- •Глава 1
- •Глава 2
- •2.1 Идеальная вольт-амперная характеристика диода
- •2.2 Результаты изучения вах идеального диода
- •2.3 Отличие реальной вах диода от идеальной
- •2.3.1 Прямое включение (прямая ветвь)
- •2.3.2 Обратное включение (обратная ветвь)
- •2.4 Туннельный пробой
- •2.5 Лавинный пробой
- •2.6 Тепловой пробой
- •2.7 Ёмкости p-n-перехода
- •2.8 Разновидности диодов
- •2.8.1 Выпрямительные диоды
- •2.8.2 Импульсные диоды
- •2.8.3 Диоды с выпрямляющим контактом металл-полупроводник (диоды Шотки)
- •2.8.4 Стабилитроны и стабисторы
- •2.8.5 Варикапы
- •2.8.6 Туннельные диоды
- •2.8.7 Обращённые диоды
- •2.9 Маркировка диодов
- •Глава 3
- •3.1 Основные схемы включения транзисторов
- •3.2 Распределение потока носителей заряда в биполярном транзисторе
- •3.2.1 Активный режим работы
- •3.2.2 Режим насыщения
- •3.2.3 Режим отсечки
- •3.3 Статические характеристики транзистора
- •3.3.1 Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой
- •3.3.2 Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером
- •3.3.3 Отличия статических характеристик транзисторов в схеме с об от статических характеристик транзисторов в схеме с оэ
- •3.4 Пробой в транзисторе
- •3.5 Зависимость коэффициента усиления от режима работы транзистора
- •3.6 Малосигнальные параметры транзисторов (система “h-параметров”)
- •3.7 Частотные характеристики
- •3.9 Работа на импульс по схеме с оэ Этот пункт предназначен для домашнего рассмотрения.
- •Глава 4
- •4.1 Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •4.1.1 Принцип действия полевого транзистора с p-n-переходом
- •4.1.2 Статические характеристики полевого транзистора с p-n-переходом
- •4.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •4.2.1 Принцип действия транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •4.2.2 Статические характеристики транзистора с изолированным затвором
- •4.2.3 Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом
- •4.3 Полевые транзисторы со статической индукцией (сит)
- •4.4 Частотные свойства полевых транзисторов
- •4.5 Работа полевых транзисторов на прямоугольный импульс
- •4.6 Полупроводниковые приборы с зарядовой связью
- •4.6.1 Основные характеристики (параметры) приборов с зарядовой связью
- •4.6.2 Разновидности приборов с зарядовой связью
- •Глава 5
- •5.1 Динистор
- •5.2 Тиристор с управляющим электродом (тринистор)
- •5.3 Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.4 Способы переключения. Процесс включения тиристора
- •5.5 Основные параметры и конструкция тиристоров
- •5.6 Icbt-транзисторы
- •Глава 6
- •6.1 Полупроводниковые приёмники излучения
- •6.1.1 Фоторезисторы
- •6.1.2 Фотодиоды
- •6.1.2.1 Спектральная характеристика фотодиодов
- •6.1.2.2 Фотодиоды на основе контакта металл-полупроводник
- •6.1.2.3 Фотодиоды на основе гетероперехода
- •6.1.3 Полупроводниковые фотоэлементы
- •6.1.4 Фототранзисторы
- •6.1.5 Фототиристоры
- •6.2 Полупроводниковые излучатели света
- •6.2.1 Светодиоды
- •6.2.1.1 Параметры светодиодов
- •6.2.1.2 Кпд или эффективность светодиодов
- •6.2.2 Полупроводниковые лазеры
- •6.2.2.1 Конструкция и принцип действия инжекционного лазера
- •6.2.2.2 Структура полупроводникового лазера
- •6.2.2.3 Основные отличия
- •6.2.3 Электролюминесцентные порошковые излучатели
- •6.2.4 Плёночные люминесцентные излучатели
- •6.3 Оптоэлектронные приборы
- •6.3.1 Оптроны
- •6.3.2 Варисторы
2.8.3 Диоды с выпрямляющим контактом металл-полупроводник (диоды Шотки)
В зависимости от соотношения металла-полупроводника в зоне контакта можно получить три основных вида контактов:
1. Выпрямляющий контакт. На границе металл-полупроводник возникает зона, обеднённая носителями заряда.
2. Омический контакт. В зоне контакта возникает участок, обогащённый носителями заряда.
3. Контакт с инверсным слоем. Работы выхода в металле и полупроводнике существенно отличаются.
Диод с барьером Шотки обладает малым прямым падением напряжения, порядка 0,4 – 0,6 В.
Обратное напряжение достаточно мало, порядка 100-120 В.
У диодов Шотки не наблюдается накопление неосновных носителей заряда. По этой причине они имеют очень малое время восстановления.
Диоды Шотки являются как выпрямляющими, так и импульсными идеальными диодами.
К недостаткам диодов Шотки следует отнести большой обратный ток, который на один или два порядка больше, чем у обычных кремниевых диодов.
У диодов Шотки тонкий p-n-переход, что очень важно.
2.8.4 Стабилитроны и стабисторы
Стабилитроны – устройства, предназначенные для получения стабильных (опорных) напряжений. Это полупроводниковые диоды, напряжения на которых в области электрического пробоя слабо зависят от тока.
В стабилитронах используется явление электрического пробоя. В низковольтных (высоколегированных примесью) стабилитронах (U порядка 3..7 В) используется туннельный пробой, в высокоомных (U > 9 В) – лавинный пробой.
Для изготовления стабилитронов используется кремний.
Существуют стабилитроны, предназначенные для ограничения сигналов.
Стабилизацию низковольтного напряжения можно получить при использовании прямой ветви ВАХ кремниевых диодов, называемых стабисторами. Для получения стабисторов включают последовательно p-n-переходы. U = 0,7 – 2,2 В.
Существуют т. н. прецизионные (от англ. “precision” – точность) стабилитроны. Основное требование, предъявляемое к этим стабилитронам – стабильность их параметров. Их часто называют термостабильными.
Стабилитроны рассчитаны на напряжение стабилизации U = 9 В. Чаще всего используется лавинный пробой. С ростом температуры напряжение при лавинном пробое увеличивается. Для компенсации включаются дополнительные прямые диоды.
U = const.
К основным параметрам относят напряжение стабилизации, максимальный ток стабилизации и минимальный ток стабилизации. Есть ещё динамическое сопротивление.
=. (2.12)
Зависимость от температуры. Температурный коэффициент стабилитрона в %.
Лучшие стабилитроны: =.
При пробое стабилитроны создают достаточно большой шум.
В реальных схемах для получения стабильного напряжения стабисторы шунтируют конденсаторами.
2.8.5 Варикапы
Варикапы – приборы, в которых используется эффект изменения барьерной ёмкости при изменении обратного напряжения.
Варикапы перестраиваются с изменением обратного напряжения (например, в телевизорах).
2В, КВ – обозначения.
Важным параметром варикапа является коэффициент перекрытия ёмкости .
=. (2.13)
Чем больше , тем лучше прибор.
1 < <30.
− паразитное сопротивление p-n-перехода;
− сопротивление базы;
− барьерная ёмкость.
стараются уменьшать.
=− тангенс угла потерь. (2.14)