Энергия, эВ

1 – рентгенолюминесценция; 2 – фосфоресценции; 3 - фотостимулированная люминесценция

Рисунок 4.11 - Спектры люминесценции кристалла

температуре 300 К

^NaSO4 облученного при

Мы предполагаем, что положение этих полос излучения должно зависеть

4

от температуры и времени облучения: расположение дырок (SO^

- радикалов) в

зависимости от температуры облучения, по различным кристаллографическим направлениям связана с существованием в сульфатах щелочных металлов несколько фазовых переходов.

Например, в кристаллах

LiKSO₄ существует 10 фазовых переходов при

температурах 30, 60, 80, 135, 165, 190, 205¸708 и 943 К. Авторы работы [57] в



облученном при 80 К кристалле

LiKSO₄ Tl

показали что

SO₄ - радикалы

расположенные возле примеси

Tl ^(Tl ^2) при определенных температурных

интервалах могут переходит в другие типыTl ^2- центров. Изменение

интенсивности линий сигналов ЭПР взависимости от температуры соответствующих различным Tl ^2– центром показано на рисунке 4.13.

1 – пик ТСЛ при 140К; 2 – пик ТСЛ при 185–190К; 3 – пик ТСЛ при 175 К; 4 – 195 К

Рисунок 4.12 - Спектры создания пиков ТСЛ К кристалла

LiKSO₄

Намиобнаружено появление пиков ТСЛ в тех температурныхинтервалахв

которых преобразуются

Tl ^2- центров.Мы экспериментально показали

появление пиков ТСЛ при температурах 160 и 205 К (рисунок 4.13). Возможно

при этих температурах часть

SO^-радикалов излучательно рекомбинируют с

4

электронными центрами захватов, оставшейся часть в момент фазовых переходов переориентируются в другие типыTl ^2- центров.

4

Авторами работ [56] в облученных кристаллах CaSO₄ методами ЭПР

показаны образование

SO^

центры различной термической стабильности в

температурном интервале от 360 К до 450 К. Как известно, термическая стабильность дырок определяется энергетическими расстояниями от локального уровня в запрещенной зоне до потолка валентной зоны.

1,0

^V IV

1

III

0,5

0

175 200 225

Температура, К

0,0

80 120 160 200 240 280 320 360 400

Температура, к

Рисунок 4.13 – спектр ТСЛ кристаллов, на вставке – температурная

зависимость линий ЭПР

_Tl 2

• центров в облученном при 80 К кристаллах[56]

Существование дырок различной термической стабильности означает, что над потолком валентной зоной (в запрещенной зоне) располагаются локальные уровни, отстоящие на различных расстояниях до валентной зоны. Аналогичная ситуация должны реализовываться и для электронных центров захватов. В результате в запрещенной зоне реализуются электронно-дырочные центры захвата с различными энергетическими расстояниями, а вторые - при туннельной и термоактивационной рекомбинаций электронов с дырками, образуется широкая полоса с несколькими максимумами.

С увеличением времени облучения, при облучении ультрафиолетовой или рентгеновской радиацией в сульфатах щелочных металлов должны накапливаются электронные и дырочные центры захвата. Накопление дефектов связанно с двумя процессами:

• с увеличением времени облучения - создаются новые центры захватов;

• обратное уничтожение созданных центров захватов, если вновь созданный центр захвата попадет в радиус обратной рекомбинаций существующего центра другой зарядности.

В результате наложения двух процессов происходит накопление центров захватов. С увеличением времени облучения постепенно преобладает первый

процесс и концентрация коррелированных центров захватов увеличивается. При этом, изменяется геометрическое и энергетическое расстояние центров захватов. Этот эффект в радиационной физике давно известен. С увеличением концентраций дефектов полосы поглощения или излучения, соответствующие электронным переходам между разноименными центрами захватов смещаются в более длинноволновую область спектра. Нами экспериментально установлено, что спектральные положения полос фосфоресценций, РЛ и спектральный состав пиков ТСЛ одновременно смещаются в более длинноволновую область спектра при увеличении времени облучения (рисунок 4.14).

Такие эффекты относятся к фундаментальным процессам. Если эти полосы излучения относились бы к неконтролированным примесям, тогда внутрицентровые полосы изучения, соответствующие примесям, не смешались бы в длинноволновую область спектра.

На рисунке 4.14 (с) показана РЛ кристалла KNaSO₄. В спектре РЛ при 300 К, 80 К появляются полосы изучения с разными максимумами в пределах широкой полосы изучения. В кристаллах, находящихся в разных фазовых

состояниях (при 300 К и 780 К), возникают

SO^

- радикалы различного

4

кристаллографического направления, обладающие соответствующими локальными уровнями относительно потолка валентной зоны.

Существование широкой полосы излучения показано на примере зонной схемы для кристаллов._. На рисунке 4.15 показан спектр РЛ, фотолюминесценции, спектр возбуждения широкой полосы изучения, фотостимулированной люминесценции при 300 К кристаллов Na₂SO₄ .

Ами установлено, что во время облучения рентгеновской радиацией или

ультрафиолетовой радиацией с энергией фотоновболее 5,5 эВобразуються

электронно-дырочные пары, которые при автолокализациисоздают радикалы, при захвате электронов анионными комплексами - создают

SO^-

4

4

SO^3.

4

Локальные уровни, соответствующие автолокализованным дыркам (SO^-

радикалы), располагаются в запрещенной зоне над валентной зоной (рисунок 4.15), с электронных центрах захвата - под зонной проводимости:

а) РЛ возникает при рекомбинации электронов с автолокализованной дыркой;

б) фотолюминесценция наблюдается при рекомбинации фотоэлектронов, созданных УФ радиацией с автолокализованной дыркой;

в) фотостимулированная люминесценция проявляется после высвобождения электронов из локальных электронных центров захвата отстоящих от дна зона проводимости на 1,6 эВ.

4

4

Указанные рекомбинационные процессы никак не связаны с неконтролируемыми примесями, что доказывает существование

коррелированных электронных

_SO3

• и дырочных

SO^

• радикалов.

1,0 _a)

2

0,5

1 ₃

Li₂SO₄:H₂O

0,0

1,0 _b)

0,5 ₁ ²

3

0,0

Li₂SO₄:H₂O

KNaSO₄

₄ c) ₁

2

2

2 3 4 5 6

Энергия, эВ

1 – рентгенолюминесценция, 2 – тунельная люминесценция, 3-

спектральный состав пиков TCJI при 150-160 К

Рисунок 4.14 - Одновременное смещение спектральных положений полос фосфоресценций, РЛ и спектрального состава пиков ТСЛ в более

длинноволновую область спектра при увеличении времени облучения,

Рисунок 4.15 - Спектр РЛ, фотолюминесценции, спектр возбуждения широкой полосы изучения, фотостимулированной люминесценции при 300К

кристалла Na₂SO₄

Выводы по четвертому разделу

1. На основании измерения пиков ТСЛ и фосфоресценции экспериментально установлено, что существуют электронно-дырочные центры захвата, которые создаются в сульфатах щелочных металлов при облучении фотонами с энергией 5-6,2 эВ.

2. При облучении рентгеновским излучением и фотонами с энергией (9- 11,5) эВ и (5-6,2) эВ - создаются одни те же электронно-дырочные центры захвата.

3. Образование электронно-дырочных центров захватов с различными энергетическими и геометрическими расстояниями свидетельствуют о существовании в сульфатах щелочных металлов разных локальных уровней внутривалентной зоны, в которой осуществляется переход в возбужденное состояние.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании выполненных исследований сделаны следующие выводы:

• 4

  На основании экспериментальных данных установлено, что спектры излучения и возбуждения во всех исследуемых кристаллах отличаются незначительно. Полоса излучения и возбуждения связана с электронными переходами на анионном комплексеSO^2- .

• Появление нескольких полос излучения и возбуждения объясняется

существованием валентных электронов, находящихся в кратных

S O

и однократных

S O

связях, которые имеют выделенную анизотропию

в кристаллографических направлениях.

• Впервые, по результатам измерения пиковТСЛ и спектров фосфоресценции установлено, что электронно-дырочные центры захвата создаются при облучении сульфатов щелочных металлов фотонами с энергией 5-6,2 эВ.

• Впервые установлено, что создаются одни и те же электронно- дырочные центры захвата при облучении рентгеновским излучением и фотонами с энергиями (9-11,5) эВ и (5-6,2) эВ.

• Образование электронно-дырочных центров захвата с различными энергетическими и геометрическими расстояниями объясняется существованием в сульфатах щелочных металлов разных валентных уровней внутри валентной зоны, в которой осуществляется переход в возбужденное состояние.

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Винчелл А.Н., Винчелл Г. Оптические свойства искусственных минералов. – М.: Наука, 1965.

2. Плеханов В.Г., Осминин В.С. Исследование спектров отражения и люминесценции сульфата калия при низкой температуре // Оптика и спектроскопия. – 1975. – T. 38, № 1. – C. 120–122.

3. Bishop D., Radnic M., Morton J.R. // J. Chem. Phys. – 1966. – Vol. 45. – P.

1880.

4 Manne R. // J.Chem. Phys. – 1967. – Vol. 46. – P. 4645.

5 Кинк Р.А., Лийдья Г.Г., Лущик Ч.Б., Совик Т.А. // Изв. АН СССР, сер.

физ. – 1967. – Т.31. – С.58.

6. Плеханов В.Г., Осминин В.С. Спектры отражения сульфатов щелочных металлов при 78 К // Оптика и спектроскопия. – 1975. – Т. 39, В.3. –С. 604–605.

7. Correcher V., Garcia-Guinea J., Lopez-Arce P., Gomes-Ros J.M. Luminescence emission spectra in the temperature range of the structural phase

transition of 1438.

Na₂ SO₄

// Spectrochimica Acta Part A. – 2004. – Vol. 60. – P. 1431-

6. Choi B.K., Lee H.K., Kim Y.W. // Solid State Ion. – 1998. – Vol. 113. – P.

493-499.

6. Kishan Kumar V.S., Acharyulu B.S.V.S.R. and Sastry S.B.S. Redox reaction and thermoluminescence in dysprosium-doped potassium sulphate phosphor // J. of Luminescence. – 1993. – Vol. 55. – P. 43-49.

7. Mohari S.V., Bodade S.V., Sahare P.D., Dhopte S.M., Muthal P.L., Kondavar V.K. // Radiation Effects and Defects in Solids. – 1993. – Vol. 127. – P.177-182.

8. Salah Numan, Sahare P.D., Prasad Awadhesh. // J. of Luminescence. – 2006. – Vol. 121. – P. 497-506.

9. Palmero I.C., Gonzalez-Selgo C., Torres M.E., Marrero-Lopez D., Rivera- Lopez Fernando, Haro-Gonzalez P., Solans X. // J. of Luminescence. – 2008. – Vol. 128. – P. 1025-1028.

10. Гариффулина Р.Л., Крутиков В.Ф., Силкин Н.И., Степанов В.Г. //

Физика твердого тела. – 1972. – Bып. 2. – С.618-621.

6. Kishan Kumar V.S., Acharyulu B.S.V.S.R. and Sastry S.B.S. // Phys. Stat.

Sol. (b). – 1993. – Vol. 175. – P. 287-297.

15 Seitz F. // Rev. mod. Phys. – 1951. – Vol. 23. – P. 328.

16. Tanimura K., Sibley W.A. and DeShazer L.G. // Phys. Rev. B. . – 1985. – Vol. 31. – P. 3980.

17. Kratzig A., Timusk T. and Martinssen W. // Phys. Stat. Sol. – 1965. – Vol.

10. – P. 709.

16. Rambabu B., Ramasastry C. and Chowdari B.V.R. // Phys. Stat. Sol. (b). – 1978. – Vol. 90. – P. 465.

17. Abdulsabirov R.Yu., Greznev Yu.S. and Zaripov M.M. // Soviet Phys. – Solid State. – 1970. – Vol. 12. – P. 509.

16. Abdulsabirov R.Yu., Bogatova T.B, Greznev Yu.S. and Zaripov M.M. // Soviet Phys. – Solid State. – 1972. – Vol. 13. – P. 2091.

17. Arizmendi L., Cabrera J.M. and Agiullo Lopez F. // J. Phys. C. – 1984. – Vol. 17. – P. 515.

22. Kishan Kumar V.S., Acharyulu B. S. V. S. R. and Sastry S.B.S. // Radiation effects and defects in solids. – 1993. – Vol. 127, – P. 215-224

23. Acharyulu B. S. V. S. R., PhD. Thesis. Indian Institute of Technology, Madras, India, 1973.

24. Delbecq C.J., Ghosh A.K. and Yuster P.H. // Phys. Rev. – 1966. – Vol. 151,

– P. 599.

23. Delbecq C.J., Ghosh A.K. and Yuster P.H. // Phys. Rev. – 1967. – Vol. 154,

– P. 797.

23. Butterworth J.S., Esser P.D. and Levy P.V. // Phys. Rev. B. – 1970. – Vol.

2, – P. 3340.

23. Garifullina R.L., Krutikov V.F., Silkin N.I. and Stepanov V.G. // Sov. Phys.

Sol. State. – 1972. – Vol. 14, – P. 525.

23. Hariharan N. andSobhanadri J. // J. Mag. Res. – 1969. – Vol. 1, – P. 639. 29 Gromov V.V. and Morton J.R. // Con. J. Chem. – 1966. – Vol. 54, – P. 527. 30 Danby R.J., Boas J.F., Calvert R.L. and Pilbrow J.R. // J. Phys. . – 1982. –

Vol. 15, – P. 2483.

31. Hariharan N. and Sobhanadri J. // J. Phys. Chem. Solids. – 1969. – Vol. 30,

– P. 778.

31. Edgerton R., and Teegarden K. // Phys. Rev. – 1963. – Vol. 129, – P. 160. 33 Edgerton R., and Teegarden K. // Phys. Rev. – 1964. – Vol. 136, – P.

A1091.

34. Nambi K.S.V., Bapat V.N. and Ganguly A.K. // J. Phys. C. – 1974. – Vol.

7, – P. 4403.

34. Prokic M. // J. Phys. Chem. Solids – 1977. – Vol. 40, – P. 405.

35. Hariharan N. and Sobhanadri J. // Indian J. Pure and Appl. Phys. – 1970. – Vol. 8, – P. 252.

36. Gupta N.M., Luthra J.M. and Shankar J. // Rad. Eff. – 1974. – Vol. 21, – P.

151.

34. Dhoble S.J., Shahare D.I. and Moharil S.V. // Phys. Stat. Sol (a). – 2003. -

Vol. 198, No. 1. – P. 183-187.

34. Luo D., Yu K.N., Zang C.X. and Li G.Z. // J. Phys. D. – 1999. – Vol. 32. – P. 3068.

35. Wang S. // Radiat. Prot. Dosim.– 1988. – Vol. 25. – P. 133.

36. Horowitz A. and Horowitz Y.S. // Radiat. Prot. Dosim. – 1990. – Vol. 33. – P. 267.

37. Bilski P., Budzanwski M. and Olko P. // Radiat. Prot. Dosim. – 1996. – Vol.

65. – P. 195.

34. Luo D., Zang C.X., Leung P.L., Deng Z. and Stokes M.J. // J. Phys. D. – 1998. – Vol. 31. – P. 906.

35. Gundurao T.K., Shinde S.S., Bhatt B.C., Srivastava J.K. and Nambi K.S.V.

// J. Phys.: Condenced Matter. – 1995. – Vol. 7. – P. 6569.

34. V. Gerome, P. Jacconi, D. Lapraz, H. Prevost, A. Bau mer. Radiat. Prat.

Dosim. 65 (1996) №1-4, p. 309.

34. V. Plekhanov, V. Osminin. Opt. Spectros. (USA) 38, (1975). P.67.

35. F. Savikhin, M. Kerikmae, E. Feldbach, A. Lushik, D. Onishik, D. Rakhimov,

I. Togbergenov. Phys. Stat. Sol.(c) № 1. (2005) P. 252.

34. T. Nurakhmetov, A. Lushik, F. Savikhin, I. Togbergenov, A. Kainarbaev,

B. Charapiev, Phys. Stat. Sol. (b).

34. E. Stefanovich, E. Shidlovskaya, A. Shluger, M. Zakharov. Phys. Stat.

Sol.(b) №1. (1990) P.529.

50. I. Togbergenov, T. Nurakhmetov, F. Savikhin and E. Vasil’chenko Molecular excitons and electron-hole processes in K₂SO₄ and CaSO₄ //Radiation Effects & Defects in Solids., 1999, vol.00, P.1-5.

51. F.Savikhin, M.Kerikmae, E.Feldbach, A. Lushchic, D. Onishchik, D. Rakhimov and I. Tokbergenov, Phys. Stat. Sol. (c) 2, No.1, 252-255 (2005).

52. T. Karner, S.A. Dolgov, C F.A. Savikhin, and I.A. Meriloo, Sov. Phys.

Solid State 34, 1835 (1992).

51. I. Tokbergenov, E.Feldbach, M. Kerikmae, A. Lushchic, V. Nagirnyi,

T. Nurakhmetov, F. Savikhin, and E. Vasil’chenko, Radiat. Eff. Defects Solids 150, 103 (1999).

51. I.V. Kityk, B. V. Andrievskii, and F.G. Yuvshenko, phys. stat. sol. (b) 182, K79 (1994).

52. E. Stefanovich, E. Shidlovskaja, A. Shluger, and M. Zakharov, phys. stat. sol. (b) 160, 529 (1990).

53. I.V. Kityk, J. Kasperzyk, and B.V. Andrievskii, Phys. Lett. A 216, 161 (1996).

54. A. Lushchic, I. Kudryavtseva, Ch. Lushchic, E. Vasil’chenko, Vasil’chenko,

M. Kirm, and I. Martinson, Phys. Rev. B, 52, 10069 (1995).

51. Yu. M. Aleksandrov, I. L. Kuusmann, P. Kh. Liblik, Ch. B. Lushchic, V.N. Makhov, T.I. Syreishchikova, and M. N. Yakimenko, Sov. Phys. Solid State 29, 587 (1987).

52. Yu. M. Aleksandrov, V. N. Makhov, P. A. Rodnyi, T. I. Syreishchikova, and M. N. Yakimenko, Sov. Phys. Solid State 26, 1734 (1984).

53. I. V. Katyk, B.V. Andrievskii, and F.G. Yuvshenko, phys. stat. sol. (b) 182, K79 (1994).

54. I. Tokbergenov, E.Feldbach, M.Kerikmae, A. Lushchic, V. Nagirnyi, T. Nurakhmetov, F.Savikhin fbl E. Vasil’chenco, Radiation effects and defects in solids, 1999, Vol. 00, pp. 1-5.

55. Barber M. – J. Chem. Soc. Faraday Trans., Part 2, 1980, v. 76, N 4, P. 441-

445.

3035.

51. Taniguchi K., Henke B. L. – J. Chem. Phys., 1976, v. 64, N 7, P. 3021- 64 Connor J. A., Considine M., - J. Chem. Soc. Faraday Trans., 1978, v. 74, N

7-2, P. 1285-1291.

65. B. Andriyevsky, M. Romanyuk, V. Stadnyk, Journal of Physics andChemistry of Solids, 70, 2009, 1109-1112.

66. I.V. Kityk, J. Kasperczyk, B.V. Andrievskii, Physics Letters A, 216 (1996) 161-166.

67. I. Bolesta, I. Kityk, Y. Furgala and S. Velogosh, Radiation effects and defects in solids, 1995, Vol. 134, pp. 65-68.

68. H. Schulz, U. Zucker and R. Frech, Acta Crystallogr. B 41, 21 (1985).

69. G.J. Perpetuo, M.S.S. Dantas, R. Gazinelli and A. Pimenta, Physical Review B, V. 45, N. 10, pp. 5163-5170.

70. M. L. Bansal, S. K. Deb, A. P. Roy, and V. C. Sahni, Solid State Commun.

36, 1047 (1980).

65. P. E. Tomaszewski and K. Lukaszewicz, Phase Transit. 4, 37 (1983).

66. C. H. A. Fonseca. G. M. Riberio, R. Gazzinelli, and A. S. Chaves, Solid State Commun. 46, 221 (1983).

67. R. Cach, P. E. Tomaszewski, and J. Bornarel, J. Phys. C 18, 915 (1985). 74 S. Bhakay-Tamhane and A. Sequeira, Ferroelectrics 69, 241 (1986).

75. J. Mendes Filho, J. E. Moreira, F. E. A. Melo, F. A. Germano, A. S. B.Sombra, Solid State Commun. 60, 189 (1986).

76. W. Kleeman, F. G. Schafer, and A. S. Chaves, Solid State Commun. 64, 1001 (1987).

77. Y. Y. Li, Solid State Commun. 51, 355 (1984).

78 A. J. Bradley, Philos. Mag. 49, 1225 (1925).

79. M. A. Pimenta, P. Echegut, Y. Luspin, G. Hauret, F. Gervais, and P. Abelard, Phys. Rev. B 39, 3361 (1989).

80. H. Klapper, T. Hahn, and S. J. Chung, Acta Crystallogr. B 43, 147 (1987). 81 P. L. Zhang, Q. W. Yan, and J. X. Boucherle, Acta Crystal-lorg. C 44, 592

(1988).

82 T. Breczewski, T. Krajewski, and B. Mroz, Ferroelectrics 33, 9 (1981). 83 H. Bill, Y. Ravi Sekhar, and D. Lovy, J. Phys. C 21, 2795 (1988).

84 J.R. Byberg, J. Chem. Phys. 84 (11), 1 june 1986, pp. 6083-6085.

85 K. V. S. Rao and M. C. R. Symons,J. Chem. Soc. Dalton Trans. 1972, 147. 86 J. R. Byberg, J.Chem, Phys. 75, 2667 (1981).

87 J. R. Byberg, J.Chem, Phys. 75, 2663 (1981).

88. M.A. Osman, M.A. Hefni, R.A. Mahfouz and M.M. Ahmad, Radiation effects and defects in solids, 2001, Vol. 153, pp. 115-138.

89. E. Cryssou, Phys. Stat. Sol. (a), 99, 1987, pp. K103-K108

90. U. Brunsmann and A. Scharmann, phys. stat. sol. (a) 15, 525 (1973).

91. Gmelins Handbuch der Anorganischen Chemie, Kalium, Syst. No.22, Verlag Chemie GmbH., Berlin 1936 P. 708.

92. K. C. Zhang and X. M. Wang, “Structure Sensitive Prop-erties of KTP- Type Crystals,”Chinese Science Bulletin, Vol. 46, No. 24, 2001, P. 2028-2036.

93. S. M. Ravi Kumar, N. Melikechi, S. Selvakumar and P. Sagayaraj, “Crystal Growth and Characterization of NLO Single Crystals Cd(IO3)2,” Journal of Crystal Growth, Vol. 311, No. 2, 2009, P. 337-334.

88. R. Robert, C. Justin Raj, S. Krishnan and S. Jerome Das, “Growth, Theoretical and Optical Studies on Potassium Dihydrogen Orthophosphate (KDP) Single Crystals by Modified Sankaranarayanan and Ramasamy (mSR) Me- thod,” Physica B: Condensed Matter Physics, Vol. 405, No. 1, 2010, P. 20-24.

89. M. Karppinnen, J. O. Lundgren and R. Liminga, “Struc-ture of Pyroelectric Lithium Potassium Sulphate, LiKSO4,” Acta Crystallographica Section C, Vol. 39, 1983, P. 34- 38.

90. M. A. Pimenta, S. L. V. Vierira, F. O. V. Letelier, N. L. Speziali and M. S. Dantas, “Ionic Conductivity in LiK0.9Na0.1SO4 Single Crystals,” Solid State Communica-tions, Vol. 82, No. 10, 1992, P. 758-757.

91. A. Lunden and J. O. Thomas, “High Conductivity Solid State Conductors: Recent Trends and Applications,” World Scientific, Singapore City, 1986.

92. H. K. Liu, M. L. Hu, W. S. Tse, D. P. Wong and S. J. Lin, “Raman Studies of Low Temperature Phase Transition in LiKSO4,” Chinese Journal of Physics, Vol. 36, No. 3, 1998, P. 542-548.

93. G. Pasupathi, P. Philominathan, Journal of Minerals and Materials Characterization and Engineering, 2012, 11, 904-907.

94. Pimenta M.A., Echegut P., Luspin Y., Hauret G. and Gervais F. High- temperature phase transitions in LiKSO4 //Phys. Rev. B. – 1989. – V. 39. – P. 3361- 3368.

95. Безносиков Б.В., Александров К.С. Кристаллохимия и прогноз соединений АВСХ4.– Красноярск, 1983.– 45 с. – (Препринт/АН СССР, Сиб. Отделение, Ин-т физики; № 243 Ф).

96. Безносиков Б.В., Александров К.С. Кристаллохимические закономерности изменения структур, родственных типу - ^{K 2 SO4} .– Красноярск, 1985.– 44 с. – (Препринт/АН СССР, Сиб. Отделение, Ин-тфизики; № 304 Ф).

97. Berg A.J. van den, Tuinstra F. The space group and structure of - ^{K 2 SO4}

//Acta Crystallogr. –1978. –V.B34. –P. 3177-3181.

88. Krachek F.C. and Kasande C.J., Polymorphism of sodium sulfate: IV. X- ray analysis: J. Phys.Chem.,34, (1930), P. 174l-1744.

89. Frevel K.L., The crystal structure of sodium sulfate III: J. Chem. Phys., 8, (1940), Р. 290.

90. Zacharissen W.H. and Ziegler, G.E. The crystal structure of anhydrous

sodium sulfate,

^{Na 2SO4} , Zeils. f . Krist., 81, (1932), P. 92-l0l.

88. Bredig, M.A., New group of isomorphous compounds Chem. Soc., 63, (1941), P. 2533.

89. Strukturbericht (1928-1932), vol. II, P. 423.

^{A2 XO4} , J. Am.

88. Bellanca A., L'aftitalite nel sistema ternario Periodico di Mineralogia, 13, (1942), P. 21-86.

K ₂SO₄ Na₂SO₄ CaSO_{4 ,}

88. Groth, P., Chemische Krystallographic. Vol. 2, 362 (1908).

89. Bernal, J. D., Proc. Roy. Soc. London (A) 113 (1926) 117.

90. B. Morosin, D. L. Smith // Molecular complexes exhibiting polarization bonding IX, P 906.

113 Larson, A. C. (1965). Acta Cryst. 18, 717.

114. Kokkoros, P. A., Rentzeperis, P. J. (1958). Acta Cryst. 18, 717.

115. Cocco, G., Corazza, E., Sabelli, C. (1965). Z. Kristallorg. 122, 175.

116. 100. Лущик Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочно-галоидных кристаллофосфорах //Труды института физики и астрономии №3 –Тарту. 1955, 230 с.

117. Гурвич А.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высш. Школа, 1982.–376 с.

118. Под ред. академика Кикоина И.К. // Справочник: Таблицы физических величин. – 1976. М.: Атомиздат. – С. 1005

119. Nurakhmetov T.N., Salikhodjaev J.M., Kainarbaev A.D., Zhunusbekov A. M.// Sub Threshold Mechanisms Of Defects Creation In Sulfates Of Alkaline And Alkali Earth Metal. Изв. Вузов. Физика.- 2006.-№10. -С. 150-152.

120. Turlybek Nurakhmetov, Kairat Kuterbekov, Jusupbek Salihoja, Aset Kainarbay, Amangeldy Zhunusbekov, Sapargali Pazylbek, Kenzhebatyr Bekmyrza. Correlated Defects and the Transformation of Energy in Irradiated Oxyanioniс Crystals Journal of Luminescence – V.146 (2014), 243-246.

121. Кайнарбаев Асет Джумабекович. Люминесценция и радиационные дефекты в сульфатах щелочных металлов // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математическихнаук. – 2010. – Алматы. – 119 с.

122. Нурахметов Турлыбек. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в гранецентрированных ЩГК и сульфатах щелочных и щелочноземельных металлов // Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математическихнаук. – 2001. – Алматы. – 287 с.

123. Андриевский Б.В., Курляк В.Ю., Романюк Н.А., Урсул З.М. Спектры отражения и оптические постоянные монокристаллов сульфата калия в области 4–22 эВ // Оптика и спектроскопия. – 1989. – Т. 66, № 3. – C.623–628.

124. Андриевский Б.В., КурлякВ.Ю., РоманюкН.А. Поляризационно– оптические свойства кристаллов K₂SO₄ в области собственного поглощения // Изв. АН. СССР, сер. физ. – 1989. –Т.53, №7. – С.1335 –1338.