Для постійного електричного поля розраховується за формулою

t_доп(60/Е_р)², (1.10)

де Е_р – реальна напруженість електричного поля, кВ/м;

для електричного поля промислової частоти

t_доп(50/Е_р) – 2, (1.11)

для магнітного поля промислової частоти, хв.

Нexp(5 – Нр)/0,625), (1.12)

де Н_р – реальна напруженість магнітного поля, кА/м.

В діапазоні частот 60 кГц...300МГц:

t_допЕ_допТ/Е_ф, (1.13)

t_допН_допТ/Н_ф, (1.14)

де Е_доп, Н_доп – гранично допустимі напруженості електричної і магнітної складових ЕМП (табл. 1.5), Т – час опромінення, год. (виробнича сфера Т=8 год), Е_ф, Н_ф – фактичні напруженості електричної і магнітної складових ЕМП (не повинні перевищувати допустимі рівні).

В діапазоні частот 300Мгц...300ГГц:

t_доп ЕН_ГДР/ГПЕ_ф, (1.15)

де ЕН_ГДР – нормативна величина енергетичного навантаження (для обертових і скануючих антен з частотою сканування менше 1 Гц та скажністю більше 50 Гц ­– 20 Втгод/м², для всіх інших випадків – 2 Втгод/м²), ГПЕ_ф – фактичний рівень ГПЕ, Вт/м².

Для ВЧ–пічі: Е_доп20 В/м, Н5 А/м; для робочих місць з УВЧ: Е5 В/м. При відомій Е_доп (ВЧ, УВЧ) можна розрахувати Н_доп:

Н_доп=1,2710⁵ (Е_доп/rf) (1.16)

де r – відстань від джерела ЕМП, м; f – частота, Гц.

Напруженість Е в будь-якій точці:

Е=q/2⁰r (1.17)

де q–густина заряду, Кл/м; ⁰ – електрична стала, Ф/м, ⁰=8,8510^–12; відстань від джерела, м.

При f=50 Гц, U=127...220 В рівні Е, Н не нормуються, хоча біологічно безпечна Е=0,2 В/м. При високих Е (5 кВ/м), f=50 Гц, виникають небезпечні зони (зони впливу), з R=20м – при U=400...500 кВ і R=30м – при U=750 кВ. В тілі людини індукуються струми (І_доп=50...60 мкА, що відповідає Е=5 кВ/м).

При наявності ЕМП різних частот, Е, Н, ГПЕ:

[(Н_і/Н_доп)² + (Е_і/Е_доп)² + (ГПЕ_і/ГПЕ_доп)]1 (1.18)

Таблиця 1.5 – Гранично допустимі напруженості електричної і магнітної складових ЕМП (ГОСТ 12.1.006–84)

Частота, МГц	Допустима напруженість
	Е, В/м	Н,А/м
0,06...1,5	50	5
1,5...3	50	–
3...30	20	–
30...50	10	0,3
50...300	5	­–

На відстані, яка дорівнює довжині хвилі, ЕМП в провідному середовищі фактично повністю затухає, тому для ефективного екранування товщина стінки екрана повинна приблизно дорівнювати довжині хвилі в металі. Оцінити необхідну товщину суцільного екрану  (мм) можливо за формулою:

=65е/(f_а)^0,5, (1.19)

де е – необхідне послаблення випромінювання екраном, дБ; f – частота, Гц; _а – абсолютна магнітна проникність металу екрану, Гн/м (для алюмінію – 410^–7 Гн/м, сталі – 7,210^–5 Гн/м);  - провідність металу екрану, См/м (для алюмінію – 3,5410⁷ См/м, сталі – 110⁷ См/м).