Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Martynov_Sil-elektCh2_Invertory

.pdf
Скачиваний:
94
Добавлен:
11.02.2016
Размер:
4.92 Mб
Скачать

По формуле (123) определим «разрешенные» частоты выходного напряжения при условии m1 = 3, f1 = 50 Гц и различных значениях числа интервалов длительностью Т1/m1. Результаты расчетов сведем в табл. 6.

Таблица 6

«Разрешенные» значения частоты выходного напряжения ПЧНЕ

n

0

1

2

3

4

 

 

 

 

 

 

f2, Гц

50

30

21,428

16,666

13,363

 

 

 

 

 

 

Данные табл. 6 подтверждают, что регулирование частоты выходного напряжения ПЧНЕ носит дискретный характер.

Для получения плавного регулирования частоты выходного напряжения необходимо вводить паузу ϕп между закрытием и открытием очередных групп вентилей. Тогда выходная частота определяется по формуле

f2 =

f1m1π

 

.

(124)

π(2n+m )

m

 

1

ï

1

 

 

Определим действующее значение выходного напряжения ПЧНЕ при «прямоугольном синусе» формы кривой модулирующего сигнала.

Среднее значение импульса полуволны выходного напряжения

U

=

m1

 

 

π

cosα,

 

 

2

U sin

(125)

π

m

cð 2α

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

где U1 действующее значение напряжения фазы питающей сети. Амплитуда первой (основной) гармоники выходного напряже-

ния U2(1) определяется по формуле

U

=

4Ucð 2α

,

(126)

 

2(1)m

 

π

 

 

 

 

а действующее значение напряжения на выходе ПЧНЕ при «прямоугольном синусе» модулирующего сигнала

 

 

U2(1)m

 

 

4m

 

π

 

 

U

=

 

 

 

=0,9U

=

1

U sin

 

cosα.

(127)

 

 

 

π2

m1

2

 

2

 

ñð 2α

 

1

 

 

121

Таким образом, при изменении угла регулирования α в пределах 0 < α < 90° действующее значение выходного напряжения регулиру-

ется в пределах от U2max = [4m1U12]sin(π/m1) до нуля.

На рис. 54 приведена схема ПЧНЕ с трехфазным выходом, каждая выходная фаза которого выполнена по схеме, подобной приведенной на рис. 50.

Данный ПЧ с трехфазным выходом имеет систему импульсно-фа- зового управления (СИФУ), которая вырабатывает импульсы управления, подаваемые на вентили силовой схемы (V1–V18). На выходе ПЧНЕ формируется трехфазное напряжение, фазы которого (U2а, U2b, U2с) имеют между собой 120-градусный временной сдвиг.

Достоинства и недостатки ПЧНЕ

Достоинства ПЧНЕ.

1. Коммутация тока в тиристорах преобразователя происходит за счет напряжения питающей сети, вследствие чего не требуется применять какие-либо специальные коммутирующие устройства, например, конденсаторы.

2. Преобразователь позволяет осуществлять двусторонний обмен энергии: из питающей сети в цепь нагрузки и обратно, из цепи нагрузки в питающую сеть. Благодаря этому обеспечивается любой режим работы нагрузки (двигательный или генераторный) и при любом значении коэффициента мощности нагрузки без применения каких-либо специальных компенсирующих устройств.

3. Преобразователь позволяет осуществлять плавное регулирование напряжения нагрузки.

A

 

 

 

 

B

 

 

 

 

C

 

 

 

 

0

 

 

 

 

V1 V3 V5 V4

V6

V2 V7 V9 V11 V10V12V8 V13V15V17V16V18V14

 

 

Lу1

Lу1

Lу3

 

 

 

U2b

U2c

U2a

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 54. Схема ПЧНЕ с трехфазным выходом

 

122

4. Кривая тока нагрузки ПЧНЕ может быть приближена к синусоидальной путем применения соответствующих алгоритмов управления.

Недостатки ПЧНЕ.

1. Преобразователь потребляет из питающей сети значительную реактивную мощность, что оказывает существенное влияние на величину коэффициента мощности преобразователя. Причем, чем глубже диапазон регулирования величины выходного напряжения, тем меньше коэффициент мощности преобразователя.

2. Диапазон регулирования частоты выходного напряжения существенно ограничен. На практике максимальная частота выходного напряжения не превышает одной трети частоты питающей сети.

3. Для исключения постоянной составляющей и субгармоник в кривой выходного напряжения регулирование частоты выходного напряжения приходится изменять дискретно.

4. Преобразователь содержит большое количество вентилей, что удорожает его и усложняет схему управления.

5. Выходное напряжения ПЧНЕ имеет в своем составе большое количество высших гармоник, что приводит к увеличению потерь мощности в двигателе и повышает температуру его нагрева.

Если провести сравнение способов управления ПЧНЕ, то можно видеть, что в ПЧНЕ с раздельным способом управления принципиально отсутствуют уравнительные токи и меньше установленная мощность элементов силовой схемы и более высокие энергетические характеристики. Однако следует отметить и недостатки ПЧНЕ с раздельным способом управления.

Так, при малых нагрузках ПЧНЕ c раздельным способом управления в режиме прерывистых токов увеличивается коэффициент искажения формы кривой выходного напряжения. Искажение кривой выходного напряжения также увеличивается с ростом выходной частоты. Одновременно в кривой выходного напряжения появляются субгармонические составляющие, обусловленные дискретностью работы вентилей и некратностью частот питающей сети и выходной сети. С учетом сказанного выше, для электроприводов, где к качеству кривой выходного напряжения ПЧНЕ предъявляются высокие требования, целесообразно применять совместный способ управления, принимая одновременно меры по оптимизации параметров внутреннего контура схемы ПЧНЕ [9].

В заключение можно отметить, что в настоящее время существует достаточно много решений, позволяющих в той или иной мере уменьшить недостатки ПЧНЕ. Так, например, в работе [10] рассмотрена

123

схема ПЧНЕ, которая дополнена неуправляемым выпрямителем и зависимым инвертором, что позволило уменьшить величину уравнительных токов, возникающих в ПЧНЕ при совместном способе управления в моменты смены полярности полуволны выходного напряжения, и увеличить верхний предел частоты выходного напряжения.

ПЧН с искусственной коммутацией вентилей

Выходная частота ПЧНИ может быть как меньше частоты питающей сети, так и больше ее. Искусственная коммутация вентилей может осуществляться посредством применения в ПЧ специальных устройств для принудительного выключения тиристоров, например коммутирующих конденсаторов. В связи с этим многие схемы ПЧНИ имеют определенное сходство со схемами инверторов тока, которые были рассмотрены выше.

Схема ПЧНИ (рис. 55) содержит четыре тиристора Т1–Т4, трансформатор Т, конденсатор С и дроссель L. При положительной полуволне напряжения питающей сети импульсы управления поочередноподаютнатиристорыТТ2.ПриоткрытиитиристораТ1токпроходит через тиристор Т1, полуобмотку трансформатора и дроссель. Коммутирующий конденсатор заряжается, при этом на его левой обкладке появляется положительный потенциал. Напряжение первичной полуобмотки трансформатора трансформируется во вторичную обмотку трансформатора. Через интервал времени, равный полупериоду выходного напряжения, поступает импульс управления на открытие тиристора Т2. Тиристор Т2 открывается, напряжение коммутирующего конденсатора С прикладывается к тиристору Т1

u1 f1

T1

T3

L

T2

 

 

T4

C

Zнг

u2; f2

Рис. 55. Однофазный преобразователь частоты с непосредственной связью и искусственной коммутацией вентилей (ПЧНИ 1/1)

124

в обратном, т. е. запирающем, направлении. Тиристор Т1 закрывается. Ток начинает проходить через тиристор Т2, вторую полуобмотку трансформатора и дроссель. Коммутирующий конденсатор перезаряжается на обратную полярность и т. д. В качестве одного из недостатков этой схемы преобразователя следует указать на то, что амплитуда выходного напряжения не постоянна, а промодулирована с частотой, равной двойной частоте напряжения питающей сети (рис. 56). Кроме этого, зависимость устойчивости работы этого преобразователя от величины и характера нагрузки практически носит такой же характер, как и у инвертора тока параллельного типа.

Для уменьшения глубины модуляции амплитуды выходного напряжения ПЧНИ следует запитать преобразователь от трехфазной сети (рис. 57).

u

u2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

u1

 

 

T1

T1

T4

T4

t

 

 

T2

T2

T3

T3

T1

 

 

T1

 

 

 

 

2

 

 

Рис. 56. Временные диаграммы напряжений питающей сети (---) и выходного (––) напряжения ПЧНИ 1/1: u1 – напряжения питающей сети; u2 – напряжения нагрузки

А

 

f1; u1

 

 

 

 

 

 

 

 

В

 

 

 

 

 

С

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

T1

T3

T5

T4

T6

T2

Zнг

u2; f2

Рис. 57. Преобразователь частоты с непосредственной связью и искусственной коммутацией вентилей (ПЧНИ 3/1)

125

Благодаря принудительной коммутации вентилей в ПЧНИ можно получить частоту выходного напряжения как меньше, так и больше частоты питающей сети.

Надежность работы ПЧНИ достаточно высока. Например, при срыве коммутации на интервале положительного полупериода напряжения питающей сети открытые тиристоры автоматически будут закрыты на интервале отрицательного полупериода напряжения питающей сети.

Отметим и недостатки ПЧНИ:

 отсутствует возможность регулировать величину выходного напряжения преобразователя;

 в выходном напряжении ПЧНИ содержится большое количество высших гармоник.

Для реализации возможности регулирования величины выходного напряжения ПЧНИ требуется существенное усложнение как силовой схемы, так и схемы управления.

Если вместо тиристоров (не полностью управляемых вентилей) применить полностью управляемые вентили – транзисторы или запираемые тиристоры, ПЧНИ можно выполнить и без коммутирующих конденсаторов. Однако и в этом случае необходимы существенные дополнения силовой схемы и схемы управления для обеспечения возможности рекуперации реактивной энергии нагрузки в питающую сеть.

Вопросы для самоконтроля

1. Укажите способы управления преобразователей частоты без звена постоянного тока.

2. Что означает понятие «согласованное управление»?

3. В чем различие между совместным и раздельным управлением?

4. Дайте оценку возможному диапазону регулирования частоты выходного напряжения ПЧНЕ (по отношению к частоте питающей сети).

5. Как реализуется искусственная коммутация вентилей в преобразователях частоты без звена постоянного тока?

6. Перечислите достоинства и недостатки ПЧНЕ. 7. Перечислите достоинства и недостатки ПЧНИ. 8. Укажите области применения ПЧНЕ и ПЧНИ.

126

5. Справочные данные по элементной базе инверторов и преобразователей частоты

5.1. Справочные данные по транзисторам

 

 

 

 

 

Таблица 7

Мощные транзисторы полевые, корпус ТО220

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Наименование

Технология

Uс-и max, В

Iс N, A

Uс-и, В

 

Pк max, Вт

IRF1104/IR

N, NEX

40

100

2–4

 

170

 

 

 

 

 

 

 

IRF1405/IR

N, NEX

55

169

2–4

 

330

 

 

 

 

 

 

 

IRF710/Its

N, MOS

400

2

2–4

 

38

 

 

 

 

 

 

 

BUZ80A/Ph

N, MOS

800

3

2,1–4

 

75

 

 

 

 

 

 

 

IRF620/STM

N, MOS

200

6

2–4

 

70

 

 

 

 

 

 

 

IRF740/IR

N, NEX

400

10

2–4

 

125

 

 

 

 

 

 

 

IRF6215/IR

P, NEX

–150

13

(–2)–(–4)

 

110

 

 

 

 

 

 

 

IRF9530N/IR

P, NEX

–100

14

(–2)–(–4)

 

110

 

 

 

 

 

 

 

IRF9540N/IR

P, NEX

–100

23

(–2)–(–4)

 

200

 

 

 

 

 

 

 

IRF5305N/IR

N, NEX

–55

31

(–2)–(–4)

 

200

 

 

 

 

 

 

 

IRF5210N/IR

N, NEX

–100

40

(–2)–(–4)

 

87

 

 

 

 

 

 

 

IRF3710/IR

N, NEX

100

57

2–4

 

88

 

 

 

 

 

 

 

IRF3707/IR

N, NEX

30

62

2–4

 

180

 

 

 

 

 

 

 

IRF3706/IR

N, NEX

20

77

0,6–2

 

170

 

 

 

 

 

 

 

IRF1010N/IR

N, NEX

55

85

2–4

 

330

 

 

 

 

 

 

 

STP80NF10/STM

N, MOS

100

80

2–4

 

210

 

 

 

 

 

 

 

STP12NB30/STM

N, MOS

300

12

3–5

 

125

 

 

 

 

 

 

 

STP80NF10/STM

N, MOS

500

12

3–5

 

110

 

 

 

 

 

 

 

STP80NF10/STM

N, MOS

600

6

2–4

 

125

 

 

 

 

 

 

 

STP80NF10/STM

N, MOS

800

5,4

3–5

 

125

 

 

 

 

 

 

 

STP80NF10/STM

N, MOS

1000

5

3–5

 

135

 

 

 

 

 

 

 

127

Таблица 8

Мощные транзисторы полевые, корпус Module-s

Наименование

Iс max,

Uс-и.р,

Pк max,

Rс-и.нас,

Iз-и max,

Rпер-корп,

Θmax р,

 

A

В

Вт

мОм

мA

°С/мВт

°С

EFM119

15

100

1000

200

100

300

125

 

 

 

 

 

 

 

 

EFM109S

12

500

1000

400

100

300

125

 

 

 

 

 

 

 

 

EFM089S

24

100

1000

110

100

300

125

 

 

 

 

 

 

 

 

EFM079M113

32

100

960

140

100

300

150

 

 

 

 

 

 

 

 

EFM049

8

400

1000

800

100

300

125

 

 

 

 

 

 

 

 

BSM181F

34

800

700

320

100

180

150

 

 

 

 

 

 

 

 

BSM151F

56

500

700

110

100

180

150

 

 

 

 

 

 

 

 

BSM121AR

130

200

700

20

100

180

150

 

 

 

 

 

 

 

 

BSM111AR

200

100

700

8,5

100

180

150

 

 

 

 

 

 

 

 

EFM029S

7,0

500

1000

1,1

100

300

125

 

 

 

 

 

 

 

 

IRFPO64N

110

55

200

8,0

100

125

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF540

28

110

150

52

100

125

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF11010N

49

55

58

12

100

125

 

 

 

 

 

 

 

 

IRF3710

57

100

200

20

100

125

 

 

 

 

 

 

 

 

BUZ102S4

52

54

120

16

100

150

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 9

Мощные транзисторы полевые отечественные

Наимено-

Тип

Uс-и max,

Iс N,

Uc-и,

Pк max,

tсп,

tвкл,

tрасс,

вание

корпуcа

В

A

В

Вт

нс

нс

мкс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП946А

ТО220

500

15

0,7

40

55

80

0,7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП948А

ТО220

800

5

0,3

20

100

80

1,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП948В

ТО220

700

5

0,3

20

100

80

1,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП953А

ТО218

800

15

0,45

50

150

150

2,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП953Г

ТО218

600

15

0,45

50

150

150

2,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП954А

ТО220

150

20

0,3

40

50

50

0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП954Б

ТО220

100

20

0,3

40

50

50

0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП954В

ТО220

60

20

0,25

40

50

50

0,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП955А

ТО218

500

25

0,6

50

100

100

1,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КП958А

ТО218

150

30

0,2

70

60

80

0,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2П7160Е

КТ-97В

60

35

0,12

150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

128

 

 

 

 

 

 

Таблица 10

 

 

Транзисторы IGBT, корпус ТО220

 

 

 

Производитель International Rectifier

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Наименование

 

Uкэ max, В

Iк, А

Uкэ.нас

Pк max, Вт

 

tвкл, нс

IRG4BC10К

 

600

9

2,39

38

 

11

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC10SD

 

600

14

1,58

38

 

76

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC20F

 

600

16

1,66

60

 

24

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC20SD

 

600

19

1,40

60

 

62

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC20UD

 

600

13

1,85

60

 

39

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC30FD

 

600

31

1,59

100

 

42

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC30FD

 

600

28

2,21

100

 

60

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC30S

 

600

34

1,40

100

 

22

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC30U

 

600

23

1,95

100

 

17

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC40F

 

600

49

1,50

160

 

26

 

 

 

 

 

 

 

 

IRG4BC30S

 

600

40

1,72

160

 

34

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 11

Высоковольтные IGBT транзисторы

 

 

 

Iк max,

Uкэ.нас,

Uупр,

Pк max,

tвкл +

fперекл max,

Наименование

U

кэ

+ t ,

 

 

A

В

В

Вт

выкл

кГц

 

 

 

мкс

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ВUР213

1200

32

3,3

5,5

200

0,045

10

 

 

 

 

 

 

 

 

ВUР309

1600

25

3,5

5,5

310

0,055

10

 

 

 

 

 

 

 

 

ВUР314

1200

52

2,7

5,5

300

0,065

10

 

 

 

 

 

 

 

 

ВUР314D

1200

52

2,7

5,5

300

0,065

10

 

 

 

 

 

 

 

 

ВUР314S

1200

25

5,5

5,5

300

0,06

10

 

 

 

 

 

 

 

 

PM10CZF120

1200

10

2,7

6,0

62

2,1

10

 

 

 

 

 

 

 

 

PM15CZF120

1200

15

2,7

6,0

83

2,1

10

 

 

 

 

 

 

 

 

PM100CZA120

1200

100

2,3

6,0

593

2,9

10

 

 

 

 

 

 

 

 

PM300DSA120

1200

300

2,3

6,0

1790

2,9

10

 

 

 

 

 

 

 

 

PM300DSA120

1200

800

2,5

6,0

4630

3,4

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

129

Таблица 12

Мощные транзисторы биполярные отечественные

 

 

, В

, В

,A

,

,Вт

ед.,

, В

мкс,

мкс,

 

 

А

Наименование

Тип корпуса

 

 

 

max

 

 

 

 

 

U

U

I

I

P

h

U

t

t

 

 

кэ.огр

пробкб0,

maxк

к.имп

maxк

21Э

кэ.нас

расс

сп

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ704

КТ-10

600

1000

2,5

4,0

15

10–100

≤5,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ810А

КТ-28

500

850

5

7,0

70

10–50

≤1,0

≤4,0

≤0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ812А

КТ-9

350

700

10

12,0

50

5–30

≤2,5

≤3,5

≤1,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ818А

КТ-28

400

700

4

8,0

50

10–60

≤0,5

≤1,8

≤0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ826Б

КТ-9

600

1000

1

1,0

15

10–120

≤2,5

≤2,5

≤0,7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ838А

КТ-9

700

1500

5

7,5

56

6–35

≤1,0

≤10

≤1,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ844А

КТ-9

250

250

10

20

50

10–50

≤2,5

≤2,0

≤0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ846А

КТ-9

700

1500

5

7,5

40

15–100

≤1,5

≤4,0

≤0,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ847А

КТ-9

360

650

15

25,0

125

≥8

≤1,5

≤3,0

≤0,8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ858А

КТ-28

200

400

7

10,0

60

≥10

≤1,0

≤2,5

≤0,7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ935Б

КТ-97

75

150

20

30,0

90

15–50

≤1,0

≤1,5

≤0,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ997А

КТ-28

45

45

10

20,0

50

40

≤1,0

≤0,5

≤0,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2КТ945А

КТ-9

150

150

15

25,0

50

12–60

≤2,5

≤1,1

≤0,24

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2КТ998

КТ-10

55

100

15

15,0

50

≥30

≤1,5

≤0,2

≤0,05

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т827А

КТ-9

100

100

20

40

125

≥750

≤2,0

≤4,5

≤1,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т834А

КТ-9

400

500

15

20

100

≥150

≤2,0

≤6,0

≤0,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

130

Соседние файлы в предмете Основы преобразовательной техники