IV. Содержание отчёта

1. Построенные зависимости:;;.

2. Осциллограммы выходного напряжения.

3. Краткие выводы по каждому пункту отчёта, поясняющие полученные результаты.

Литература: [2], c. 83...87; 119...122.

3.5. Методические указания к проведению практических занятий

Для студентов очно-заочной формы обучения проводится три практичес-ких занятия общим объёмом 10 часов, а для студентов заочной формы обучения два практических занятия в объёме 4-х часов.

Первое практическое занятие для студентов очно-заочной формы обу-чения составляет 4 часа и объединяет две темы: расчёт каскада при включении транзистора по схеме с общим эмиттером (Раздел 3. – Транзисторный усили-тельный каскад); расчёт делителя в цепи базы транзистора (Раздел 4. Обеспе-чение и стабилизация режима работы транзисторов по постоянному току).

Цель этого практического занятия: ознакомить студентов с методикой расчёта наиболее часто встречающегося каскада при включении транзистора по схеме с общим эмиттером, благодаря чему студенты смогут определить основ-ные схемные параметры каскада ОЭ и рассчитать его входное сопротивление, коэффициент усиления по напряжению и делитель в цепи базы, обеспечиваю-щей стабилизацию исходного режима работы для выбранного коэффициента нестабильности S.

Второе практическое занятие (объём 2 часа) – расчёт элементов Н.Ч. и В.Ч. коррекции частотных характеристик каскада соответствует разделу 5. Кас-кады предварительного усиления.

Целью практического занятия является овладение методикой расчёта кор-ректирующих цепей в области низких и высоких частот, благодаря которым расширяется частотный диапазон.

Третье практическое занятие – расчёт транзисторов оконечного каскада по выходной и входной цепям (объём 4 часа) соответствует разделу 6. Оконеч-ные усилительные каскады.

На этом практическом занятии студенты овладевают графо-аналити-ческим методом расчёта транзисторного каскада при его работе в режиме боль-шого сигнала, то есть в нелинейном режиме.

Студенты, обучающиеся с элементами ДОТ, выполняют два практичес-ких задания, методические указания к которым и исходные данные для расчёта, приводятся в методических указаниях к практическому занятию № 2 и практи-ческому занятию № 3.

Практическое занятие № 1

Расчёт каскада при включении транзистора по схеме с общим эмиттером

Расчёт делителя в цепи базы транзистора Каскады предварительного усиления представляют собой обычно резис-тивный каскад оэ или ок с эмиттерной стабилизацией исходного режима ра-боты транзистора.

Если заданное внутреннее сопротивление источника сигналов не превышает 1 кОм, то в первом каскаде усилителя может быть применено вклю-чение ОЭ с шунтированием сопротивленияёмкостьюкак вариант, обес-печивающий наибольшее усиление. В противном случае для обеспечения повы-шенного входного сопротивления каскада необходимо выполнять его как кас-кад ОЭ с не шунтированным ёмкостью сопротивлением. Возможен проме-жуточный вариант шунтирования ёмкостью части сопротивления, при кото-ром входное сопротивление каскада возрастает в меньшей степени, но зато по-лучается и меньшее падение коэффициента усиления. Схема каскада ОЭ с шун-тированным ёмкостьюсопротивлениемприведена на рис. 1.

Рис. 1. Каскад с общим эмиттером

Следует выбирать транзисторы с возможно бóльшими значениями коэф-фициента усиления β и граничной частоты .

Увеличение β повышает чувствительность усилителя и его входное со-противление, а также снижает приведённое ко входу напряжение шумов.

Увеличение создаёт благоприятную предпосылку для реализации глу-бокой устойчивой ООС.

Рассчитаем сопротивление в цепи коллектора и эмиттера

; (1)

. (2)