- •Курсовий проект з дисципліни «Основи наноелектроніки»
- •Завдання до курсової роботи з розділу «напівпровідникові приладові структури»
- •1.2 Зміст завдань
- •1.2.1 Завдання
- •1.2.2 Розрахунки:
- •Завдання до курсової роботи з розділу «технологія матеріалів для напівпровідникових приладових структур»
- •2.1 Синтез напівпровідникових матеріалів
- •2.1.1 Теоретичні відомості
- •2.1.2 Завдання
- •2.1.3 Розрахунки
- •2.2 Вирощування легованих напівпровідникових монокристалів
- •2.2.1 Теоретичні відомості
- •2.2.2 Завдання
- •3.1.2 Завдання
- •3.1.3 Розрахунки
- •3.2 Низькорозмірні системи
- •3.2.1 Двовимірний електронний газ
- •3.2.2 Завдання
- •3.2.3 Розрахунки
- •4 Конструкція та принципи роботи наноелектронних приладів Генератор на основі одно електронного транзистору
- •Висновок
- •Перелік джерел інформації
3.1.2 Завдання
Дві плівки метала на діелектрику складаються з острівців, розділених потенційними бар’єрами висотою Ф =2 еВ. Відстань між островками в першій плівці d1 = 20 Å, а в другій – d2 = 25 Å. У скільки разів електроопір R1 першої плівки відрізняється від електроопору R2 другої при однакових значеннях ефективних мас m* електронів, які тунелюють крізь потенційні бар’єри, і однакових напругах на плівках, якщо m* = 9,1∙10-31 кг?
3.1.3 Розрахунки
j = [e2E2/(162ћФ)]exp[-E0/E]
де E = V/d– електричне поле в діелектрику, а E0 = 4(2m)1/2(eФ)3/2/(3eћ)=
=
m = 9,1·10-31кг
e = -1,6·10-19Кл
ħ = 1,05·10-34Дж·с
U = 1 В
j1 =
j2 =
3.2 Низькорозмірні системи
3.2.1 Двовимірний електронний газ
Найбільш очевидним прикладом структур з двовимірним електронним газом є тонкі плівки. Наприклад, плівки Biбули першим матеріалом, де експериментально спостерігалися квантові розмірні ефекти в провідності. Такі плівки, що мають необхідну товщину, достатньо високу рухливість і хорошу якість поверхні, достатньо легко одержати методом вакуумного випаровування. Проте тонкі плівкине є кращим об'єктом для спостереження квантових ефектів. Причина в тому, що на поверхні напівпровідникової плівки існує висока щільність поверхневих станів, що грають роль центрів розсіяння. У інших матеріалах, зокрема в напівпровідниках, отримати тонкі плівки необхідної якості вельми складно. Тому для вивчення і використання квантових розмірних ефектів провідну рольграють кремнієвіМДН-структури (структури типу метал-діелектрик-напівпровідник), а також гетеропереходів які складаються з напівпровідників з різним значенням ширини забороненої зони та дуже близькими значеннями періоду кристалічних решіток.Квантові ями, які утворюються на границях гетеропереходів та в МДН-структурах можна наближено розглядати як прямокутні або трикутні (рис. 3.3).
а) б)
Ec – енергія дна зони провідності, Ev – енергія потолка валентної зони, Eg – ширина забороненої зони, EF–енергія Фермі, Eei–енергії електронних підзон, Ehi–енергії діркових підзон, U0e–глибина потенційної ями для електронів, U0h - глибина потенційної ями для дірок
Рисунок 3.3 – Схематичний вигляд квантових ям, які утворюються на границях гетеропереходів та в МДН-структурах
Такі ями обмежують рух електронів в одному з напрямків, що приводить до квантування енергії електронів в цьому напрямку. Для двовимірного електронного газу енергетичний спектр має вигляд:
Е=Еn +(px2+py2)/2m*, (3.6)
де px, py– компоненти імпульсу в площині шару,
Еn – енергія квантових рівнів.
Для прямокутної квантової ями енергія квантових рівнів визначається формулою
Еn =2ћ2n2/(2m*a2) (3.7)
Еm =2ћ2m2/(2m*a2) (3.8)
3.2.2 Завдання
Металева плівка складається з ізольованих острівців розміром L(a) = 4 нм= 4·10-9м. Вважаючи, що ефективна маса електрона в таких островках m* = m0 = 9,1∙10-31 кг, а острівціявляють собою глибокі прямокутні потенційні ями, розрахувати довжинуелектромагнітної хвилі λ, що випромінюється електронами при переходізn-ого(n = 4),енергетичного рівня в ямі на m-ий (m = 2).
Для розрахунку λ скористатися формулою: λ(мкм) = 1,24/Е(эВ), де Е = Еn – Еm, а Еm и Еn – значення енергіїелектрона на m-м іn-м рівнях в металевому острівці.