. При этом количество туннельных переходов снижается, а также уменьшаются значения токов ITn и IП.
На диффузионном участке (участок ВС, рис. 10) прямой ветви ВАХ электронно-дырочного перехода с туннельным эффектом влияние температуры проявляется так же, как и для обычного p-n перехода. С возрастанием температуры снижается значение контактной разности потенциалов φК, растет значение диффузионной составляющей тока ID (15) и возрастает величина прямого тока IПР p-n перехода.
Поэтому диффузионный участок ВС ВАХ p-n перехода (см. рис. 10) с увеличением температуры (Т2=+70°С) смещается влево. В этом случае увеличивается значение тока впадины и он становится равным, уменьшается величина напряжения впадины до значения , снижается напряжение раствора до величины . Температурный коэффициент напряжения участкаВС прямой ветви ВАХ (см. рис. 10) меньше нуля и определяется из соотношения
ТКНПР (ВС) = . (16)