- •Глава 1
- •Глава 2
- •2.1 Идеальная вольт-амперная характеристика диода
- •2.2 Результаты изучения вах идеального диода
- •2.3 Отличие реальной вах диода от идеальной
- •2.3.1 Прямое включение (прямая ветвь)
- •2.3.2 Обратное включение (обратная ветвь)
- •2.4 Туннельный пробой
- •2.5 Лавинный пробой
- •2.6 Тепловой пробой
- •2.7 Ёмкости p-n-перехода
- •2.8 Разновидности диодов
- •2.8.1 Выпрямительные диоды
- •2.8.2 Импульсные диоды
- •2.8.3 Диоды с выпрямляющим контактом металл-полупроводник (диоды Шотки)
- •2.8.4 Стабилитроны и стабисторы
- •2.8.5 Варикапы
- •2.8.6 Туннельные диоды
- •2.8.7 Обращённые диоды
- •2.9 Маркировка диодов
- •Глава 3
- •3.1 Основные схемы включения транзисторов
- •3.2 Распределение потока носителей заряда в биполярном транзисторе
- •3.2.1 Активный режим работы
- •3.2.2 Режим насыщения
- •3.2.3 Режим отсечки
- •3.3 Статические характеристики транзистора
- •3.3.1 Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой
- •3.3.2 Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером
- •3.3.3 Отличия статических характеристик транзисторов в схеме с об от статических характеристик транзисторов в схеме с оэ
- •3.4 Пробой в транзисторе
- •3.5 Зависимость коэффициента усиления от режима работы транзистора
- •3.6 Малосигнальные параметры транзисторов (система “h-параметров”)
- •3.7 Частотные характеристики
- •3.9 Работа на импульс по схеме с оэ Этот пункт предназначен для домашнего рассмотрения.
- •Глава 4
- •4.1 Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •4.1.1 Принцип действия полевого транзистора с p-n-переходом
- •4.1.2 Статические характеристики полевого транзистора с p-n-переходом
- •4.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп-транзисторы)
- •4.2.1 Принцип действия транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом
- •4.2.2 Статические характеристики транзистора с изолированным затвором
- •4.2.3 Полевой транзистор с изолированным затвором и встроенным каналом
- •4.3 Полевые транзисторы со статической индукцией (сит)
- •4.4 Частотные свойства полевых транзисторов
- •4.5 Работа полевых транзисторов на прямоугольный импульс
- •4.6 Полупроводниковые приборы с зарядовой связью
- •4.6.1 Основные характеристики (параметры) приборов с зарядовой связью
- •4.6.2 Разновидности приборов с зарядовой связью
- •Глава 5
- •5.1 Динистор
- •5.2 Тиристор с управляющим электродом (тринистор)
- •5.3 Симметричные тиристоры (симисторы)
- •5.4 Способы переключения. Процесс включения тиристора
- •5.5 Основные параметры и конструкция тиристоров
- •5.6 Icbt-транзисторы
- •Глава 6
- •6.1 Полупроводниковые приёмники излучения
- •6.1.1 Фоторезисторы
- •6.1.2 Фотодиоды
- •6.1.2.1 Спектральная характеристика фотодиодов
- •6.1.2.2 Фотодиоды на основе контакта металл-полупроводник
- •6.1.2.3 Фотодиоды на основе гетероперехода
- •6.1.3 Полупроводниковые фотоэлементы
- •6.1.4 Фототранзисторы
- •6.1.5 Фототиристоры
- •6.2 Полупроводниковые излучатели света
- •6.2.1 Светодиоды
- •6.2.1.1 Параметры светодиодов
- •6.2.1.2 Кпд или эффективность светодиодов
- •6.2.2 Полупроводниковые лазеры
- •6.2.2.1 Конструкция и принцип действия инжекционного лазера
- •6.2.2.2 Структура полупроводникового лазера
- •6.2.2.3 Основные отличия
- •6.2.3 Электролюминесцентные порошковые излучатели
- •6.2.4 Плёночные люминесцентные излучатели
- •6.3 Оптоэлектронные приборы
- •6.3.1 Оптроны
- •6.3.2 Варисторы
6.3.2 Варисторы
Варисторы – полупроводниковые резисторы, сопротивление которых зависит от приложенного напряжения.
ВАХ варисторов существенно нелинейная.
Варисторы широко используют в схемах защиты электронного оборудования от перенапряжения.
Варисторы изготавливаются по методам керамической технологии: методам высокотемпературного обжига заготовок из порошкообразного материала с наполнителем керамического материала.
В качестве полупроводника используется карбид кремния, а наполнитель – обычная глина.
Нелинейность ВАХ объясняется явлением на точечных контактах между кристаллами карбида кремния и увеличением в сильных электрических полях проводимости поверхностных потенциальных барьеров между кристаллами. Происходит интенсивное тепловыделение на этих участках.
При больших напряжениях на варисторе в последнем выделяется большая мощность, особенно на точечных контактах. Их разогрев приводит к закороченному состоянию. Варистор приобретает очень низкое сопротивление. Благодаря керамике разогрев не страшен.
Варистор обладает очень маленькой постоянной времени срабатывания: =секунды.
Характеристики варистора:
1. Коэффициент нелинейности варистора.
Это отношение статического сопротивления R к динамическому сопротивлению r:
. (6.6)
Часто приводится ток при пороговом напряжении.