- •Кафедра радиотехники
- •Информация о дисциплине
- •1.2. Содержание дисциплины и виды учебной работы
- •1.2.2. Объём дисциплины и виды учебной работы
- •1.2.3. Перечень видов практических занятий и контроля
- •Раздел 6.
- •Раздел 7.
- •Тематический план дисциплины для студентов заочной формы обучения
- •2.4. Временной график изучения дисциплины при использовании информационно-коммуникационной технологии
- •2.5. Практический блок
- •2.5.1. Практические занятия
- •2.5.1.1 Практические занятия (очно-заочная форма обучения)
- •2.5.1.2 Практические занятия (заочная форма обучения)
- •2.5.2. Лабораторные работы
- •2.5.2.1 Лабораторные работы (очно-заочная форма обучения)
- •2.5.2.2 Лабораторные работы (заочная форма обучения)
- •2.6. Балльно-рейтинговая система оценки знаний
- •3. Информационные ресурсы дисциплины
- •Показатели и характеристики аналоговых электронных устройств
- •3.2.1.1.Основные определения и классификация аналоговых электронных устройств
- •3.2.1.2. Основные энергетические показатели усилителя и количественная оценка усиления
- •3.2.1.3. Искажения, вносимые усилителем
- •Частотные искажения
- •Фазочастотные искажения
- •3.2.1.5. Переходные искажения
- •3.2.1.6. Связь между переходной и частотной характеристиками
- •Нелинейные искажения
- •Методы количественной оценки нелинейных искажений
- •3.2.1.8. Помехи и шумы
- •Вопросы для самопроверки
- •3.2.2. Обратная связь и её влияние на показатели и характеристики аналоговых электронных устройств
- •3.2.2.1. Основные определения и классификация видов обратной связи
- •3.2.2.2. Эквивалентные параметры усилителя с обратной связью Обратная связь по напряжению последовательного типа
- •Обратная связь по току последовательного типа
- •Обратная связь по напряжению параллельного типа
- •Эквивалентное входное сопротивление усилителя с обратной связью Последовательное введение обратной связи
- •Вопросы для самопроверки
- •3.2.3. Транзисторный усилительный каскад
- •3.2.3.1. Постановка задачи и упрощающие предположения
- •3.2.3.2. Схемы включения транзистора и их обобщение.
- •3.2.3.3. Первичные параметры транзистора и методы расчёта технических показателей каскада для включения об, оэ, ок
- •Вопросы для самопроверки
- •3.2.4. Обеспечение и стабилизация режима работы транзисторов по постоянному току
- •3.2.4.1. Основные способы осуществления исходного режима транзистора
- •Дестабилизирующие факторы
- •3.2.4.2. Стабилизация исходного режима
- •Коллекторная стабилизация
- •Эмиттерная стабилизация
- •Вопросы для самопроверки
- •3.2.5. Каскады предварительного усиления
- •3.2.5.1. Резистивный каскад оэ
- •Выбор исходного режима
- •Вопросы для самопроверки
- •3.2.6. Оконечные усилительные каскады
- •3.2.6.1. Работа транзистора при больших уровнях сигнала Построение динамических характеристик
- •Выходная динамическая характеристика
- •Входная динамическая характеристика
- •Проходная и сквозная динамические характеристики
- •Режимы работы транзистора
- •3.2.6.3. Двухтактные оконечные каскады
- •Двухтактный каскад усиления в режиме «а»
- •3.2.6.4. Схемы двухтактных оконечных каскадов и их свойства
- •Двухтактные каскады с параллельным питанием
- •Двухтактные каскады с последовательным питанием
- •Вопросы для самопроверки
- •Операционные усилители
- •Вопросы для самопроверки
- •3.2.8. Устройства регулировки усиления, перемножения и деления сигналов Регуляторы усиления
- •Плавная регулировка усиления
- •Ступенчатые регуляторы
- •Устройства перемножения и деления сигналов
- •Вопросы для самопроверки
- •3.2.9. Усилители высокой чувствительности
- •Вопросы для самопроверки
- •3.2.10. Активные rc–фильтры
- •Звенья фнч и фвч первого порядка
- •Вопросы для самопроверки
- •Заключение
- •3.3. Глоссарий (краткий словарь терминов)
- •3.4. Методические указания к выполнению лабораторных работ общие указания
- •Охрана труда и техника безопасности
- •Работа 1 исследование свойств отрицательной обратной связи
- •I. Цель работы
- •II. Основные теоретические положения
- •III. Описание лабораторной установки
- •IV. Порядок выполнения работы
- •V. Содержание отчёта
- •III. Описание лабораторной установки
- •IV. Порядок выполнения работы
- •V. Содержание отчёта
- •III. Описание лабораторной установки
- •IV. Порядок выполнения работы
- •V.Содержание отчёта
- •Работа 4 исследование оконечного каскада при работе транзисторов в режиме «а»
- •I. Цель работы
- •II. Основные теоретические положения
- •III. Описание лабораторной установки
- •IV. Порядок выполнения работы
- •V. Содержание отчёта
- •III. Порядок выполнения работы
- •IV. Содержание отчёта
- •3.5. Методические указания к проведению практических занятий
- •Практическое занятие № 1
- •Расчёт делителя в цепи базы транзистора Каскады предварительного усиления представляют собой обычно резис-тивный каскад оэ или ок с эмиттерной стабилизацией исходного режима ра-боты транзистора.
- •Для каскада ок, схема которого изображена на рис. 2:
- •Практическое занятие № 2 Расчёт элементов низкочастотной и высокочастотной коррекции частотных характеристик каскада
- •Практическое занятие № 3 Расчёт транзисторов оконечного каскада по выходной и входной цепям
- •4. Блок контроля освоения дисциплины Общие указания
- •4.1. Задание на контрольную работу и методические указания к её выполнению.
- •Методические указания к выполнению контрольной работы
- •Содержание расчётов
- •4.2. Задание на курсовой проект и методические указания по его выполнению
- •Задачи проектирования и порядок выполнения курсового проекта
- •4.2.2. Варианты заданий в зависимости от функционального назначения рассчитываемые усилите-ли делятся на основные четыре группы.
- •4.2.3. Выбор технических решений
- •4.2.3.1. Оконечный каскад
- •4.2.3.2. Выбор типа оконечных транзисторов
- •4.2.3.3. Энергетический расчёт режима оконечного каскада
- •Расчёт по выходной цепи и далее был выполнен в контрольной работе (раздел 4.1, пункты 1…15).
- •4.2.3.4. Расчёт коэффициента гармоник оконечного каскада
- •4.2.3.5. Предоконечный каскад
- •4.2.3.6. Блок предварительного усиления
- •Резистивные каскады оэ и ок
- •Каскад ои на полевом (униполярном) транзисторе
- •Дифференциальный каскад
- •4.2.3.7. Входные цепи
- •4.2.4. Построение схем и расчёт цепей общей отрицательной обратной связи
- •4.2.4.1. Выбор глубины общей оос
- •4.2.4.2. Построение схем общей оос
- •Цепь общей отрицательной обратной связи по переменному току
- •Расчёт цепи общей оос по переменному току
- •4.2.5. Проверка чувствительности усилителя
- •4.2.6. Питающие устройства
- •4.2.7. Построение структурных схем усилителей
- •Оформление курсового проекта
- •Курсовой проект должен содержать пояснительную записку с необходи-мым графическим материалом.
- •Тесты текущего контроля
- •Тест № 1
- •Тест № 2.
- •Тест № 3.
- •Тест № 4.
- •Тест № 5
- •Тест № 6
- •Тест № 7
- •Тест № 8
- •Правильные ответы на тренировочные тесты текущего контроля
- •Итоговый контроль вопросы к экзамену по дисциплине «схемотехника аналоговых электронных устройств»
- •Справочные данные транзисторов большой мощности
- •Содержание
Практическое занятие № 3 Расчёт транзисторов оконечного каскада по выходной и входной цепям
Содержание практического занятия № 3 совпадает с методическими ука-заниями к контрольной работе, приведёнными в разделе 4.1 (пункты 1...6). Исходные данные для расчёта и требуемые транзисторы приведены в таблице 1 и приложениях 1 и 2.
4. Блок контроля освоения дисциплины Общие указания
Блок контроля освоения дисциплины включает:
Текущий контроль успеваемости;
Методические указания к выполнению контрольной работы;
Методические указания по курсовому проектированию;
Итоговый контроль.
Текущий контроль предполагает использование тренировочных и конт-рольных тестов по тематике разделов, соответствующих первой и второй час-тям дисциплины САЭУ.
Методические указания к выполнению контрольной работы также входят в блок контроля освоения дисциплины, так как в первом семестре студенты очно-заочной и заочной форм обучения спец 210302.65 выполняют одну конт-рольную работу, задание на которую и методические указания к её выполне-нию приводятся в разделе 4.1.
Промежуточная аттестация за первый семестр завершается сдачей зачёта.
Студенты с элементами ДОТ получают зачёт, набрав не менее 45 баллов.
Во втором семестре студенты выполняют лабораторные работы, курсовой проект, решают два контрольных теста (№ 7 и № 8) и сдают экзамен.
В разделе 2.6 «Балльно-рейтинговая система оценки знаний», стр.15, по-ясняется, каким образом студенты набирают необходимое количество баллов в первом и втором семестрах.
Итоговый контроль сводится к сдаче экзамена. Вопросы к экзамену при-ведены в разделе 4.4 – Итоговый контроль.
4.1. Задание на контрольную работу и методические указания к её выполнению.
Студенты выполняют одну контрольную работу, в которой необходимо рассчитать бестрансформаторный двухтактный оконечный каскад на составных транзисторах. Схема рассчитываемого каскада приведена на рисунке 1.
Вариант исходных данных выбирается из таблицы 1 в соответствии с дву-мя последними цифрами шифра студента.
Рис. 1. Бестрансформаторный оконечный каскад на составных транзисторах
Таблица 1.
Вар. |
, Вт |
, Ом |
, Гц |
Тип транзистора |
Номера характерис-тик |
Тип транзистора , |
Номера характерис-тик |
00 |
5,5 |
7,0 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
01 |
6,0 |
8,0 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
02 |
7,0 |
12 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
03 |
0,8 |
10 |
80 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
04 |
6,6 |
8,0 |
60 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
05 |
1.5 |
12 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
06 |
2,5 |
10 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
07 |
1,0 |
14 |
65 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
08 |
0,4 |
17 |
80 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
09 |
4,2 |
5,0 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
10 |
1.2 |
9,0 |
100 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
11 |
1,3 |
11 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
12 |
8,4 |
4,0 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
13 |
1,3 |
6,0 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
14 |
0,95 |
5,0 |
60 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
15 |
2,5 |
12 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
16 |
4,5 |
6,0 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
17 |
5,4 |
7,0 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
18 |
4,0 |
10 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
19 |
3,0 |
8,0 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
20 |
3,0 |
10 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
21 |
5,0 |
10 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
22 |
4,0 |
12 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
23 |
1,6 |
20 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
24 |
0,9 |
15 |
60 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
25 |
5,5 |
10 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
26 |
40 |
6,0 |
80 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
27 |
5,0 |
8,0 |
60 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10,11 |
28 |
6,0 |
8,0 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
29 |
0,5 |
6,0 |
70 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
30 |
1,0 |
14 |
60 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
31 |
0,9 |
10 |
80 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
32 |
1,0 |
10 |
70 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
33 |
0,35 |
10 |
80 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
34 |
9,4 |
15 |
50 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
Продолжение таблицы 1
Вар. |
, Вт |
, Ом |
, Гц |
Тип транзистора |
Номера характерис-тик |
Тип транзистора , |
Номера характерис-тик |
35 |
1,45 |
6,0 |
40 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
36 |
0,65 |
12 |
60 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
37 |
0,15 |
10 |
50 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
38 |
5,6 |
15 |
70 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
39 |
6,3 |
8,0 |
60 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
40 |
0,8 |
5,0 |
80 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
41 |
1,5 |
10 |
60 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
42 |
7,5 |
12 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
43 |
1,1 |
12 |
70 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
44 |
8,2 |
15 |
60 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
45 |
28 |
16 |
70 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
46 |
33 |
18 |
60 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
47 |
1,5 |
15 |
80 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
48 |
0.25 |
20 |
60 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
49 |
0,4 |
15 |
70 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
50 |
35 |
15 |
80 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
51 |
25 |
12 |
70 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
52 |
0,3 |
15 |
60 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
53 |
0,4 |
10 |
80 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
54 |
10,5 |
10 |
50 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
55 |
0,6 |
15 |
60 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
56 |
27 |
10 |
80 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
57 |
12 |
12 |
60 |
КТ 817 |
5,6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
58 |
15 |
16 |
50 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
59 |
1,0 |
10 |
80 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
60 |
1,0 |
20 |
70 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
61 |
15 |
10 |
100 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
62 |
0,2 |
12 |
80 |
КТ 815 |
7,8 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
63 |
5,0 |
8,0 |
100 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
64 |
10 |
16 |
62 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
65 |
32 |
14 |
80 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
66 |
40 |
10 |
100 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
67 |
25 |
8,0 |
80 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
68 |
30 |
6,0 |
70 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
69 |
35 |
4,0 |
100 |
КТ 819 |
3,4 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
Окончание таблицы 1
Вар. |
, Вт |
, Ом |
, Гц |
Тип транзистора |
Номера характерис-тик |
Тип транзистора , |
Номера характерис-тик |
70 |
1,0 |
18 |
80 |
КТ 815 |
7, 8 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
71 |
14 |
12 |
70 |
КТ 817 |
5,6 |
КТ 503, КТ 502 |
12, 13 |
72 |
12 |
10 |
60 |
КТ 817 |
5,6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
73 |
40 |
15 |
80 |
КТ 819 |
3,4 |
КТ 503, КТ 502 |
7, 8 |
74 |
5,0 |
16 |
100 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
75 |
6,0 |
8,0 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
76 |
7,0 |
16 |
63 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 815, КТ 814 |
10, 11 |
77 |
8,0 |
16 |
40 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
78 |
9,0 |
8,0 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
79 |
10 |
16 |
63 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
80 |
11 |
10 |
50 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
81 |
12 |
15 |
60 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
82 |
33 |
15 |
100 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
83 |
14 |
10 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
84 |
15 |
16 |
40 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
85 |
6,0 |
10 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
10, 11 |
86 |
37 |
10 |
80 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
87 |
48 |
18 |
100 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
88 |
39 |
10 |
80 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7,8 |
89 |
5,0 |
4,0 |
63 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
90 |
11 |
8,0 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
91 |
2,0 |
16 |
80 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
14, 15 |
92 |
13 |
8,0 |
100 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
93 |
26 |
12 |
80 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
94 |
8,0 |
8,0 |
63 |
КТ 817 |
5, 6 |
КТ 503, КТ 502 |
9, 11 |
95 |
30 |
15 |
100 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
96 |
35 |
8,0 |
80 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
97 |
44 |
10 |
100 |
КТ 819 |
1,2 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
98 |
44 |
4,0 |
80 |
КТ 819 |
3,4 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
99 |
48 |
4,0 |
63 |
КТ 819 |
3,4 |
КТ 815, КТ 814 |
7, 8 |
В таблице приняты следующие обозначения:
–мощные транзисторы верхнего и нижнего плеча одного ти-па проводимости;
-– маломощные транзисторы разного типа проводимости, то есть комплементарные пары;
–выходная мощность оконечного каскада;
–сопротивление нагрузки, на котором выделяется заданная мощ-ность;
–нижняя граничная частота усиления.
Примечание: обратите особое внимание на столбцы с номерами характе-ристик транзисторов. Эти номера соответствуют тем парам характеристик, ко-торые приводятся в приложении 1 и должны быть использованы при выполне-нии контрольного задания.