Параметры транзистора:

1) Статический коэффициент усиления по току в схеме с ОБ

=Iкр/Iэ (12.17)

Обычно =0,9–0,99.

Статический коэффициент усиления по току в схеме о ОЭ имеет другое выражение. Его можно получить из соотношения Iк=Iэ+Iко, если подставить в него выражениеIэ=Iб+Iк. ТогдаIк=(Iб+Iк)+Iко, откуда:

Iк=(/(1–))Iб+Iко/(1–), (12.18)

или

Iк=Iб+Iкоэ, (12.19)

=/(1–), (12.20)

где =/(1–)статический коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ, выраженный через .

Из уравнения (12.9) можно установить, что схема с ОЭ обладает большим усилением по току. Например, если=0,985, то=66.

Обратный ток коллекторного перехода в схеме с ОЭ.

Iкоэ=Iко/(1–)=(1+)Iко (12.21)

Коэффициенты иявляются важнейшими параметрами транзисторов. Их часто называют коэффициентами передачи тока эмиттера()и тока базы().

2) Коэффициент обратной связи по напряжению. В схеме с ОБ он равен

=Uэб/Uкб , (12.22)

в схеме с ОЭ

=Uбэ/Uкэ, (12.23)

где Uэб, Uбэ, Uкб, Uкэ – соответственно приращения напряжений эмиттера, базы и коллектора.

3) Входное сопротивление. В схеме с ОБ равно:

Rвхб=Uэв/Iэ,(12.23)

в схеме с ОЭ

Rвхэ=Uбэ/Iб , (12.24)

где IэиIб– соответственно приращения тока эмиттера и тока базы.

4) Выходное сопротивление. В схеме с ОБ равно

Rвыхб=Uкб/Iк, (12.25)

в схеме с ОЭ

Rвыхэ=Uкэ/Iк (12.26)

На рис. 12-17 показаны входные и выходные статические характеристики транзистора, включённого по схемам ОБ и ОЭ

Рис. 12-17. Входные (а,б) и выходные (в,г) статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ (а,в) и по схеме с ОЭ (б,г)

Схемы замещения транзисторов типа p-n-p

Схемы замещения транзисторов строят на той основе, что эммиттерный переход имеет сопротивление до десятков Ом, коллекторный переход имеет сопротивление до сотни килоОм, область базы имеет сопротивление до сотен Ом.

Рис. 12-18. Схема замещения транзистора p-n-p, включенного по схеме с ОБ.

В схеме ОБ (рис.12-18) входное напряжение равно сумме падений напряжений на сопротивлениях Rэ и Rб при прохождении по ним токов, соответственно эмиттерного и тока базы. Как показывают расчёты, по приведённой схеме, Rвхб совпадает с расчётами Rвхб=Uэб/Iэ десяткам Ом.

Аналогичные расчёты можно проводить по схемам замещения транзисторов, включённых по схемам с ОК и с ОЭ (рис. 12-19, а, б)

Рис 12-19. а) Схемы замещения транзистора p-n-p, включенного по схеме с ОК.

Рис 12-19. б)Схемы замещения транзистора p-n-p, включенного по схеме с ОЭ.

Н-параметры транзистора. При расчётах часто транзистор рассматривают как усиливающее мощность устройство, имеющее на входе напряжение U₁ и ток I₁, а на выходе соответственно U₂ и I₂. Такую модель называют активным четырёхполюсником. (рис. 12-20)

Рис. 12-20. Транзистор, как активный четырёхполюсник, включённый по схеме с ОЭ.

Рассмотрим Н-параметры транзистора включенного по схеме с ОЭ (рис.12-20)

1. Входное сопротивление VT для переменного тока:

Н₁₁= Uбэ/iб (Uкэ=const) (12.27)

2. Выходная проводимость: (12.28)

Н₂₂ =iк/Uкэ (iб=const)

3. Коэффициент усиления по току:

Н₂₁ =iк/iб ( Uкэ=const) (12.29)

Для маломощных транзисторов:

а для транзисторов средней и большой мощности (12.30)

Выходная проводимость для маломощных транзисторов

, а для средней и большей мощности (31)

Коэффициент усиления по току

(12.32)