- •1. Некоторые сведения о флуктуациях
- •1.1 Флуктуации давления газа в камере
- •1.2. Флуктуации скорости частицы при движении в вязкой среде. Переход от механики Ньютона к статистической механике.
- •1.3. Флуктуации электрических величин и шумы в радиофизике
- •2. Способы описания шумов
- •2.1. Статистические характеристики случайного процесса
- •2.1.1. Математические характеристики шума.
- •2.1.2. Автокорреляцинная функция
- •2.1.3. Спектральная плотность мощности стационарного случайного процесса
- •2.1.4. Tеорема Винера-Хинчина
- •2.2. Широкополосные и узкополосные случайные процессы. Б171
- •2.3. Импульсные случайные процессы
- •2.4. Взаимная корреляционная функция и взаимный энергетический спектр
- •2.5. Коэффициент корреляции между двумя случайными напряжениями
- •2.6. Метод Ланжевена
- •3. Краткие сведения о флуктуациях в электронных приборах. Физические источники шумов в твёрдых телах
- •3.1. Тепловой шум.
- •3.1.1. Вывод формулы Найквиста
- •3.1.2. Обобщенная теорема Найквиста для линейного двухполюсника
- •3.1.3. Формула Гупта.
- •3.1.4. Квантовая модификация формулы Найквиста
- •3.1.5. Мощность тепловых шумов
- •3.1.6. Флуктуационно-диссипационная теорема
- •3.2. Шум горячих электронов (диффузионный шум).Шумовая температура.
- •3.3. Дробовой шум. Связь между дробовым шумом и зарядом носителей.
- •3.4. Генерационно-рекомбинационный шум в полупроводниках.
- •3.5. Шум вида 1/f (фликкер-шум)
- •3.6. 1/F шум
- •3.7. Взрывной шум или шум в виде случайного телеграфного сигнала.
- •3.8. Шумы, обусловленные равновесными температурными флуктуациями
- •3.9. Фотонный шум
- •3.10. Магнитные шумы.
- •3.10.1. Скачки Баркгаузена.
- •3.10.2. Изучение эффекта Баркгаузена.
- •3.10.3. Ограничение чувствительности магнитных датчиков и считывающих устройств из-за шумов Баркгаузена
- •3.11. Равновесные и неравновесные флуктуации
- •4. Некоторые сведения о флуктуациях в физиологии и других природных системах.
- •4.1. Магнитные флуктуации в природе
- •4.2. Флуктуации в биологии и физиологии
- •4.3. Стохастический резонанс
- •5. Преобразование шума в линейных цепях
- •6. Эквивалентные шумовые схемы
- •6.1. Эквивалентные шумовые схемы пассивного двухполюсника
- •6.2. Эквивалентные шумовые схемы четырехполюсников
- •6.3. Коэффициент шума усилителя и методы его измерения
3.2. Шум горячих электронов (диффузионный шум).Шумовая температура.
Электронный газ в полупроводнике, подвергнутому действию сильного электрического поля, является неравновесным, поскольку средняя энергия движения электронов увеличивается и становится больше их равновесной, равной 3/2kT0, т.е. происходит разогрев электронов, которые называют в этом случае горячими. Сильным электрическим полем принято считать поле, в котором ток через однородный образец полупроводника начинает нелинейно зависеть от напряженности электрического поля, т.е. нарушается закон Ома.
Физическим механизмом возникновения нелинейности вольт-амперной характеристики в полупроводнике является нелинейная зависимость подвижности (дрейфовой скорости) электронов от напряженности электрического поля. В неравновесных условиях соотношение Эйнштейна не выполняется и нарушается формула Найквиста. При этом в полупроводниках проявляются эффекты горячих электронов. Распределение скоростей горячих электронов отличается от максвелловского распределения.
В неравновесной плазме полупроводника помимо теплового шума возникает добавочный шум, связанный со случайным характером обмена энергией между горячими электронами и решеткой и с флуктуациями поглощаемой мощности от внешнего источника (т.е. добавочный шум возникает из-за флуктуаций средней энергии электронов). Этот вид шума называют диффузионным шумом, и он является более общим видом электрического шума, чем тепловой. Флуктуации обеспечивают механизм рассеяния энергии, а тепловой шум в физической системе есть та часть флуктуаций, которая обусловлена наличием в ней только тепловой энергии.
Если выполняется соотношение Эйнштейна (3.19), то диффузионный шум сводится к тепловому шуму. Физический механизм возникновения диффузионного шума связан с зависимостью подвижности электронов от их скорости (средней энергии). При этом экспериментально установлена связь между нелинейностью ВАХ образца и мощностью диффузионного шума.
Для описания шумов горячих электронов в неравновесных полупроводниках вводится понятие эквивалентной шумовой температурыТn, которая определяется из следующих соотношений:
; (3.20а)
(3.20б)
где Zd (f) иYd (f) –дифференциальные импеданс и адмитанс полупроводникового образца в рабочей точке соответственно.
Эти соотношения можно отнести к любым приборам, в которых носители тока имеют эквивалентную шумовую температуру, отличающуюся от температуры окружающей среды, примером чего может служить шум горячих электронов в полупроводниках или в газовой плазме.
Образец можно представить в виде бесшумного резистора с генератором напряжения шумовой ЭДС UТ, равной(рис. 3.2.). Как следует из соотношений (3.20а) и (3.20б), для определения шумовой температурыTnэкспериментально нужно измерить спектральную плотность флуктуаций напряженияSU(или токаSI) и дифференциальный импедансZd (f) или адмитансYd (f) образца.
При подключении к образцу с комплексным сопротивлением Z(f)=R(f)+iX(f) согласованной нагрузки, так чтоZн(f)=R(f) –iX(f), в ней будет выделяться максимальная мощность шума, равная согласно (3.22), из которой может быть экспериментально определена шумовая температураTn.
В условиях термодинамического равновесия шумовая температура совпадает с температурой системы. В неравновесных условиях шумовая температура зависит от частоты измерения шума и величины электрического поля, создающего неравновесность в системе. Как уже отмечалось, в неравновесных условиях нарушается соотношением Эйнштейна. При этом можно показать, что в пренебрежении парными столкновениями электронов, для полупроводников справедливо следующее выражение:
, (3.21)
где d– дифференциальная подвижность,Tn– шумовая температура.
Эта формула является аналогом соотношения Эйнштейна (3.19) для неравновесного случая нагретого электронного газа. С помощью формулы (3.21) можно определить шумовую температуру горячих электронов Tn в п/п приборах из измерений коэффициента диффузииD и дифференциальной подвижностиd(или дифференциальной удельной проводимости, гдеn– концентрация носителей тока).
В микроволновых приборах на основе GaAsгетероструктур с квантовыми ямами двухмерный электронный газ подвергается высоким электрическим полям, приложенным параллельно границе раздела. В таких приборах шум горячих электронов играет определяющую роль в СВЧ диапазоне при низких рабочих температурах. Шумовые свойства подобных приборов характеризуются шумовой температуройTn, которая может быть определена из измерений СП диффузионного шумана определенной частотеfиз формулы .
, (3.22)
где R– активное сопротивление исследуемого образца.
Шумовой температурой часто оценивают шумовые свойства пассивного двухполюсника, работающего при комнатной температуре. Следует иметь в виду, что во многих электронных приборах шумовая температура Tn может значительно превышать комнатную температуру и составлять тысячи – десятки тысяч Кельвинов.
Шум горячих электронов обусловлен случайным характером обмена энергией между горячими электронами и решеткой и связан с флуктуациями мощности, поглощаемой от внешнего источника. Т.е. энергия источника напряжения или тока, приложенных к пассивному двухполюснику, преобразуется в диффузионный шум, тогда как тепловой шум обусловлен только тепловым движением равновесных носителей заряда.
Понятием шумовой температуры широко пользуются в радиофизике для оценки уровня шумов полупроводниковых приборов, предназначенных для усиления и преобразования электрических сигналов. Именно по шумовой температуре оценивают чувствительность различных полупроводниковых устройств СВЧ диапазона. При этом шумовую температуру устройства обычно определяют путем сравнения с эталонными шумовыми генераторами.