5. Вопросы для самопроверки

1. Какой полупроводник называется собственным?

2. Какой полупроводник называется примесным?

3. Что такое энергия (уровень) Ферми?

4. Укажите и поясните расположение уровня Ферми для собственного полупроводника, примесных полупроводников p- и n-типов.

5. Как зависит положение уровня Ферми примесных полупроводников от концентрации примеси и температуры?

6. Как связаны концентрации основных и неосновных носителей заряда в полупроводнике n-типа?

7. Что такое собственная концентрация электронов и дырок и как она зависит от материала полупроводника, температуры?

8. Как зависит концентрация основных и неосновных носителей заряда от степени легирования и температуры?

9. Назовите основные факторы, от которых зависят время жизни и диффузионная длина неравновесных носителей заряда?

10. Объясните механизм образования p-n перехода.

11. Какие электронно-дырочные переходы называют симметричными, а какие несимметричными?

12. Какие электронно-дырочные переходы называют резкими, а какие плавными?

13. Нарисуйте распределение объемных и подвижных зарядов, напряженности электрического поля и потенциала в области несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.

14. В чем заключаются условия равновесия p-n перехода?

15. Что такое контактная разность потенциалов и от чего она зависит?

16. Нарисуйте энергетическую диаграмму несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.

17. Нарисуйте энергетическую диаграмму прямосмещенного p-n перехода.

18. Как зависит ширина p-n перехода от концентрации примеси и от приложенного напряжения?

19. Что такое инжекция носителей заряда?

20. Нарисуйте энергетическую диаграмму обратносмещенного p-n перехода.

21. Что такое экстракция носителей заряда?

22. Как зависит ширина p-n перехода и энергетический барьер от температуры?

23. Запишите выражение для вольтамперной характеристики идеального p-n перехода.

24. Нарисуйте вольтамперные характеристики германиевого, кремниевого и арсенид-галлиевого переходов и объясните их отличие.

25. Объясните влияние температуры на ход вольтамперной характеристики p-n перехода.

26. Что показывает температурный коэффициент напряжения?

27. Объясните влияние степени легирования на ход вольтамперной характеристики p-n перехода.

28. Какая область p-n перехода называется базой, а какая эмиттером?

29. Как влияет сопротивление базы на ход прямой ветви характеристики p-n перехода?

30. Как зависит величина обратного тока p-n перехода от концентрации примеси и температуры?

31. Объясните зависимость обратного тока в реальных p-n переходах от величины обратного напряжения.

32. Что такое пробой?

33. Назовите основные виды пробоев p-n переходов.

34. Поясните механизм и условия возникновения теплового пробоя.

35. Как влияет температура окружающей среды на напряжение теплового пробоя?

36. Поясните механизм и условия возникновения лавинного пробоя.

37. Поясните механизм и условия возникновения полевого пробоя.

38. Как зависит величина напряжения полевого пробоя от степени легирования областей p-n перехода?

39. Как изменится ход вольтамперной характеристики p-n перехода с лавинным пробоем, если концентрацию примесей в базе уменьшить?

40. Почему с ростом температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается?

41. Почему с ростом температуры напряжение полевого пробоя уменьшается?