- •Глава 1
- •Глава 2
- •2.1 Идеальная вольт-амперная характеристика диода
- •2.2 Результаты изучения вах идеального диода
- •2.3 Отличие реальной вах диода от идеальной
- •2.3.1 Прямое включение (прямая ветвь)
- •2.3.2 Обратное включение (обратная ветвь)
- •2.4 Туннельный пробой
- •2.5 Лавинный пробой
- •2.6 Тепловой пробой
- •2.7 Ёмкости p-n-перехода
- •2.8 Разновидности диодов
- •2.8.1 Выпрямительные диоды
- •2.8.2 Импульсные диоды
- •2.8.3 Диоды с выпрямляющим контактом металл-полупроводник (диоды Шотки)
- •2.8.4 Стабилитроны и стабисторы
- •2.8.5 Варикапы
- •2.8.6 Туннельные диоды
- •2.8.7 Обращённые диоды
- •2.9 Маркировка диодов
- •Глава 3
- •3.1 Основные схемы включения транзисторов
- •3.2 Распределение потока носителей заряда в биполярном транзисторе
- •3.2.1 Активный режим работы
- •3.2.2 Режим насыщения
- •3.2.3 Режим отсечки
- •3.3 Статические характеристики транзистора
- •3.3.1 Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой
- •3.3.2 Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером
- •3.3.3 Отличия статических характеристик транзисторов в схеме с об от статических характеристик транзисторов в схеме с оэ
- •3.4 Пробой в транзисторе
- •3.5 Зависимость коэффициента усиления от режима работы транзистора
- •3.6 Малосигнальные параметры транзисторов (система “h-параметров”)
- •3.7 Частотные характеристики
- •3.9 Работа на импульс по схеме с оэ Этот пункт предназначен для домашнего рассмотрения.
- •Глава 4
- •4.1 Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •4.1.1 Принцип действия полевого транзистора с p-n-переходом
- •4.1.2 Статические характеристики полевого транзистора с p-n-переходом
- •4.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •4.2.1 Принцип действия транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •4.2.2 Статические характеристики транзистора с изолированным затвором
- •4.2.3 Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом
- •4.3 Полевые транзисторы со статической индукцией (сит)
- •4.4 Частотные свойства полевых транзисторов
- •4.5 Работа полевых транзисторов на прямоугольный импульс
- •4.6 Полупроводниковые приборы с зарядовой связью
- •4.6.1 Основные характеристики (параметры) приборов с зарядовой связью
- •4.6.2 Разновидности приборов с зарядовой связью
- •Глава 5
- •5.1 Динистор
- •5.2 Тиристор с управляющим электродом (тринистор)
- •5.3 Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.4 Способы переключения. Процесс включения тиристора
- •5.5 Основные параметры и конструкция тиристоров
- •5.6 Icbt-транзисторы
- •Глава 6
- •6.1 Полупроводниковые приёмники излучения
- •6.1.1 Фоторезисторы
- •6.1.2 Фотодиоды
- •6.1.2.1 Спектральная характеристика фотодиодов
- •6.1.2.2 Фотодиоды на основе контакта металл-полупроводник
- •6.1.2.3 Фотодиоды на основе гетероперехода
- •6.1.3 Полупроводниковые фотоэлементы
- •6.1.4 Фототранзисторы
- •6.1.5 Фототиристоры
- •6.2 Полупроводниковые излучатели света
- •6.2.1 Светодиоды
- •6.2.1.1 Параметры светодиодов
- •6.2.1.2 Кпд или эффективность светодиодов
- •6.2.2 Полупроводниковые лазеры
- •6.2.2.1 Конструкция и принцип действия инжекционного лазера
- •6.2.2.2 Структура полупроводникового лазера
- •6.2.2.3 Основные отличия
- •6.2.3 Электролюминесцентные порошковые излучатели
- •6.2.4 Плёночные люминесцентные излучатели
- •6.3 Оптоэлектронные приборы
- •6.3.1 Оптроны
- •6.3.2 Варисторы
4.5 Работа полевых транзисторов на прямоугольный импульс
В момент подаём импульс. Черезt = происходит включение. Идёт формирование фронта от уровня 0,1 до 0,9. Момент времени- выключение.
иопределяются только временем перезарядки соответствующих ёмкостей.
В настоящее время полевые транзисторы позволяют получать длительность фронтов в единицах наносекунд, а сопротивление в выключенном состоянии ПТ может составлять тысячные доли Ома.
4.6 Полупроводниковые приборы с зарядовой связью
Прибор с зарядовой связью (ПЗС) – это полупроводниковый прибор, в котором используется эффект накопления неосновных носителей заряда под электродами МДП- структур и перемещения этих носителей от одного электрода к другому.
Принцип действия ПЗС рассмотрим на примере трёхтактной схемы сдвигового растра:
карманы (один – U, второй – С).
Имеется несколько групп изолированных затворов. 1-й затвор – у входа рядом с . Остальные разбиты на три группы.
Рассмотрим диаграмму работы (запись “1” и “0”):
В трёхтактных ПЗС на группу управляющих электродов подают напряжения, создающие потенциальные ямы, которые в свою очередь создают переход носителей заряда от входа к выходу.
Чередование уровней этих напряжений во времени выбирается таким, чтобы обеспечить перенос заряда от входного электрода истока к выходному электроду истоку. При этом, меняя уровень на входном электроде , можно регулировать величину переносимого заряда.
Для записи информации ПЗС на электрод подают напряжение, больше порогового. Если в данный момент времени перенос осуществлять не нужно, то наподают напряжение, ниже порогового. Одновременно с этим на первую группу электродов подаётся максимальное напряжение. В результате заряд сU через электрод может перетечь в потенциальную яму, расположенную под первым затвором. Аналогично под всеми первыми затворами образуется потенциальная яма. Если в рядом расположенных областях есть заряды, то они будут перетекать в эту потенциальную яму. В следующем такте на первую группу подают удерживающее напряжение, ниже порогового по абсолютной величине, но меньше максимально возможного. На вторую группу подают максимальное отрицательное напряжение, следовательно, потенциальная яма возникает под второй группой затворов. Для исключения дальнейшего перемещения заряда на третью группу подают напряжение, ниже порогового. В следующем такте потенциальная яма образуется под третье группой затворов и т. д.
4.6.1 Основные характеристики (параметры) приборов с зарядовой связью
ПЗС могут работать только в динамическом режиме. Если мы попытаемся хранить информацию, зафиксировав потенциалы на группах управляющих электродов, то накопленный заряд будет постепенно исчезать за счёт процессов рекомбинации. Кроме того, в пустых потенциальных ямах за счёт генерации носителей могут накапливаться заряды. В результате заряд во всех потенциальных ямах выровняется, а мы потеряем информацию. ПЗС – среднечастотный прибор, поэтому ещё не будет наблюдаться изменение количества носителей заряда в соответствующих потенциальных ямах.
Нижний предел – 1,0 – 100 кГц.
Если изменять напряжение на соответствующих электродах, то будет использоваться очень высокая частота, но заряд не успеет перетечь в соответствующую область, а может быть даже такое, что не образуется потенциальная яма, т. к. нужна перезарядка определённых ёмкостей.
Предельные верхние частоты работы ПЗС составляют: 1-100 МГц.