Висновок

З настанням нового тисячоліття почалася ера нанотехнології. Стрімкий розвиток комп'ютерної техніки, з одного боку, стимулюватиме дослідження в галузі нанотехнологій, з іншого боку, полегшить конструювання наномашин. Таким чином, нанотехнологія буде швидко розвиватися протягом наступних десятиліть. Базовими об’єктами наноелектроніки, яка зараз стрімко прискорює свій розвиток, є переважно приладові напівпровідникові структури з шарів, що мають різні електрофізичні характеристики і чергуються у одному з напрямків, та хоча б один з них має субмікронні розміри (наприклад, розмір у напрямку чергування – товщину). На основі зазначених приладових структур вже зараз існує багато виробів електронної техніки, котрі ключовим чином сприяють життєздатності й подальшому розвитку багатьох провідних галузей розвинутих країн. До таких виробів належать, наприклад, тиристори, транзистори, світлодіоди, напівпровідникові лазери, фотодіоди, фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії та інші. Їхні шарові структури утворюють один або декілька анізотипнихвипрямлювальнихгомо- чи гетеропереходів (p-n, n-p або p-n-p, n-p-n, p-n-p-n-…, n-p-n-p-…) та ізотипні переходи (p-p⁺, n-n⁺), котрі використовуються, наприклад, для спрощення технології виготовлення омічних контактів. Серед деяких зазначених виробів є різновиди з випрямлювальними переходами на основі бар’єрів Шоттки, що утворюються при контакті напівпровідникового шару р- чи n-типу провідності з металом, який підбирається для цього згідно зі спеціальними критеріями, існуючими у фізиці напівпровідників і напівпровідникових приладів . Але до складу й цих виробів зазвичай входить не менше двох спряжених напівпровідникових шарів для реалізації вищезгаданого ізотипного переходу. Таким чином, перелічені вище вироби сучасної електронної техніки і окремі елементи їхньої конструкції з субмікронною товщиною можуть бути безумовно вкрай цікавими об’єктами експериментального й теоретичного дослідження з точки зору мети, тематики та задач курсової роботи.

Перелік джерел інформації

1. Методичні вказівки до лабораторної роботи «Визначення фотоелектричних і діодних параметрів перетворювачів сонячної енергії з p-nпереходом за їх навантажувальною вольт-амперною характеристикою» з курсу «Фізичні методи дослідження електронних властивостей напівпровідникових композицій»  Уклад. В.Р. Копач, Г.С. Хрипунов. – Харків: ХПІ, 1993. – 12 с.

2. Пасинков В.В.Матеріали електронної техніки. М. - Вища школа, 1980.

3. Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований. П. ред. Роко М.К., Уильямс Р.С., Аливисатос П. М: Мир 2002. – 292с.

4. Маслов В.Н. Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов.

5. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники: Учебное пособие. М: Физматкнига, 2006. – 496с.

6. Ткалич В.Л., Макеева А.В., ОборинаЕ.Е.Физическиеосновынаноэлектроники: Учебное пособие. – Санкт-Петербург, 2011. – 88с.