- •Содержание
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы
- •1.1 Введение 9
- •Тема 2. Строение твердого тела 23
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле 57
- •3.2. Точечные дефекты решетки 57
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики 99
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики 119
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупро-
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размер-
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей 192
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур 232
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантово-размерных структур 267
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов 341
- •Тема 1. Введение. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •1.1. Введение
- •1.2. Твердое тело. Силы взаимодействия. Типы связи.
- •Тема 2. Строение твердого тела. Цели и задачи изучения темы:
- •2.1. Кристалл.
- •2.2. Решетка Бравэ. Трансляция. Элементарная ячейка.
- •2.3.Элементы симметрии.
- •2.4. Группы симметрии. Сингонии.
- •2.5. Плотнейшие упаковки частиц в структурах.
- •2.6. Жидкие кристаллы.
- •2.7.Наночастицы с гранецентрированной решеткой. Кубоктаэдр.
- •Элементы симметрии.
- •Тема 3. Дефекты. Роль дефектов в твердом теле.
- •3.1. Дефекты кристаллических решеток.
- •3.2. Точечные дефекты решетки
- •3.3. Линейные дефекты кристаллической решетки.
- •3.4 Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •3.5. Объёмные дефекты кристаллической решетки.
- •3.6. Энергетические дефекты кристаллической решетки.
- •3.7. Твёрдые растворы
- •Поверхностные дефекты кристаллической решетки.
- •Тема 4. Диаграммы состояния двухкомпонентных систем.
- •4.1. Типы диаграмм состояния.
- •Тема 5. Некоторые положения квантовой механики.
- •5.1.Возникновение квантовой механики.
- •5.2. Волновая функция ψ. Плотность вероятности.
- •5.3. Соотношение неопределенности Гейзенберга.
- •5.4. Общее уравнение Шредингера. Уравнение Шредингера для стационарных состояний.
- •5.5. Принцип причинности в квантовой механике.
- •5.6. Движение свободной частицы
- •5.7. Частица в одномерной прямоугольной «потенциальной яме» с бесконечно высокими «стенками».
- •5.8. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер. Туннельный эффект
- •5.9. Линейный гармонический осциллятор в квантовой механике.
- •Принцип причинности в квантовой механике.
- •Движение свободной частицы.
- •Тема 6. Элементы зонной теории твердого тела. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций квантовой механики.
- •6.1. Взгляд на строение атома и твердого тела с позиций кванто-вой механики.
- •6.1.1. Современный взгляд на строение и свойства
- •6.1.2. Взгляд на строение атома с позиций квантовой механики.
- •6.2. Элементы зонной теории.
- •6.2.1.Основные положения зонной теории.
- •6.2.2. Волновая функция электрона в периодическом поле.
- •6.2. 3. Зоны Бриллюэна.
- •6.2.4. Методы расчета энергетической структуры кристаллов.
- •6.2.4.1. Приближение сильносвязанных электронов.
- •6.2.4.2. Приближение свободных электронов. Энергетический спектр электронов в прямоугольной потенциальной яме.
- •6.2.4.3. Приближение слабосвязанных электронов.
- •6.2.5. Модель Кронига – Пенни.
- •6.2.6. Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики, полупроводники.
- •Тема 7. Полупроводники. Собственный полупроводник. Генерация и рекомбинация носителей зарядов. Уровень Ферми. Эффективная масса носителя заряда. Примесный полупроводник. Цели и задачи изучения темы:
- •7.1. Полупроводники.
- •7.2.Собственные и примесные полупроводники. Носители заряда в полупроводниках.
- •7.3. Энергия Ферми.
- •7.4. Генерация и рекомбинация носителей зарядов.
- •7.5. Собственная проводимость полупроводника.
- •7.6. Примесные полупроводники.
- •7.6.1. Примесные уровни.
- •7.6.2. Примесная проводимость полупроводников.
- •7.6.3. Полупроводник р-типа.
- •7 .6.4. Сильно легированный полупроводник. Роль беспорядка в кристалле.
- •7.7. Температурная зависимость проводимости примесных полупроводников.
- •7.8. Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводнике.
- •А плотность дырочного дрейфового тока
- •Вопросы для повторения:
- •Резюме по теме:
- •Тема 8 . Размерное квантование и квантово-размерные структуры.
- •8.1. Принцип размерного квантования
- •8.2. Условия наблюдения квантовых размерных эффектов.
- •8.3. Структуры с двумерным электронным газом.
- •8.4. Структуры с одномерным электронным газом (квантовые нити).
- •8.5. Структуры с нуль-мерным электронным газом
- •8.6. Структуры с вертикальным переносом.
- •Тема 9. Основные положения термодинамики, механизмы роста пленок и образование зародышей.
- •9.1. Основные понятия термодинамики.
- •9.2. Три начала термодинамики.
- •9.3. Термодинамические потенциалы.
- •9.4. Термодинамическая теория фазовых равновесий.
- •9.4.1. Термодинамические системы.
- •9.4.2. Условия фазового равновесия.
- •9.4.3. Фазовые переходы.
- •9.5. Принцип локального равновесия.
- •9.6. Самоорганизация систем.
- •9.7. Поверхностные явления.
- •9.7.1. Поверхностная энергия.
- •9.7.2. Поверхностное натяжение.
- •9.7.3. Капиллярные явления.
- •9.7.4. Адсорбция, десорбция и испарение с поверхности.
- •9.8. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.1. Массоперенос и ионизация на поверхности.
- •9.8.2. Межфазные характеристики.
- •9.9. Механизмы роста пленок на реальных подложках.
- •Тема 10. Технология получения, механизмы и режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.1. Гетерогенные процессы формирования наноструктур
- •10.1.1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •10.2. Газовая эпитаксия из металлоорганических соединений.
- •10.3. Метод нанолитографии.
- •10.4. Самоорганизация квантовых точек и нитей.
- •10.4.1. Режимы роста гетероэпитаксиальных структур.
- •10.4.2. Рост наноструктур на фасетированных поверхностях.
- •10.4.3. Трехмерные массивы когерентно-напряженных островков.
- •10.4.4. Поверхностные структуры плоских упругих доменов.
- •1 0.4.5. Структуры с периодической модуляцией состава в эпи-таксиальных пленках твердых растворов полупроводников.
- •1 0.5. Изготовление наноструктур и наноприборов с помощью стм и асм.
- •Тема 11. Методы получения нанообъектов и квантоворазмерных структур.
- •11.1. Коллоидная и золь-гельная технология.
- •11.1.1. Формирование структур на основе коллоидных растворов.
- •11.1.2. Организация и самоорганизация коллоидных структур.
- •11.1.3. Оптические и электронные свойства коллоидных кластеров.
- •11.1.4. Коллоидные кристаллы. Формирование упорядоченных наноструктур.
- •11.1.5. Золь-гель технология.
- •11.1.6. Методы молекулярного наслаивания и
- •11.1.7. Методы получения металлов и диэлектриков.
- •11.2. Методы получения упорядоченных наноструктур. Гетероструктуры.
- •11.2.1. Гетероструктуры – основа получения наноструктур.
- •11.2.2. Формирование полупроводниковых и металлических нановолокон и спиралей.
- •11.2.3 Самоорганизация при эпитаксиальном росте.
- •12.2.3.1. Наногофрированные структуры.
- •11.2.3.2. Самоорганизация гетероэпитаксиальных структур.
- •11.3. Пучковые методы нанолитографии.
- •11.3.1. Литографические методы формирования структур.
- •11.3.2. Оптическая литография.
- •11.3.3. Рентгеновская литография.
- •11.3.4. Электронная литография.
- •11.3.5. Ионная литография.
- •11.3.6. Возможности пучковых методов нанолитографии в наноэлектронике.
- •11.3.7. Нанопечатная литография.
- •11.3.8. Ионный синтез квантовых наноструктур.
- •11.4. Рост на активированных поверхностях. Нановискеры.
- •11.5. Методы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.1. Физические основы зондовой нанотехнологии.
- •11.5.2. Контактное формирование нанорельефа.
- •11.5.3. Бесконтактное формирование нанорельефа.
- •11.5.4. Локальная глубинная модификация поверхности.
- •11.5.5. Межэлектродный массоперенос.
- •11.5.6. Локальное анодное окисление.
- •11.5.8. Совместное использование лазера и стм
- •Тема 12. Методы исследования наноматериалов.
- •12.1. Введение.
- •12.2. Методы исследования химического состава поверхности.
- •12.2.1. Масс-спектроскопия.
- •12.2.3. Ионная масс-спектроскопия.
- •12.2.4. Фотоэлектронная спектроскопия.
- •12.2.5. Радиоспектроскопия.
- •12.3. Исследования физической структуры поверхности.
- •12.3.1. Рентгеноструктурный анализ.
- •12.3.2. Рентгеновская спектроскопия и дифракция.
- •1 2.3.2.1. Рассеяние на аморфных и частично упорядоченных объектах. Малоугловое рентгеновское рассеяние.
- •12.3.2.2. Рентгеновская спектроскопия поглощения: exafs, xans, nexafs.
- •12.3.3. Анализ поверхности электронным пучком.
- •12.3.4. Полевая эмиссионная микроскопия.
- •12.3.5. Сканирующая зондовая микроскопия.
- •12.3.5.1. Сканирующая туннельная микроскопия.
- •12.3.5.2. Атомно-силовая микроскопия.
- •12.3.6. Магнито – силовая микроскопия.
- •12.3.7. Электронная микроскопия.
- •12.3.8. Эллипсометрия.
- •12.4. Спектроскопия.
- •12.4.1. Инфракрасная и рамановская спектроскопия.
- •12.4.2. Фотоэмиссия и рентгеновская спектроскопия.
- •12.5. Методы исследования кинетических свойств объема и поверхности наноматериалов и наноструктур.
- •12.5.1. Исследование удельного сопротивления.
- •12.5.2. Диагностика поверхностных состояний.
- •12.5.3. Кинетические параметры.
2.3.Элементы симметрии.
Элементами симметрии являются:
•плоскость симметрии,
•ось симметрии,
•центр симметрии
•зеркально-поворотная ось симметрии.
Любую симметрию кристалла удобно представить как совокупность отдельных элементов симметрии, каждому из которых соответствует какая-
нибудь из упомянутых операций.
Ось симметрии (рис. 2.3.1). Если кристалл обладает осью симметрии (поворотной осью), то он может быть совмещен сам с собой, т.е. приведен в положение неотличимое от исходного, путем поворота на некоторый угол вокруг этой оси. В зависимости от симметрии кристалла величина угла поворота, необходимого для совмещения кристалла с самим собой, может составлять 360, 180, 120, 90, 60 градусов. (2π / п, где n = 1, 2, 3, 4 или 6). В соответствии с этим ось симметрии называют осью первого, второго, третьего, четвертого или шестого порядка. Других осей симметрии не существует. Это связано с тем, что по определению при повороте кристалл должен совместиться сам с собой, т.е. пространство должно быть заполнено без промежутков. А из геометрии известно, что плоскость можно заполнить лишь треугольниками, параллелограммами и шестиугольниками, а пространст-во – телами, грани которых представлены этими фигурами.
П лоскость симметрии (рис. 2.3.2). Если одна половина кристалла совмещается с другой при отражении в некоторой плоскости, как в зеркале, то такая плоскость называется плоскостью симметрии. Например, для прямоугольника, плоскостями симметрии являются плоскости 1-1 и 2-2. Части фигуры по обе стороны этих плоскостей являются зеркальным отражением друг друга. Но плоскость 3-3, также делящая фигуру пополам, не является плоскостью симметрии, так как отражение в ней одной половины не совпадает с изображением другой.
Ц ентр симметрии. Если в кристалле существует точка, обладающая тем свойством, что при замене радиуса – вектора , любой из частиц, составляющих кристалл на обратный ему вектор , кристалл переходит в состояние, неотличимое от исходного, то эта точка называется центром симметрии или центром инверсии.
Поворотно-зеркальная ось (рис. 2.3.3). К этому элементу симметрии приводит одновременное применение двух операций: поворота вокруг оси и зеркального отражения в плоскости, перпендикулярной оси. Это значит, что кристалл обладает поворотно-зеркальной осью симметрии, если его можно совместить с самим собой, повернув на некоторый угол вокруг оси и отразив затем в плоскости, перпендикулярной к этой оси. Если угол поворота, равен 2π /n , то п определяет порядок поворотно-зеркальной оси.
Симметрия любого кристалла может быть описана с помощью перечисленных четырех элементов симметрии. Причем перечисленные элементы симметрии могут в кристаллах по-разному комбинироваться.
Характерной особенностью кристалла является периодичность его внутренней структуры. Идеальный кристалл можно получить путем регуляр-ного повторения примитивной ячейки в трех направлениях без изменения ориентации. Можно говорить об инвариантности идеального бесконечного кристалла относительно трансляций вида:
(2.3.1)
Параллелепипед, построенный на трех некомпланарных векторах образует примитивную ячейку кристалла.
Кроме трансляционной симметрии кристалл обладает и вращательной симметрией. Для обозначения операций симметрии, связанных с поворотами вокруг оси, вводится своя символика. Так, поворот на угол 2π / n вокруг оси обозначается символом Сn, где n - порядок оси. Отражение в плоскости обо-значается символом σ, к которому добавляется нижний индекс, указывающий направление нормали к плоскости (индексом h обозначают горизонтальную плоскость, а индексом v - вертикальную). Инверсия обозначается символом J. Для описания составных операций можно пользоваться операторной симво-ликой. Так, запись BA означает, что выполняется операция A, а затем опера-ция B. Результат обозначается буквой C : C=BA.
Две операции равны, если их результат идентичен. Зеркальный поворот обозначают символом Sn. Для этой операции получаем по определению:
(2.3.2)
Между операциями разных видов существуют определенные соотно-шения эквивалентности. Например, результатом последовательных отраже-ний в двух плоскостях, образующих между собой угол , θ = π/n будет поворот на угол 2π/n вокруг линии их пересечения.
П ериодичность кристалла накладывает ограничения на порядок n осей поворотов и зеркальных поворотов. А именно, в кристалле могут существо-вать только оси второго, третьего, четвертого и шестого порядков. Это видно из рис. 2.3.4.
Пусть a – наименьший период кристалла в направлении AB. Пусть через точку A проходит (перпендикулярно плоскости рисунка) ось симмет-рии. Точка B является трансляционно эквивалентной и через нее проходит другая такая же ось симметрии.
Произведем поворот вокруг оси, проходящей через A на угол φ = 2π/n. Тогда точка B перейдет в точку B'. Аналогично поворот вокруг B переводит точку A в A'. Если повороты являются операциями симметрии кристалла, то точки A' и B' должны быть трансляционно эквивалентными и расстояние A'B' должно быть равно ap с целым p. Это приводит к уравнению
a + 2asin(φ-π/2) = a - 2acosφ = ap (2.3.3)
или
cosφ = (1 - p) / 2 (2.3.4)
Так как , то p=3, 2, 1, 0, а n=2, 3, 4, 6.
Кроме чистых поворотов и чистых трансляций кристаллическая решетка может обладать еще и особыми элементами симметрии, представ-ляющими собой комбинации параллельных переносов с поворотами и отражениями. Например, комбинация поворота с трансляцией приводит к появлению винтовой оси. Решетка обладает винтовой осью n-ого порядка, если она совмещается сама с собой при повороте вокруг оси на угол 2π/n и одновременной трансляции на расстояние d вдоль этой оси. Причем d = pa/n (p = 1, 2...n-1), где a – наименьший период решетки вдоль этой оси. Кроме того, комбинация отражения в плоскости с трансляцией на полпериода решетки вдоль направления, лежащим в плоскости отражения, называется плоскостью скольжения.
Пространственные элементы симметрии за исключением операций трансляции – это винтовые оси и плоскости скольжения.
Говорят, что кристалл обладает винтовой осью n-го порядка, если при повороте на угол 360· /n относительно этой оси и смещении на вектор р, параллельный оси и не равный ни одному из векторов трансляции, кристалл переходит в состояние, тождественное исходному. Ось называют винтовой, так как при движении по винтовой резьбе поворот также сопровождается смещением вдоль оси винтовой резьбы.
Говорят, что кристалл обладает плоскостью скольжения, если при зеркальном отражении относительно этой плоскости и последующем пере-мещении на вектор br, параллельный плоскости отражения и не равный ни одному из векторов трансляции, кристалл переходит в состояние, тождественное первоначальному.
Все вышеописанные операции принадлежат к точечным элементам симметрии. При повороте относительно некоторой оси на месте остаются точки кристалла, лежащие на оси симметрии, при отражении – точки, лежащие на плоскости симметрии, а при инверсии остается на месте точка, совпадающая с центром инверсии.
При анализе ряда явлений, которые можно назвать макроскопически-ми, кристалл ведет себя как однородное сплошное тело. В этом случае свойства кристалла зависят только от направления в нем. Сложная структура примитивной ячейки не важна при анализе оптических, тепловых и упругих свойств кристаллов.
Трансляционная симметрия решетки не приводит к эквивалентности каких-либо направлений. Поэтому симметрия направлений, а следовательно и макроскопических свойств кристалла, определяется совокупностью его осей и плоскостей симметрии, причем винтовые оси и плоскости скольжения надо рассматривать как простые оси и плоскости. Такие совокупности элементов называются кристаллическими классами.