Полевые транзисторы с изолированным затвором.
Полевые транзисторы с изолированным затвором имеют исток и сток в виде сильно легированных областей полупроводника. Оба вида полевых транзисторов (МДП и МОП) могут быть сконструированы с каналами p-типа и n-типа. Встроенный канал создаётся при изготовлении полевого транзистора, а индуцированный канал при работе полевого транзистора наводится под влиянием поля, которое приложено к затвору.
Полевой транзистор со встроенным каналом (мдп- транзистор).
Такие МДП-транзисторы имеют канал, обогащённый носителями зарядов. Основу МДП транзистора со встроенным каналом составляет мало насыщенная примесью пластина полупроводника с электропроводимостью p-типа или n-типа (рис. 12-27)
Рис. 12-27. Структурная схема полевого транзистора со встроенным каналом n-типа.(тонкий слой полупроводника n-типа)
Если на затвор полевого транзистора со встроенным каналом n-типа подавать отрицательное напряжение (Uзи), то электроны выталкиваются из области канала в подложку, а канал обедняется носителями и ток Iс уменьшается. При подаче на затвор полевого транзистора положительного напряжения, электроны втягиваются из подложки в канал и ток Ic через канал увеличивается. Следовательно МДП-транзистор может управляться положительным и отрицательным напряжением. Условное графическое изображение полевых транзисторов со встроенным каналом показана на рис. 12-28 (О-основание или подложка)
Рис. 12-28. Условное графическое изображение МДП транзисторов со встроенным каналом n-типа (а), p-типа (б)
Схема выключения МДП-транзисторов показана на рисунке 12-29 (а,б,в)
Рис. 12-29. Схемы включения МДП-транзисторов с ОИ (а), с ОС(б), с ОЗ(в).
Статические характеристики МДП-транзисторов показаны на рисунке 12-30 (а, б).
Рис. 12-30. Статические характеристики МДП-транзисторов со встроенным p-каналом. Выходные или стоковые (а), стокозатворная (б).
Транзистор с индуцированный каналом (моп- транзистор).
МОП-транзисторы могут быть выполнены с индуцированным каналом n-типа и p-типа. Транзистор (например n-типа) устроен так, что при отсутствии напряжения на затворе канал закрывается (рис. 12-31), в связи с тем, что n-области истока и стока образуют с О-основанием два p-n перехода, которые включены навстречу друг другу и при любой полярности напряжения СИ один из переходов заперт.
Рис. 12-31. Структурная схема полевого транзистора с индуцированным n-каналом.
В том случае, если на затвор подать положительное напряжение больше порогового Uзи >Uзи (пороговые), то создаётся канал n-типа, соединяющий исток и сток. МОП-транзисторы с индуцированным каналом p-типа имеют принцип работы такой же как n-типа, но полярность напряжений у них противоположна МОП транзисторам n-типа. Условное графическое изображение полевых транзисторов с индуцированным каналом показано на рис. 12-32.
Рис. 12-32. Условное графическое изображение МОП-транзисторов с индуцированным каналом n-типа (а), p-типа (б).
Следует заметить, что МОП-транзисторы можно включать по схеме с ОЗ, ОИ, ОС. На практике чаще используются схемы полевых транзисторов с ОИ, что даёт возможность получить большие коэффициенты по напряжению, току и мощности.
Входные и выходные характеристики МОП-транзисторов показаны на рис. 12-33 (а, б)
Рис. 12-33. Статические характеристики МОП-транзистора: стокозатворные (а) и выходные (б).