Лекция 5 Классификация и система обозначений

Цель обучающая:

1. Усвоение обучающимися знаний по теме урока.

Цель развивающая:

1. Развитие аналитического, синтезирующего и абстрактного мышления, умений применять знания на практике.

2. Развитие умений учебного труда, инициативы, уверенности в своих силах.

3. Развитие умений действовать самостоятельно.

Цель воспитательная

1. Стремиться воспитать чувство аккуратности.

2. Способствовать воспитанию чувства гордости за избранную профессию.

3. Умению управлять эмоциями, бережного отношения друг к другу.

Тип урока: Урок изучения нового материала и первичного закрепления

Средства обучения: Вербальные: голос, речь, учебная литература, проектор.

Ход урока

1. Организационный момент:

   1. Проверка состояния аудитории, внешнего вида студентов.

   2. Наличие бейджей, учебных принадлежностей: ручки, тетради.

   3. Присутствие студентов на занятии.

2. Опрос или тестирование.

3. Выдача нового материала:

   1. К

4. Закрепление.

5. Домашнее задание.

6. Итог урока (Рефлексия). Проверка выполнения работы. Выставление оценок.

Лабораторная работа №1 Снятие ВАХ диода по точкам

Лабораторная работа №2 Снятие ВАХ диода при помощи осциллографа

Лабораторная работа №3 Исследование полупроводникового стабилитрона

В зависимости от области применения полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы:

• выпрямительные,

• универсальные,

• импульсные,

• сверхвысокочастотные,

• стабилитроны,

• варикапы,

• туннельные,

• обращенные,

• фотодиоды,

• светоизлучающие диоды,

• генераторы шума,

• магнитодиоды.

По конструктивному исполнению полупроводниковые диоды делятся на плоскостные и точечные, а по технологии изготовления на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные (следует понимать, что существует множество разных подвидов этих технологий). В плоскостных диодах электрический переход имеет линейные размеры значительно большие толщины самого перехода. К точечным относят диоды, у которых размеры электрического перехода, определяющие его площадь, меньше толщины области объемного заряда. Такой диод образуется, например, в месте контакта небольшой пластины полупроводника и острия металлической пружины (точечно-контактные диоды).

В технологии изготовления диодов определяющей является методика внесения примесей в полупроводник, а также способ соединения кристалла полупроводника с металлическими контактами. Существует большое количество возможных форм исполнения самых разнообразных переходов, которые обладают множеством разнообразных свойств. Эти свойства могут использоваться для создания полупроводниковых диодов различного принципа действия и конструкции. Многие из таких диодов имеют свои исторически-сложившиеся названия, которые могут характеризовать конструкцию диода, физический эффект, определяющий характеристики диода, и т.д. (лавинно-пролетные диоды, туннельные диоды, диоды Шоттки, диоды Ганна, варакторы, диоды с накоплением заряда, ...).Часто эти группы диодов отличаются областью применения и/или маркировкой.

Основные характеристики и параметры диодов

Диод ДГ-Ц25. 1959 г.

• Вольт-амперная характеристика

• Постоянный обратный ток диода

• Постоянное обратное напряжение диода

• Постоянный прямой ток диода

• Диапазон частот диода

• Дифференциальное сопротивление

• Ёмкость

• Пробивное напряжение

• Максимально допустимая мощность

• Максимально допустимый постоянный прямой ток диода