- •Вступ розділ і. Фізичні властивості телуриду кадмію
- •1.1. Зонна структура CdTe
- •1.2. Точкові дефекти у сполуках аii вvi
- •1.3. Вплив точкових дефектів на електричні властивості
- •1.4.2. Фотолюмінесценція монокристалів CdTe
- •Розділ іі. Експериментальна частина. Дослідження фізичних властивостей напівізолюючих монокристалів СdTe:Cl
- •2.1. Технологія вирощування кристалів
- •2.2. Методи легування телуриду кадмію
- •Методики досліджень монокристалів телуриду кадмію
- •Дослідження фотолюмінесценції
- •Визначення елементного складу методом рентгенівського міколаналізу.
- •2.4. Результати досліджень та їх обговорення
- •Додаток Правила техніки безпеки
- •Основні правила техніки безпеки при експлуатації електроустановок:
- •Основні правила техніки безпеки при роботі із зрідженими газами:
- •Основні правила техніки безпеки при роботі із джерелами оптичного випромінювання:
- •В аптечках для надання першої медичної допомоги повинні бути:
Методики досліджень монокристалів телуриду кадмію
У даній роботі досліджувались монокристали телуриду кадмію, леговані домішкою хлору з концентрацією домішки NCl = 5∙1018 см-3. Обидва краї вирощеного злитку було видалено, а частину яка залишилась, задля того, щоб отримати інформацію про фізичні властивості вздовж усього злитка, було розділено на 4 області (область А, В, С та D). З кожної області стандартною методикою шліфування, полірування та травлення було виготовлено по одному зразку, найменування яких проводилось по порядку, починаючи з зразка області А. Тобто, ми отримали 4 зразки: зразок №1 (область А), зразок №2 (область В), зразок №3 (область С) та зразок №4 (область D), які і досліджували у подальшому. Товщина усіх зразків становила 1.24 мкм.
Дослідження фотолюмінесценції
Для оцінки енергетичної та фізичної структури отриманих монокристалів СdТе:Сl було проведено дослідження фотолюмінесценції в ділянці довжин хвиль 7501000 нм при температурі 4.2 К областей 3 та 4. Для збудження використовували гелій-неоновий лазер (А = 632.8 нм) потужністю Р = 40 мВт і діаметром світлового пучка 0.1 мм.
В якості диспергуючого приладу використовували або монохроматор SРМ –2 (для запису широких смуг домішкової ФЛ), або спектрометр СДЛ – 1 (для виявлення структури ліній екситонної ФЛ). Спектрометр складається з подвійного монохроматора зі змінними дифракційними решітками. Оптично збуджене у досліджуваному зразку свічення направлялось на вихідну щілину монохроматора, а з вихідної цілини на фотоприймач і реєструючу систему. Низькотемпературні дослідження проводили з допомогою терморегулюючої системи “УТРЕКС”, котра дозволяє стабілізувати температуру зразків в діапазоні 4,5 – 300 К з то Розглянемо будову терморегулюючої системи УТРЕКС[2 Франів ].
Головними вузлами уніфікованої терморегульованої кріостатної системи (УТРЕКС) є:
кріостат – прилад, у якому безпосередньо відбувається кріостатування зразка;
регулятор кріостатування (РК) забезпечує управління швидкістю продування насичених парів рідкого гелію через робочу камеру;
блок електронного керування (БЕК), який керує роботою механічного регулятора кріостатування і пічкою;
вимірний блок (ВБ) порівнює сигнал датчика температури з опорним сигналом для виділення сигналу помилки.
Регулятор кріостатування складається з регулятора швидкості потоку парів газоподібного гелію, клапана постійного тиску, клапана зниження тиску.
Блок електронного керування підсилює сигнал помилки і подає його на електронний ключ, який залежно від полярності сигналу включає або електромагнітний клапан, або пічку.
Вимірний блок складається з диференційної термопари або термометра опору, двоплечового вимірного потенціометра (міст Р-3009) або подібного приладу. Принцип роботи системи див. на Рис. 12
Підготовка системи до роботи передбачає такі головні етапи:
перевірка системи на герметичність;
відкачування вакуумної порожнини до P=10-2-10-2 мм рт. Ст.;
заливання рідкого азоту;
заливання рідкого гелію;
вихід на робочий режим кріостатування.
Після заповнення газом клапана постійного тиску тиском PK>P магістралі газ виходить через регулятор швидкості потоку у випадку охолодження робочої камери і тільки через постійний клапан у випадку нагрівання робочої камери (постійний та імпульсний голчасті вентилі). Головні технічні параметри системи УТРЕКС-1:
діапазон кріостатування 4,2 – 300,0 К;
точність установлення температури ± 0,1 К;
максимальна витрата кріоносія 0,3 л/год;
ємність у кріостаті рідкого кріоносія ≈ 2л.
Кріостат складається з двох головних частин – уніфікованої і спеціальної. Уніфікована частина слугує для живлення термостатованої робочої камери кріоносієм. Наведений нижче опис стосується кріостата для оптичних і спектральних досліджень у ділянці довжин хвиль 0,2 – 2,0 мкм. Схема його зображена на Рис. 3.
У вакуумній порожнині кріостата, обмеженій зовнішніми стінками, змонтовані такі кріостатні вузли:
1) Вузли радіаційних екранів (зовнішній 14, внутрішній13 ), охолоджувані рідким азотом. Вони захищають деталі кріостата, що мають температуру нижче 77 К, від променистого теплообміну з зовнішніми теплими вузлами і трубою підвісу робочої камери 9. В азотному баці 5, на який монтують радіаційні екрани, міститься абсорбційна помпа 6;
Рис.
11. Схема терморегульваногогелієвого
кріостата для оптичних досліджень.
3) вузол робочої камери – це теплообмінний пристрій, призначений для подавання потокові кріоносія необхідних температурних характеристик, щоб підтримувати в робочій камері заданий режим. Кріоносій проходить через змійовик 1, напаяний на стінку камери, надходить у розсіювач, змонтований у днищі камери, і входить у робочу камеру. На зовнішню поверхню змійовика накладений нагрівач. Робоча камера оснащена спеціальними вікнами 17 із плавленого кварцу чи сапфіру. Вікна є прозорими у діапазоні температур 0.3 – 400,0 К. Ззовні кріостата міститься відкачувальний патрубок 7 з запірним вентилем, що призначений для приєднання форвакуумної помпи в разі вакуумування порожнини кріостата.
На Рис. 13 зображено розміщення енергетичних рівнів у забороненій зоні монокристалу телуриду кадмію згідно [21].
Рис. 12. Розміщення рівнів в забороненій зоні CdTe