раметра. Например, прикладывая положительное смещение на нижний затвор VGB и переводя таким образом нижний канал в ре-

жим инверсии, мы уменьшаем, что легко понять из соображений электронейтральности, пороговое напряжение для верхнего транзистора VTF . Напротив, аккумуляция основных носителей в базе на

нижней границе раздела приводит к увеличению порогового напряжения VTF .

Рис. 8.11. Типичные характеристики полностью обедненного n-канального КНИ МОПТ для случая аккумуляции (A), обеднения (D) или инверсии (I) на нижней границе раздела

Пороговое напряжение верхнего транзистора линейно уменьшается по мере увеличения VGB от режима аккумуляции до инверсии вблизи нижней границы раздела (глава 9).

8.9. Ультратонкие КНИ МОПТ

Уменьшение толщины кремниевого тела КНИ МОПТ (конечно, речь здесь идет только о полностью обедненных приборах) приводит к уменьшению подпорогового размаха (S-фактора) и соответственно, к уменьшению подпороговых токов утечки (рис. 8.12).

202

Рис. 8.12. Подпороговые токи утечки для ультратонких КНИ МОПТ

сразной толщиной базы

Сдругой стороны, подвижность носителей в канале с уменьшением толщины кремневой пленки заметно падает (рис. 8.13).

Рис. 8.13. Зависимости подвижности от прижимающего электрического поля для КНИ транзисторов с разной толщиной кремниевой базы

Это объясняется тем, что в очень тонких базах толщина кремниевой пленки становится сопоставимой с толщиной инверсионного слоя (порядка нескольких нанометров). Это означает, что транспорт носителей в канале носит по существу объемный характер, и появляется дополнительный механизм рассеяния на шероховато-

203