- •Введение
- •Уравнение Шредингера для стационарного случая
- •Собственные волновые функции и собственные значения оператора Гамильтон
- •Уравнение Шредингера для свободной частицы, двигающейся в направлении оси
- •Моделирование движения микрочастицы в свободном пространстве с помощью интегрального пакета прикладных программ MathCad
- •Моделирование волнового пакета Определение волнового пакета
- •Волновая функция волнового пакета
- •Моделирование волнового пакета
- •Заключение
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №2 движение микрочастиц в поле потенциальных сил. Движение микрочастиц через потенциальный барьер Определение потенциального барьера
- •Уравнение Шредингера для частицы двигающейся через потенциальный барьер
- •Коэффициенты отражения и прозрачности.
- •Туннельный эффект
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа № 3
- •Исследование зонной структуры твердых тел
- •Строение вещества и коллективизированные электроны
- •В кристалле
- •Приближения при решении уравнения Шредингера для кристалла
- •Приближение слабосвязанных электронов.
- •Движение электрона в кристаллической решетке Модель Кронига-Пенни
- •Уравнение Шредингера для модели Кронига-Пенни
- •Решение уравнения Шредингера
- •Определение волнового числа
- •Зоны Бриллюэна. Модель приведенных зон
- •Заполнение зон электронами и классификация энергетическихзон
- •Зонная структура и электрические свойства твердых тел
- •Энергетическая структура алмазоподобных полупроводников.
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №4 исследование статистических свойств носителей заряда в полупроводниках и металлах Химический потенциал невырожденного идеального газа. Энергия Ферми.
- •Распределение Ферми-Дирака при абсолютном нуле
- •Вычисление энергии Ферми
- •Изменение энергии Ферми при изменении температуры
- •Собственные и примесные полупроводники
- •Ec ev δEg запрещенная зона валентная зона зона проводимости
- •Статистика носителей заряда в собственном полупроводнике
- •Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике n-типа
- •Статистика носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Уровень Ферми носителей заряда в примесном полупроводнике p-типа
- •Лабораторное задание:
- •Контрольные вопросы
- •Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
- •Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
- •Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
- •Расчет концентрации неравновесных носителей заряда контакта двух полупроводников.
- •Расчет ширины области обедненной носителями заряда.
- •Расчет барьерной емкости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной длины носителей зарядов контакта двух полупроводников
- •Расчет тока проводимости контакта двух полупроводников
- •Расчет диффузионной емкости контакта двух полупроводников
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №6 исследование электропроводности транзисторной структуры Физические процессы в транзисторной структуре
- •Расчет коэффициента передачи тока транзисторной структуры
- •Расчет концентрации неосновных носителей в области базы
- •Расчет плотности тока неосновных носителей в области базы
- •Расчет токов эмиттерного и коллекторного переходов
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора в виде четырехполюсника
- •Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •Расчет параметров элементов эквивалентной схемы транзисторной структуры
- •Математическая модель биполярного транзистора и расчет переходов
- •Расчет электрических параметров схемы с биполярным транзистором с использованием эквивалентной схемы
- •Лабораторное задание
- •Контрольные вопросы
- •Библиографический список
- •Лабораторная работа №7 физические процессы в полевых транзисторах Конструктивные особенности полевых транзисторов с изолированным затвором
- •Физические процессы в транзисторе
- •Эффективная подвижность носителей заряда в канале
- •Концентрация подвижных носителей в области канала
- •Напряжение отсечки
- •Ширина канала полевого транзистора
- •Вольтамперная характеристика полевого транзистора
- •Входная и выходная характеристики полевого транзистора
- •Лабораторное задание
- •Содержание
Расчет концентраций равновесных носителей заряда в приконтактной области
Равновесные концентрации электронов и дырок в p-области опре-деляются:
, (1)
, (2)
где – равновесная концентрация электронов и – равновесная концентрация дырок в области p.
Равновесные концентрации электронов и дырок в области n опре-деляются:
, (3)
, (4)
где – равновесная концентрация электронов и – равновесная концентрация дырок в n-области.
Расчет уровней Ферми электронов и дырок в приконтактной области
Значение энергии Ферми может быть найдено интегрированием полной функции распределения в пределах значения энергии от 0 до – значения энергии Ферми.
Полная функция распределения определится:
, (5)
где N(E) – число частиц, обладающих значением энергии в интервале от E до E+dE;
f(E) – функция распределения частиц по энергиям;
g(E) – плотность числа энергетических состояний, которые могут занимать частицы.
Интегрируя это выражение в пределах значений энергии от нуля до энергии Ферми, получим полное число частиц в этом интервале энергий:
. (6)
Для вырожденного газа f(E)=1. Плотность числа состояний опре-делится:
. (7)
Подставляя это выражение в интеграл, получим:
. (8)
Из этого выражения энергия Ферми определится:
, (9)
где – концентрация частиц.
В случае невырожденного газа необходимо воспользоваться функцией распределения Максвелла-Больцмана.
Расчет потенциального барьера контакта двух полупроводников
При рассмотрении физических процессов при контакте двух по-лупроводников было показано, что в приконтактной области образует-ся объемный заряд ионизированных атомов доноров и акцепторов. Этот объемный заряд в приконтактной области создает потенци-альный барьер. Величина потенциального барьера будет определяться разницей в положении энергетических зон p– и n– областях (рис. 4.):
. (10)
В то же время равновесная концентрация дырочных носителей заряда в p– и n– областях определится:
,
.
Разделим концентрацию неосновных носителей заряда на основные, получим:
. (11)
Так как уровни Ферми дырок в области p и в области n равны:
, (12)
то отношение неосновных и основных носителей заряда примет вид:
. (13)
Логарифмируя это выражение получим:
. (14)
Из этого выражения величина потенциального барьера определится:
, (15)
где e – заряд электрона;
– контактная разность потенциалов.
Из этого выражения контактная разность потенциалов определится:
. (16)
Знак минус перед контактной разностью потенциалов показывает, что потенциальный барьер препятствует переходу частиц между областями контакта.