3.2.2 Режим насыщения

При работе в режиме насыщения и коллекторный, и эмиттерный переходы открыты. В результате инжекция идёт двумя потоками. Суммарный ток через транзистор – это разность между потоками.

В результате в базе происходит активное накопление неосновных носителей заряда.

Ток базы может быть сравним с током эмиттера, может быть и больше.

Этот режим неуправляемый.

3.2.3 Режим отсечки

Оба p-n-перехода закрыты (обратное напряжение). Через p-n-переходы будет протекать ток, равный тепловой составляющей тока через p-n-переход. При больших обратных напряжениях может возникнуть пробой. Т. к. зона эмиттера легирована меньше, чем зона коллектора, то напряжение пробоя эмиттерного перехода меньше, чем коллекторного.

3.3 Статические характеристики транзистора

Если обозначить входные напряжения и токи через и, а выходные − черези, то взаимное влияние этих четырёх величин друг на друга можно выразить 24-мя семействами характеристик. Причём их можно отнести к шести различным системам. Из четырёх возможных характеристик каждой системы две являются основными, а две другие – вспомогательными.

К основным характеристикам относят семейство входных характеристик (зависимость между входными величинами при разных фиксированных выходных величинах) и семейство выходных характеристик.

Вспомогательные характеристики − характеристики прямой передачи, связывающие выходные напряжения и токи с входными.

Характеристика обратной ветви показывает, как влияют выходные напряжения и токи на входные.

Семейство основных входных характеристик для транзистора:

= |.

Семейство основных выходных характеристик для транзистора:

= |.

Вспомогательные характеристики для транзистора:

= |;

= |.

3.3.1 Статические характеристики транзисторов в схеме с общей базой

Входные характеристики: = |.

|''| > |'|.

Увеличение напряжения на коллекторе должно привести к увеличению тока на эмиттере.

При нулевом напряжении на эмиттере и 0 через переход будет протекать ток. Этот ток возникает за счёт изменения концентрации носителей заряда в области базы.

Выходные характеристики:

= |.

Это характеристики обратно смещённого p-n-перехода.

При увеличении эмиттерного тока будет увеличиваться ток коллектора.

0 < ' < '' < '''.

Характеристика прямой передачи – это зависимость = |.

= .

Коэффициент зависит как от тока эмиттера или коллектора, так и от напряжения на коллекторе.

При увеличении толщина коллекторного перехода растёт, что влечёт за собой уменьшениеи увеличение.

Характеристика обратной связи – это зависимость =|.

' < '' < '''.

3.3.2 Статические характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером

= |.

Выходные характеристики в схеме с общим эмиттером:

''' > '' > '.

3.3.3 Отличия статических характеристик транзисторов в схеме с об от статических характеристик транзисторов в схеме с оэ

1. Характеристики в активной области идут с большим наклоном, чем в схеме с общей базой. Больший наклон объясняется тем, что при постоянном токе базы и напряжении на коллекторе происходит увеличение тока эмиттера, а соответственно и тока коллектора.

2. Характеристики в активной области идут более неравномерно, чем в схеме с общей базой. Это связано с сильной зависимостью коэффициента усиления от тока базы.

> .

3. Характеристика передачи тока: = |.

'' > '.

По сравнению с ОБ эта характеристика имеет большую неравномерность. Эти характеристики более чувствительны к изменению коллекторного напряжения.

4. Характеристика обратной связи: = .

''' > '' > '.