Транзистор с затвором Шотки.

Полевой транзистор (металл-полупроводник) или ПТШ (полевой транзистор с затвором Шотки) имеет в своей структуре вместо полупроводника кремния – арсенид галлия, что позволяет в несколько раз увеличить быстродействие при использовании его в информационных передающих устройствах (рис. 12-34).

Рис. 12-34. Структурная схема полевого транзистора с затвором Шотки.

ПТШ - транзисторы по принципу работы аналогичны полевым транзисторам с p-n затвором, а только роль управляющего p-n перехода выполняет переход Шотки. Напряжение перехода Шотки создаёт под затвором обеднённый слой, ширину которого можно изменять Uзи. Для того, чтобы создать в МЕР транзисторе проводящий канал, следует к затвору подать положительное напряжение относительно потока. Это напряжение в свою очередь является прямым для перехода Шотки и уменьшает ширину обеднённого слоя. Uзи можно увеличивать только до 0,7 В, так как при большем этого значения напряжение может создать для транзистора ток, который выведет транзистор из строя. Стокозатворные характеристики ПТШ - транзистора приведены на рис. 12-35.

Рис. 12-35. Стокозатворные характеристики в режиме обогащения (а), обеднения (б) канала.

Силовые полупроводниковые приборы.

Силовые полупроводниковые приборы – это управляемые приборы, работающие в ключевом режиме. Такие приборы работают на токах до 1000А и напряжении до 6000 В при частотах до 10⁶Гц. Эти полупроводниковые приборы называются тиристорами и симисторами. В свою очередь теристоры подразделяются на диодные тиристоры (динисторы) и триодные (тиристоры)

Динисторы – это полупроводниковые приборы с тремя или более p-n переходами и с двумя режимами работы (включен, выключен).

Рассмртрим работу диодных динисторов, которые имеют два вывода от крайних чередующихся p-и n- областей (рис. 12-36 а,б).

рис. 12-36. Конструктивная схема устройства динистора (а) и его условное графическое изображение (б). А-апод, К-катод, У-управляющий электрод, П₁, П₂, П₃ – электронно-дырочные переходы.

В том случае, если на динистор подаётся электрическое напряжение переключения, то он будет находится в закрытом состоянии (П₁ и П₃ смещены в прямом направлении, а П₂ – в обратном и ток динистора практически равен нулю) и нагрузка отключена от электрического источника при условии, что напряжение питания больше напряжения переключения – динистор будет находиться в открытом состоянии (все переходы смещаются в прямом направлении) и нагрузка включается к электрическому источнику.

В включенном режиме работают также и тиристоры. В тиристоре имеется вывод от одной из баз транзисторов T₁ и T₂ четырёхсложной структуры. При подаче тока на одну из баз этих транзисторов коэффициент передачи растёт и транзистор включается.

Оптоэлектроника.

Оптоэлектроника это раздел электроники, изучающий преобразование оптических сигналов в электрические и наоборот. В системах передачи, обработки и хранения информации. Передача информации в оптоэлектронных приборах осуществляется световыми фотонами с энергией

……………………………………………….(12.38)

где, h=6,6 ^. 10^-34 Дж^.с – постоянная Планка; - частота.

Передача, обработка и хранение информации с помощью оптоэлектронных элементов обеспечивает ряд преимуществ:

а) Высокую ёмкость оптических каналов передачи информиции;

б) Большую плотность записи;

в) Высокую помехозащищённость каналов связи (световая волна не реагирует на действие электромагнитных полей)

г) Большую возможность микроминиатюризации компонентов связи.