Лекция 7 Варианты включения биполярных транзисторов. Основные характеристики.

Цель обучающая:

1. Усвоение обучающимися знаний по теме урока.

Цель развивающая:

1. Развитие аналитического, синтезирующего и абстрактного мышления, умений применять знания на практике.

2. Развитие умений учебного труда, инициативы, уверенности в своих силах.

3. Развитие умений действовать самостоятельно.

Цель воспитательная

1. Стремиться воспитать чувство аккуратности.

2. Способствовать воспитанию чувства гордости за избранную профессию.

3. Умению управлять эмоциями, бережного отношения друг к другу.

Тип урока: Урок изучения нового материала и первичного закрепления

Средства обучения: Вербальные: голос, речь, учебная литература, проектор.

Ход урока

1. Организационный момент:

   1. Проверка состояния аудитории, внешнего вида студентов.

   2. Наличие бейджей, учебных принадлежностей: ручки, тетради.

   3. Присутствие студентов на занятии.

2. Опрос или тестирование.

3. Выдача нового материала:

   1. Схема с общей базой.

   2. Входные и выходные характеристики схемы включения с общей базой

   3. Схема с общим эммитером

   4. Входные и выходные характеристики схемы включения с общим эмиттером.

   5. Инверсное включение транзистора.

4. Закрепление.

5. Домашнее задание.

6. Итог урока (Рефлексия). Проверка выполнения работы. Выставление оценок.

Схема с общей базой

Приведенная схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общей базой, так как база является общим электродом для источников напряжения.

Входной характеристикой называют зависимость от напряжения при заданном напряжении

Выходной характеристикой называют зависимость тока от напряжения при заданном напряжении

Схема с общим эмитером

Данная схема называется схемой с общим эмиттером, так как эмиттер является общим электродом для источников напряжения.

Для этой схемы входной характеристикой является зависимость тока от напряжения при заданном напряжении

Выходной характеристикой называют зависимость тока от напряжения при заданном напряжении

Инверсное включение транзистора

Иногда транзистор работает в таком режиме, что коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмитерный - в обратном. При этом коллектор играет роль эмиттера, а эмиттер – коллектора. Это называется инверсным режимом включения

Лекция 8 Полевые транзисторы. Устройство, типы, обозначения.

Цель обучающая:

1. Усвоение обучающимися знаний по теме урока.

Цель развивающая:

1. Развитие аналитического, синтезирующего и абстрактного мышления, умений применять знания на практике.

2. Развитие умений учебного труда, инициативы, уверенности в своих силах.

3. Развитие умений действовать самостоятельно.

Цель воспитательная

1. Стремиться воспитать чувство аккуратности.

2. Способствовать воспитанию чувства гордости за избранную профессию.

3. Умению управлять эмоциями, бережного отношения друг к другу.

Тип урока: Урок изучения нового материала и первичного закрепления

Средства обучения: Вербальные: голос, речь, учебная литература, проектор.

Ход урока

1. Организационный момент:

   1. Проверка состояния аудитории, внешнего вида студентов.

   2. Наличие бейджей, учебных принадлежностей: ручки, тетради.

   3. Присутствие студентов на занятии.

2. Опрос или тестирование.

3. Выдача нового материала:

   1. Фотоэлектрические датчики: назначение, основные параметры.

4. Закрепление.

5. Домашнее задание.

6. Итог урока (Рефлексия). Проверка выполнения работы. Выставление оценок.

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.(в биполярных выходным ток управляется входным током)

Различают два типа полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором.

Устройство полевого транзистора

Рисунок Схематическое изображение структуры полевого транзистора с управляющим переходом и каналом p-типа.

Условное графическое изображение:

А) Б)

Стрелка указывает направление от слоя p к слою n (как и стрелка в изображении эмиттера биполярного транзистора). В интегральных микросхемах линейные размеры транзистора могут быть меньше 1мкм.

Удельное сопротивление слоя n (затвора) намного меньше слоя p (канала), поэтому область p-n перехода, обедненная подвижными носителями заряда и имеющая очень большое удельное сопротивление, расположена главным образом в слое p.

Если типы проводимости слоев полупроводника в рассмотренном транзисторе изменить на противоположные, то получим полевой транзистор с управляющим p-n переходом и каналом n-типа (условное изображение на рисунке б )

Подадим положительное напряжение между затвором и истоком транзистора с каналом p-типа. Оно сместит p-n переход в обратном направлении.

При увеличении обратного напряжения на p-n переходе он расширяется в основном за счет канала. Увеличение ширины p-n перехода уменьшает толщину канала, и следовательно, увеличивает его сопротивление. Это приводит к уменьшению тока между истоком и стоком. Именно это явление позволяет управлять током с помощью напряжения и соответствующему ему электрического поля. Если напряжение истока-достаточно велико и равно напряжению, канал полностью перекрывается областьюp-n перехода.

В рабочем (неаварийном) режиме p-n переход должен находится под обратным или нулевым напряжением. Поэтому в рабочем режиме ток затвора равен нулю , а ток стокапримерно равен току истока