- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
- •3. Опто- и функциональная электроника.
- •4. Классификация имэ по конструкторско-технологическим и функциональным признакам.
- •5. Элементы полупроводниковых ис: структура и свойства биполярных и униполярных (полевых) транзисторов.
- •7. Планар техн-гия. Осн гр операций тп изгот-я изделий мэ
- •8.Особенности проектирования изделий микроэлектроники.
- •9. Подложки полупроводниковых и гибридных микросхем: материалы, методы получения и обработки.
- •11. Формирование пленочных структур методами испарения (термического и электронно-лучевого).
- •12. Формирование пленочных структур методами распыления (катодного, магнетронного, ионно-лучевого и др.).
- •13. Эпитаксиальное наращивание слоев. Назначение и виды полупроводниковых эпитаксиальных структур.
- •14. Формирование конфигурации пленочных элементов и окон в пленках (фото-, рентгено- и электронография, электронное фрезерование и др.).
- •15.Формирование областей с различными электрофизическими характеристиками: физические основы и особенности диффузионное и ионного легирования.
- •16. Технология диффузионного и ионного легирования пп подложек,
- •17. Придание материалам и элементам требуемых свойств термообработкой (отжиг пленок, вжигание контактов, активирующий
- •18. Основные этапы тп сборки и герметизации (разделение пластин на кристаллы, сварка, пайка, склеивание и др.).
- •19. Разделение пластин на кристаллы, корпусирование и сборка.
- •20. Основные виды контрольных и испытательных операций.
- •21. Основные операции типового тп изготовления ттлш сбис на
- •22. Типовой тп изготовления полупроводниковой ис на униполярных (полевых) транзисторах.
- •1. Что такое степень интеграции ис, чем она ограничивается?
- •2. В чем преимущества оптоэлектронных приборов перед приборами с электрическими связями?
- •3.Что дает применение базовых матричных кристаллов (бмк) при проектировании ис?
- •4. Какие методы удаления материала называются «сухими» и в чем их преимущества перед традиционными «мокрыми»?
- •5. Что положено в основу классификации изделий мэ по функциональным признакам?
- •6.Какие виды конденсаторных структур применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •7.В чем отличие гомоэпитаксиальных структур от гетероэпитаксиальных, где применяются такие структуры?
- •8. Назовите преимущества униполярных транзисторных структур перед биполярными.
- •9. Почему в качестве базового конструктивного элемента ис принята транзисторная структура?
- •10. Какие виды резисторов применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •11. Что является конечным продуктом проектирования имэ, что понимают под физической структурой ис.
- •12. Какие недостатки обычного термического испарения устраняются при использовании электронно-лучевого испарения?
- •13. Что скрывается за понятием «вакуумная гигиена», как она обеспечивается в производстве ис?
- •14. В чем сущность планарной технологии? Назначение входящих в нее основных операций.
- •15. На каких стадиях тп изготовления ис применяется обработка резанием?
- •16. Какие функции в составе приборов и в ходе тп изготовления ис играет SiO2?
- •17. Почему в современной технологии сбис все чаще SiO2 заменяют Si3n4?
- •18. Каким методом получают самый качественный по диэлектричес-ким свойствам оксид кремния?
- •19. Чем молекулярно-лучевая эпитаксия отличается от эпитаксии, основанной на газотранспортных реакциях?
- •20.Почему магнетронное распыление обеспечивает более высокую производительность при получении тонких пленок по сравнению с другими ионно-плазменными методами?
- •21.Какие материалы и почему используют для изготовления термических испарителей?
- •22.Функциональное назначение и основные характеристики фоторезистов.
- •23. Какие методы микролитографии применяются при изготовлении ис с топологическими размерами элементов меньшими 0,5 мкм?
- •24.Основные недостатки контактной литографии и способы их устранения?
- •25.На чем основан процесс диффузионного легирования, какие преимущества и недостатки этого метода?
- •26. Что кроется за понятиями «загонка» и «разгонка»?
- •27. На чем основан метод ионного легирования, какие недостатки термической диффузии он устраняет?
- •28. Почему электрический контроль кристаллов ис проводится на пластинах в неразделенном состоянии? Как его осуществляют?
- •29.Какие корпуса обеспечивают наилучшую защиту ис? Из каких элементов они состоят?
- •30. Почему метод сквозного прорезания имеет преимущества перед методами скрайбирования?
- •32.На каких стадиях тп изготовления ис применяются операции сварки, пайки и склеивания?
- •33. Назовите основные методы операционного и заключительного контроля в технологии ис.
- •34.Каким видам испытаний подвергаются полупроводниковые приборы и ис.
- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
20. Основные виды контрольных и испытательных операций.
Контроль, испытание и ремонт УПП.
Процессы контроля качества УПП – трудоемки. ~15-20% от общей трудности и они сложны. Объём работ по контролю и их содержанию определяется:
конструкцией УПП
ТП их изготовления
Схематическими решениями ПП,ИЭТ,УПП
Любой контроль в соответствии с ГОСТом осущ в 2 этапа:
получение первичной инфо о фактическом состоянии объекта контроля, о признаках и показателях его свойств (с помощью измерительных приборов)
сопоставление первичной инфо с заранее установленными требованиями, нормами, критериями и получение вторичной инфо о расхождениях фактической. И требуемых данных для обнаружения соответствия или несоответствия фактических данных ожидаемым. Их можно совместить.
Термин «контроль технического состояния» = «тестирование».
Сейчас существует аппаратно-программные средства и автоматизированные технические комплексы со встроенным средством контроля. Контроль м.б. заменен на термином «самотестирование и самодиагностирование с поиском неисправностей».
Возможен автоматизированный контроль:1)сборки ИЭТ.; 2)качества паяных соединений; 3)функционирования ЭПП на ПП;4)проведение испытаний;5)проведение диагностирования.
21. Основные операции типового тп изготовления ттлш сбис на
биполярных транзисторах по планарно-эпитаксиальной технологии.
Последовательность операций создания полупроводниковых ИС по совмещённой планарной-эпитаксиальной технологии с изоляцией элементов обратно-смещённым p-n переходом включает:
1)на исходной подложке p-кремния формируется маска SiO2
2)в 1-й фотолитографии в SiO2 создается окна, через которые проводится локальная диффузия примесей n-типа для формирования скрытого слоя высокой проводимости под коллектором транзистора
3)этот слой закрывается эпитаксиальным слоем n-типа на котором формируется маска SiO2
4)2-я фотолитография обеспечивает вскрытие окон для изолирующей(разделительной) диффузии бора в эпитаксиальный слой. При этом в нём формируется островки n-кремния окруженные областями дырочной проводимости
5)после окисления и 3-ей фотолитографии проводится диффузия фосфора и в островках n-типа формируется p-области-базы будущего транзистора и основа резистора
6)аналогично формируется эмитерная область транзистора, коллекторный контакт и нижняя обкладка конденсатора
7)окислением создается пассивирующий слой, в котором формируется окна(5-я фотолитография) под контакты ко всем областям транзистора, резистору и нижней обкладке конденсатора
8)на всю поверхность осаждается Al плёнка которая через окна в SiO2 обеспечиват контакт с активными областями транзисторных структур
9) в результате 6-й литографии по плёнке Al формируется проводники коммутаций, верхняя обкладка конденсат. И контактные площадки к данному фрагменту микросхемы
10)готовая пластина покрывается слоем защитного диэлектрика и последней,7-й фотолитографией в ней открывается окна к контактным площадкам и дорожки, по которым пластина разрезается на отдельные кристаллы
После зондового контроля всех кристаллов на функционирование пластина подаётся на разделение и сборку.