X. Укажите, какие из данных утверждений являются верными (т).

1. The conductive properties of semiconductors may be modified.

2. A donor atom takes weakly – bound valence electrons off the material.

3. In silicon, the most common dopants are group 13 and group 15 elements.

4. The concentration of dopant introduced to an intrinsic semiconductor determines its electric properties.

5. Doped semiconductors have conductivity levels comparable to metals.

XI. Выберите правильные ответы на вопросы.

1. How is the process of introduction impurities into the crystal lattice of semiconductors called?

a) Etching;

b) Doping;

c) Oxidation.

2. What does the choice of materials as dopants depend on?

a) The atomic properties;

b) The electric properties;

3. The weight of materials.

3. What is the most important factor that doping directly affects?

a) The temperature of the material;

b) The presence of an electric field in the material;

c) Material’s carrier concentration.

XII. Прочитайте предложения. Выберите и запишите правильный вариант их перевода.

1. The materials chosen as suitable dopants depend on the atomic properties of both the dopant and the material to be doped.

a) Выбор подходящего для легирования материала зависит от атомных свойств как примеси, так и легируемого материала.

b) Материалы в качестве легирующих зависит от атомных свойств обоих материалов: и примеси, и легируемого.

c) Выбор подходящих для легирования материалов зависит как от примесного, так и легируемого материалов.

2. Therefore, a silicon crystal chopped with boron creates a p-type semiconductor, whereas one doped with phosphorus result in n-type material.

a) Таким образом, кристалл кремния, легируемый бором создает полупроводник р-типа, а он же, легируемый фосфором, создает материал n-типа.

b) Таким образом, кристалл кремния, легируемый бором создает р-тип полупроводника, в то время , как он, легируемый фосфором, результирует в n-тип материала.

c) Таким образом, в результате легирования бором кристалла кремния создается полупроводник р-типа, а он же, легируемый фосфором, создает материал n-типа.

3. It is useful to note that even degenerate levels of doping imply low concentrations of impurities with respect to the base semiconductor.

a) Следует отметить, что даже высокие степени легирования подразумевают низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику.

b) Следует отметить, что даже высокие степени легирования предполагают низкие концентрации примесей по отношению к основному полупроводнику.

c) Следует отметить, что даже высокие уровни легирования предполагают низкие концентрации примесей по отношению к базовому полупроводнику.

XII. Переведите письменно абзацы 1-3 текста.

Контрольная работа №4 Вариант 1

I. Перепишите следующие предложения. Определите, является ли подчеркнутая форма инфинитивом, причастием или герундием. Переведите письменно предложения на русский язык.

Example: The falling water has kinetic energy. Falling – Причастие I. Падающая вода обладает кинетической энергией.

1. To recognize a substance it isn’t necessary to examine all its properties.

2. Instead of writing a letter on a paper, addressing it and putting it in the post, you generate it on your PC and send it over your computer network.

3. Matter losing its chemical properties in such a kind of test was unusual.

4. The ions enter the area of the electric poles where they become trapped.

5. The disk was whirled around by a motor, causing strips of the object to be exposed.

6. These elements are known to have been found 20 years ago.