27

1.3.Теоретические вопросы к теме 1

1.1.Что лежит в основе упорядочения внутреннего строения кристаллов? Представить графические зависимости и объяснить.

1.2.Назвать основные свойства, отличающие кристаллические твёрдые тела от аморфных. Дать объяснения.

1.3.Объяснить основные свойства аморфных твёрдых тел.

1.4.Рассмотреть процессы стеклования. Чем определяется температура стеклования аморфного вещества?

1.5. Дать определение симметрии в кристаллах. Охарактеризовать виды симметрии.

1.6.Что описывают точечные группы симметрии? Перечислить элементы симметрии точечных групп и дать им определения.

1.7.Дать определение кристаллической решётки и элементарной ячейки кристалла. Какие правила определяют её выбор? Что общего и в чём различие между элементарнымиячейкамиструктурыкристаллаи егопространственнойрешётки?

1.8. Что такое сингония кристалла?

1.9.Дать определение решёткам Браве. Что они характеризуют?

1.10.Каким образом описывают кристаллическую структуру реальных кристаллов? Можно ли полностью описать структуру вещества, указав его структурный тип?

1.11.Дать классификацию дефектов в кристалле. Охарактеризовать влияние примесных дефектов на физические свойства кристаллов.

1.12.Дать определение дефектам по Шоттки и по Френкелю. Чем определяется концентрация собственных точечных дефектов в кристалле? Охарактеризовать их влияние на физические свойства материалов.

1.13.В чём заключается влияние структурных дефектов на механические и электрические свойства твёрдых тел?

1.14.Дать определения краевой и винтовой дислокациям, объяснить причины их образования.

1.15.Описать основные методы определения плотности дислокаций. Какая величина плотности дислокаций считается допустимой при произ-

28

водстве интегральных схем по кремниевой технологии?

1.16.Охарактеризовать влияние дислокаций на механические, электрические и тепловые свойства материалов.

1.17.Объяснить обозначение индексов Миллера [[hkl]], [hkl], (hkl), {hkl}, <hk1>. Привести примеры.

1.18.Что описывает закон Вульфа-Брэггов? Вывести формулу и привести рисунок для случая, когда порядок отражения n = 4.

1.19.Чем определяется число дифракционных максимумов на рентгенограмме кристалла? Сравнить количество интерференционных максимумов и их интенсивности в случаях простой решётки и сложной.

1.20.Какие факторы влияют на интенсивность интерференционных линий рентгенограммы сложных кристаллов?

1.21.Объяснить механизм и указать условия образования ионной связи. Чем обусловлены силы отталкивания?

1.22.Объяснить механизм и указать условия образования ковалентной связи. Чем обусловлены силы отталкивания?

1.23.Объяснить механизм и указать условия образования металлической связи. Чем обусловлены силы отталкивания?

1.24.Рассмотреть основные составляющие сил Ван-дер-Ваальса. Для каких веществ характерно установление молекулярной связи? Чем обусловлены силы отталкивания?

1.25.Охарактеризовать основные физические свойства ионных кристаллов.

1.26.Дать характеристику ковалентных кристаллов.

1.27.Дать объяснение характерных свойств металлических кристаллов.

1.28.Датьсравнительныйанализвидовхимическихсвязейвкристаллахпосиле связи, прочности, температуреплавления, направленностиинасыщенностисвязей.

1.29.Чем определяется координационное число в кристаллах с различными видами химических связей?

1.30.Охарактеризовать различия между монокристаллами, поликристаллами и аморфными веществами.