Рис.4.6. Зависимость удельной		Рис.4.7. Вольт-амперная
	фотопроводимости от	характеристика
	интенсивности облучения	фотопроводимости

Величина фототока IФ зависит также от приложенного напряжения (рис.4.7). На участке 1 выполняется закон Ома, т.е. ток пропорционален напряжению. На участке 2 рост фототока замедляется, так как за время жизни между генерацией и рекомбинацией не все носители успевают достичь анода, дрейфуя под действием приложенного напряжения. При высоких значениях приложенного напряжения наступает насыщение (участок 3), т.е. все генерированные фотоносители участвуют в переносе тока. С ростом количества падающих фотонов растет число фотоносителей, поэтому кривая для Ф2 расположена выше, чем для Ф1 < Ф2.

4.4. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ

Зависимость удельной проводимости σ от напряженности внешнего электрического поля Е представлена на рис.4.8. Она обусловлена зависимостью подвижности и концентрации носителей от напряженности внешнего поля. В области слабых полей с ростом Е увеличивается скорость направленного движения носителей. В то же время увеличивается их рассеяние. Поэтому эти процессы могут компенсировать друг друга и σ слабо зависит от Е. В слабых полях фактически соблюдается закон Ома.

В сильных полях при Екр ~ (106...107) В/м начинают появляться избыточные носители за счет ударной ионизации, сначала с примесных уровней, а затем из узлов кристаллической решетки. Поэтому σ растет по экспоненциальному закону. С ростом температуры кривая смещается вверх, а наклон ее возрастающей части становится более пологим.

63