likbez
.pdfВ помощь пользователю
По результатам качественного анализа:
1). Определить, какие элементы, кроме аналитов, необходимо измерять в количественном анализе (по пробе max), чтобы учесть их влияние на аналиты.
2). Определить, на каком кристалле, по какой линии (α, β) элемента и при каком токе будем измерять каждый аналит (по пробе max).
3). Определить, нужно ли учитывать фон (по пробе min).
4). Определить метод вычитания фона и значения длин волн фоновых точек (по пробе max).
5). Определить время экспозиции для каждой измеряемой линии (по пробе min), операция «вычисление».
6). Определить необходимость учета матрицы и метод учета матрицы (по наложению проб max и min, max и рабочей пробы, min и рабочей пробы).
7). Определить, по каким аналитическим линиям будем учитывать дрейф пробора, имея в виду, что для каждой измеряемой линии в каждом порядке, на каждом кристалле и каждом токе нужно измерять хотя бы одну линию из контрольного образца, который служит для учета дрейфа прибора. Для лучшего учета предварительно снять «быстрый» спектр контрольного образца, поставляемого вместе с прибором.
Зав.химической лабораторией НПО "Спектрон" к.х.н. Майорова Е.Н.
51
В помощь пользователю
Приложение. Приблизительный состав Контрольного Образца
SiO2 ............ |
основа |
Ti...................... |
1 % |
Cr ..................... |
1 % |
Ni ..................... |
1 % |
Zn..................... |
1 % |
Zr...................... |
7 % |
Cd..................... |
7 % |
Ba..................... |
2 % |
Pb ..................... |
2 % |
ВНИМАНИЕ! Значения концентраций элементов - приблизительные и могут меняться в зависимости от даты изготовления образца.
52