Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
УМК САЭУ_.doc
Скачиваний:
215
Добавлен:
02.04.2015
Размер:
27.98 Mб
Скачать

Каскад ои на полевом (униполярном) транзисторе

Полевой транзистор применяется в усилителях звуковых частот в основ-ном для реализации каскада с весьма высоким входным сопротивлением. При этом каскад имеет коэффициент усиления по напряжению Ku > 1 (практически порядка 8...10). В целях снижения шумов следует выбирать полевой транзистор с управляющим p-n переходом как имеющий малый коэффициент шума Fш.

Рис. 5. Каскад с ОИ на полевом транзисторе

Известно, что в таком транзисторе исходные напряжения питания стока и затвора должны быть противоположной полярности относительно истока. По-этому подача смещения на затвор наиболее просто осуществляется по схеме, изображённой на рис. 5.

Направление исходного тока Ic0 и полярности питающих напряжений, по-казанные на этой схеме, относятся к полевому транзистору с p-каналом.

Вследствие крайне малого тока затвора (он имеет порядок 10-8 А) падение напряжения на сопротивлении Rз, выбираемом в соответствии с требуемым входным сопротивлением каскада (его порядок 2...5 МОм), практически отсут-ствует, напряжение смещения затвора Uзи0 = Ic0Rз.

Задаваясь минимальным напряжением Ucи0, достаточным для работы тран-зистора в области линейных участков его проходных характеристик и принимая ток Ic0 = (0,5...1) мА, определяют из указанных характеристик необходимое на-пряжение смещения затвора Uзи0. При этом сопротивление в цепи истока

, (39)

напряжение Uзи = (0,5...0,7) В, Ic0  0,5 мА,

сопротивление в цепи стока

, (40)

где Eк0 пр – общее напряжение питания каскада, Uси 0 = (3...5) В.

Коэффициент усиления каскада по напряжению в пределах рабочего диа-пазона частот

КuSRc~ , (41)

где S = (5…7) мА/В – статическая крутизна транзистора по току, а

,

где Rвх сл – входное сопротивление каскада, следующего за каскадом на поле-вом транзисторе (см. выражения 13 и 25).

В указанных частотных пределах входное сопротивление каскада Rвх = Rз, а его выходное сопротивление Rвых = Rс. При этом частотные искажения можно считать практически отсутствующими.

Температурная стабилизация вследствие относительно малой температур-ной зависимости тока Iс0, а также ввиду некритичности положения исходной рабочей точки в каскаде с малыми амплитудами напряжений и токов сигнала может не предусматриваться.

Дифференциальный каскад

В последнее время в качестве входного каскада усилителя широко приме-няется дифференциальный каскад, подавляющий синфазные шумы и помехи, а также обеспечивающий существенные преимущества при построении цепи об-щей ООС.

Схема дифференциального каскада приведена на рис. 6. В этой схеме на-пряжение сигнала подаётся на инвертирующий вход (транзистор VT1), а на-пряжение обратной связи – на неинвертирующий (транзистор VT2).

По цепи сигнала плечо дифференциального каскада на транзисторе VT1, работающем при включении ОЭ, изменяет фазу напряжения на . По цепи об-ратной связи сдвиг фаз отсутствует, так как транзистор VT2 используется при включении ОК, а транзистор VT1 – при включении ОБ.

Рис. 6. Дифференциальный каскад

Для эффективного подавления синфазных помех необходимо, чтобы вы-полнялось неравенство

.

В этом случае с достаточной точностью могут применяться такие прибли-жённые выражения:

входное сопротивление каскада по инвертирующему входу:

Rвх VT1  2Rвх оэ + Rдел ос ; (42)

коэффициент усиления по напряжению инвертирующего плеча

(43)

(коэффициент усиления этого плеча по отношению к петле общей ООС при оговорённом условии выбора Rэ можно считать также равным Ku VT1);

входное сопротивление каскада по инвертирующему входу:

Rвх VT2  2Rвх оэ + Rист ; (44)

коэффициент передачи по напряжению неинвертирующего плеча:

; (45)

входное сопротивление инвертирующего и неинвертирующего плеч с учё-том делителя

Rвх VT1=Rвх VT1||Rдел;Rвх VT2=Rвх VT2||Rдел. (46)

В выражениях (40) ... (43):

Rвх оэ = rб + rэ (0 +1), (47)

Rдел ос = Rдел || Rос , (48)

Rист = Rист || Rдел; Rдел = R1 || R2 (49)

Rк ~ определяется из выражения (23).

В приведённых выражениях параметры транзисторов VT1 и VT2 предпо-лагаются одинаковыми.

Выбор и расчёт режима транзисторов выполняется следующим образом:

Uкэ0 = (0,1…0,2)Eк0 пр; URк = (0,4…0,5)Eк0 пр;

Iк0 = (0,2…0,5)мА; URф = 0,1Eк0 пр; (50)

; , (51)

причем необходимо, чтобы выполнялось неравенство

. (52)