Библиографический список

1. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов/Я.А. Федотов. - М.: Сов. радио, 1969. - 542 с.

2. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов/ В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. – 5-е изд., испр. - СПб.: Лань, 2001. – 480 с.

3. Дулин В.Н. Электронные приборы: учебник/ В.Н. Дулин, Н.А.Аваев, В.П. Дёмин и др.; под ред. Г.Г. Шишкина. – 4-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергоатомиздат, 1989. – 496 с.

4. Булычев А.Л. Электронные приборы: учебник/ А.Л. Булычев, П.М. Лямин, Е.С. Тулинов. – М.: Лайт Лтд., 2001. – 416 с.

5. Батушев В.А. Электронные приборы: учебник/ В.А. Батушев. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1980. – 383 с.

6. Елфимов В.И. Основы теории p-n-перехода: учебное пособие/ В.И. Елфимов, Н.С. Устыленко. – Екатеринбург: ООО «Издательство УМЦ УПИ», 2000. – 55 с.

7. Пасынков В.В. Материалы электронной техники: учебник для вузов/ В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. – СПб.: Лань, 2001. – 368 с.

8. Антипов Б.Л. Материалы электронной техники. Задачи и вопросы: учебное пособие для вузов/ Б.Л. Антипов, В.С. Сорокин, В.А. Терехов; под ред. В.А. Терехова. – 2-е изд. – СПб.: Лань, 2001. – 208с.

9. Гаряинов С.А Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением/ С.А. Гаряинов, И.Д. Абезгауз. – М.: Энергия, 1970. – 320 с.

10. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: справочник/ под общ. ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 744 с.

11. Шукстов В.Н. Исследования характеристик и параметров туннельных диодов: методические указания к лабораторной работе/ В.Н. Шукстов, Т.И. Филатова. – Екатеринбург: УПИ, 1992. – 20 с.

Приложение 1

Пример оформления титульного листа отчета по лабораторной работе

Федеральное агентство по образованию

Российской Федерации

ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет – УПИ»

Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

Оценка работы____________

Преподаватель____________

ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПЕРЕХОДОВ С ТУННЕЛЬНЫМ ЭФФЕКТОМ

Отчет по лабораторной работе № 3

по дисциплине «Физические основы электроники»

Подпись Дата Фамилия

Преподаватель ФИО преподавателя

Студент ___________________________________ ФИО студента

Группа

Екатеринбург

2006

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ С ТУННЕЛЬНЫМ ЭФФЕКТОМ НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ

Туннельные германиевые диоды типа ГИ103, ГИ304

Параметры	ГИ103А	ГИ103Б	ГИ103Г	ГИ304А	ГИ304Б
Ток пика, мА	1,3-1,7	1,3-1,7	1,3-2,1	4,5-5,1	4,9-5,5
Отношение тока пика к току впадины	>4	>4	>4	>5	>5
Напряжение пика, мВ	60-90	60-90	60-90	<75	<75
Напряжение раствора (не менее), В	0,52	0,52	0,52	0,44	0,44
Емкость диода на частоте 20 МГц (не более), пФ	1,5	1,4	2	20	20

Туннельные германиевые диоды типа ГИ305, ГИ307, ГИ308

Параметры	ГИ305А	ГИ305Б	ГИ307А	ГИ308А	ГИ308В
Ток пика, мА	9,1-10	9,8-11	1,8-2,2	4,5-5,5	9-11
Отношение тока пика к току впадины	>5	>5	>7	>5	>5
Напряжение пика, мВ	<85	<85	<70	70-100	60-110
Напряжение раствора (не менее), В	0,45	0,45	0,4	0,51-0,63	0,51-0,63
Емкость диода на частоте 20 МГц (не более), пФ	30	30	20	1,5-5	4-10