- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
- •3. Опто- и функциональная электроника.
- •4. Классификация имэ по конструкторско-технологическим и функциональным признакам.
- •5. Элементы полупроводниковых ис: структура и свойства биполярных и униполярных (полевых) транзисторов.
- •7. Планар техн-гия. Осн гр операций тп изгот-я изделий мэ
- •8.Особенности проектирования изделий микроэлектроники.
- •9. Подложки полупроводниковых и гибридных микросхем: материалы, методы получения и обработки.
- •11. Формирование пленочных структур методами испарения (термического и электронно-лучевого).
- •12. Формирование пленочных структур методами распыления (катодного, магнетронного, ионно-лучевого и др.).
- •13. Эпитаксиальное наращивание слоев. Назначение и виды полупроводниковых эпитаксиальных структур.
- •14. Формирование конфигурации пленочных элементов и окон в пленках (фото-, рентгено- и электронография, электронное фрезерование и др.).
- •15.Формирование областей с различными электрофизическими характеристиками: физические основы и особенности диффузионное и ионного легирования.
- •16. Технология диффузионного и ионного легирования пп подложек,
- •17. Придание материалам и элементам требуемых свойств термообработкой (отжиг пленок, вжигание контактов, активирующий
- •18. Основные этапы тп сборки и герметизации (разделение пластин на кристаллы, сварка, пайка, склеивание и др.).
- •19. Разделение пластин на кристаллы, корпусирование и сборка.
- •20. Основные виды контрольных и испытательных операций.
- •21. Основные операции типового тп изготовления ттлш сбис на
- •22. Типовой тп изготовления полупроводниковой ис на униполярных (полевых) транзисторах.
- •1. Что такое степень интеграции ис, чем она ограничивается?
- •2. В чем преимущества оптоэлектронных приборов перед приборами с электрическими связями?
- •3.Что дает применение базовых матричных кристаллов (бмк) при проектировании ис?
- •4. Какие методы удаления материала называются «сухими» и в чем их преимущества перед традиционными «мокрыми»?
- •5. Что положено в основу классификации изделий мэ по функциональным признакам?
- •6.Какие виды конденсаторных структур применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •7.В чем отличие гомоэпитаксиальных структур от гетероэпитаксиальных, где применяются такие структуры?
- •8. Назовите преимущества униполярных транзисторных структур перед биполярными.
- •9. Почему в качестве базового конструктивного элемента ис принята транзисторная структура?
- •10. Какие виды резисторов применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •11. Что является конечным продуктом проектирования имэ, что понимают под физической структурой ис.
- •12. Какие недостатки обычного термического испарения устраняются при использовании электронно-лучевого испарения?
- •13. Что скрывается за понятием «вакуумная гигиена», как она обеспечивается в производстве ис?
- •14. В чем сущность планарной технологии? Назначение входящих в нее основных операций.
- •15. На каких стадиях тп изготовления ис применяется обработка резанием?
- •16. Какие функции в составе приборов и в ходе тп изготовления ис играет SiO2?
- •17. Почему в современной технологии сбис все чаще SiO2 заменяют Si3n4?
- •18. Каким методом получают самый качественный по диэлектричес-ким свойствам оксид кремния?
- •19. Чем молекулярно-лучевая эпитаксия отличается от эпитаксии, основанной на газотранспортных реакциях?
- •20.Почему магнетронное распыление обеспечивает более высокую производительность при получении тонких пленок по сравнению с другими ионно-плазменными методами?
- •21.Какие материалы и почему используют для изготовления термических испарителей?
- •22.Функциональное назначение и основные характеристики фоторезистов.
- •23. Какие методы микролитографии применяются при изготовлении ис с топологическими размерами элементов меньшими 0,5 мкм?
- •24.Основные недостатки контактной литографии и способы их устранения?
- •25.На чем основан процесс диффузионного легирования, какие преимущества и недостатки этого метода?
- •26. Что кроется за понятиями «загонка» и «разгонка»?
- •27. На чем основан метод ионного легирования, какие недостатки термической диффузии он устраняет?
- •28. Почему электрический контроль кристаллов ис проводится на пластинах в неразделенном состоянии? Как его осуществляют?
- •29.Какие корпуса обеспечивают наилучшую защиту ис? Из каких элементов они состоят?
- •30. Почему метод сквозного прорезания имеет преимущества перед методами скрайбирования?
- •32.На каких стадиях тп изготовления ис применяются операции сварки, пайки и склеивания?
- •33. Назовите основные методы операционного и заключительного контроля в технологии ис.
- •34.Каким видам испытаний подвергаются полупроводниковые приборы и ис.
- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
Развитие современный РЭ связано с применением нов. принципов проектирования и конструирования решений элементной базы на основе изделий микро-, опто- и функциональной электроники. В качестве базовой применяется интегральная технология, под которой понимается слияние стадий изготовления отдельных элементов и изделия в целом.
Производство ИРЭ относится к сложным системам. Каждая операция проводится в условиях частичной или полной синхронизации, взаимодействия режимов и действия оборудования. Все применяемые при этом ТП подразделяются на группы:
Производство элементной базы.
Изготовление элементов конструктивной базы
Сборка, монтаж и герметизация изделий. Большинство операций трудно автоматизировать
Контроль, регулировка и испытания. Требует высококвалифицированных работников, трудоемок и дорог с точки зрения автоматизации
Технологическую систему производства характеризуют следующие признаки:
Возможность разбиения на подсистемы, объединенные общей целью функционирования
Взаимодействие с внешней средой т.е. функционирование в условиях воздействия случайных и систематических факторов
Сложные информационные связи между элементами и подсистемами
Иерархическая структура
2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
Микроэлектроника (МЭ) – напр-ние электроники, связанное с созданием приборов и устройств в миниатюрном исполнении с прим-нием групповой техн-гии их изгот-ния. Базируется на явлениях и эф-тах в тверд.теле, в 1-ую очередь, в п/п. Пр-пы МЭ широко прим-ся в изделиях квантовой, акусто-, криоэлектронике, СВЧ-технике.
МЭ возникла в нач.60-х гг.и получила быстрое развитие в связи с расширением областей применения электроники, повышением требований к функциональным и эксплуатационным хар-кам приборов. Электроника на дискретных ЭРЭ достигла предела: в технологии произошли революционные изменения и были созданы первые ИС. Важным отличием ИС от устройств на дискретных ЭРЭ явл. технология как определенная последовательность этапов группового формирования элементов многих ИС на общей подложке. Исторически 1-ми были гибридные ИС (ГИС), в кот. наряду с изготовленными в едином вакуумном цикле пассивными элементами использовались навесные полупроводниковые элементы. Основную долю соврем. ИС составляют полупроводниковые микросхемы, кот. интенсивно развиваются в направлении увеличения степени интеграции, числа выполняемых функций, быстродействия, надежности. Для изделий МЭ характерны быстрые темпы разработки и освоения. Технология ИС базируется на последовательных достижениях физики твердого тела, химики, математики. Основой ТП явл. физико-химические методы получения и обработки спец. материалов. Большинство операций ТП отличаются локальностью и прецизионностью. Конфигурация элементов формируется с помощью микролитографии, которая обеспечивает точность в сотых долях микрометра. Базовой технологией полупроводниковых ИС явл. планарная технология.