- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
- •3. Опто- и функциональная электроника.
- •4. Классификация имэ по конструкторско-технологическим и функциональным признакам.
- •5. Элементы полупроводниковых ис: структура и свойства биполярных и униполярных (полевых) транзисторов.
- •7. Планар техн-гия. Осн гр операций тп изгот-я изделий мэ
- •8.Особенности проектирования изделий микроэлектроники.
- •9. Подложки полупроводниковых и гибридных микросхем: материалы, методы получения и обработки.
- •11. Формирование пленочных структур методами испарения (термического и электронно-лучевого).
- •12. Формирование пленочных структур методами распыления (катодного, магнетронного, ионно-лучевого и др.).
- •13. Эпитаксиальное наращивание слоев. Назначение и виды полупроводниковых эпитаксиальных структур.
- •14. Формирование конфигурации пленочных элементов и окон в пленках (фото-, рентгено- и электронография, электронное фрезерование и др.).
- •15.Формирование областей с различными электрофизическими характеристиками: физические основы и особенности диффузионное и ионного легирования.
- •16. Технология диффузионного и ионного легирования пп подложек,
- •17. Придание материалам и элементам требуемых свойств термообработкой (отжиг пленок, вжигание контактов, активирующий
- •18. Основные этапы тп сборки и герметизации (разделение пластин на кристаллы, сварка, пайка, склеивание и др.).
- •19. Разделение пластин на кристаллы, корпусирование и сборка.
- •20. Основные виды контрольных и испытательных операций.
- •21. Основные операции типового тп изготовления ттлш сбис на
- •22. Типовой тп изготовления полупроводниковой ис на униполярных (полевых) транзисторах.
- •1. Что такое степень интеграции ис, чем она ограничивается?
- •2. В чем преимущества оптоэлектронных приборов перед приборами с электрическими связями?
- •3.Что дает применение базовых матричных кристаллов (бмк) при проектировании ис?
- •4. Какие методы удаления материала называются «сухими» и в чем их преимущества перед традиционными «мокрыми»?
- •5. Что положено в основу классификации изделий мэ по функциональным признакам?
- •6.Какие виды конденсаторных структур применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •7.В чем отличие гомоэпитаксиальных структур от гетероэпитаксиальных, где применяются такие структуры?
- •8. Назовите преимущества униполярных транзисторных структур перед биполярными.
- •9. Почему в качестве базового конструктивного элемента ис принята транзисторная структура?
- •10. Какие виды резисторов применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •11. Что является конечным продуктом проектирования имэ, что понимают под физической структурой ис.
- •12. Какие недостатки обычного термического испарения устраняются при использовании электронно-лучевого испарения?
- •13. Что скрывается за понятием «вакуумная гигиена», как она обеспечивается в производстве ис?
- •14. В чем сущность планарной технологии? Назначение входящих в нее основных операций.
- •15. На каких стадиях тп изготовления ис применяется обработка резанием?
- •16. Какие функции в составе приборов и в ходе тп изготовления ис играет SiO2?
- •17. Почему в современной технологии сбис все чаще SiO2 заменяют Si3n4?
- •18. Каким методом получают самый качественный по диэлектричес-ким свойствам оксид кремния?
- •19. Чем молекулярно-лучевая эпитаксия отличается от эпитаксии, основанной на газотранспортных реакциях?
- •20.Почему магнетронное распыление обеспечивает более высокую производительность при получении тонких пленок по сравнению с другими ионно-плазменными методами?
- •21.Какие материалы и почему используют для изготовления термических испарителей?
- •22.Функциональное назначение и основные характеристики фоторезистов.
- •23. Какие методы микролитографии применяются при изготовлении ис с топологическими размерами элементов меньшими 0,5 мкм?
- •24.Основные недостатки контактной литографии и способы их устранения?
- •25.На чем основан процесс диффузионного легирования, какие преимущества и недостатки этого метода?
- •26. Что кроется за понятиями «загонка» и «разгонка»?
- •27. На чем основан метод ионного легирования, какие недостатки термической диффузии он устраняет?
- •28. Почему электрический контроль кристаллов ис проводится на пластинах в неразделенном состоянии? Как его осуществляют?
- •29.Какие корпуса обеспечивают наилучшую защиту ис? Из каких элементов они состоят?
- •30. Почему метод сквозного прорезания имеет преимущества перед методами скрайбирования?
- •32.На каких стадиях тп изготовления ис применяются операции сварки, пайки и склеивания?
- •33. Назовите основные методы операционного и заключительного контроля в технологии ис.
- •34.Каким видам испытаний подвергаются полупроводниковые приборы и ис.
- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
18. Основные этапы тп сборки и герметизации (разделение пластин на кристаллы, сварка, пайка, склеивание и др.).
После зондового контроля кристаллов ИС на функционирование, которое они проходят в неразделенном состоянии, годные кристаллы передаются на сборку. Она вкл.: 1.разделение пластин на отдельные чипы (кристаллы); 2.их монтаж в корпусе; 3.герметизация. Скрайбирование явл. основным м-дом разделения пластин на отдельные кристаллы, если их диаметр меньше 60-100мм. Оно заключается в нанесении на ее поверхность в двух взаимно перпендикулярных направлениях царапин алмазным резцом или канавок при использовании материала подложки сфокусированного лазерным лучом. Под этими царапинами образуется напряженные области и при механическом воздействии пластина разламывается на отдельные кристаллы. Затем пластина наклеивается на тонкую эластичную пленку и раскалывается на отдельные чипы путем консольного изгиба на шаровое поле с помощью эластичный мембраны. В современном производстве в основном используется метод сквозного прорезания подложки, наклеенной на эластичный носитель набором сверхтонких алмазных дисков с наружной режущей кромкой.
Соединение контактных площадок кристалла с выводами корпуса осуществляется термо-компрессией – сваркой, которая основана на эффекте значительного снижения t плавления, контактирующих под давлением металлов. Метод имеет высокую производительность. Монтаж может также производится Al и Pd проволокой. Соединение одного металла обеспечивает более надёжный контакт, но процесс проводится при более высок. t.
Процесс защиты приборов называется герметизацией. Она может быть вакуумно-плотная и негерметичная. Вакуумно-плотная осуществляется в металлостеклянных, керамических и стеклянных корпусах. Их сборка осуществляется сваркой и пайкой. Они м.б. точечными и шовными. Наиболее эффективной является лазерная шовная сварка. Негерметичная сборка осуществляется в пластмассовом корпусе. Основным является литьевое прессование. После герметизации готовые изделия подвергаются различным видам электрического и др. контроля.
19. Разделение пластин на кристаллы, корпусирование и сборка.
Скрайбирование является осн. м-дом разделения пластин на отдельные кристаллы, если их диаметр меньше 60-100мм. Оно закл. в нанесении на ее поверхность в 2-х взаимноперпендекулярн. направлениях царапин алмазным резцом или канавок при исп-нии мат-ла подложки сфокусирован.лазерным лучом. Под этими царапинами образуется напряженные области и при механ. воздействии пластина разламывается на отдельные кристаллы. Затем пластина наклеивается на тонкую эластичную пленку и раскалывается на отдельные чипы путем консольного изгиба на шаровое поле с помощью эластичной мембраны. В современном производстве в осн.исп-ся метод сквозного прорезания подложки, наклеенной на эластичный носитель набором сверхтонких алмазных дисков с наружной режущей кромкой.
Для защиты приборов от климат. и механ. воздействий их помещают в корпус. В общем случае он сост.из: 1.основания; 2.крышки. В основании монтируются эл-ты, необходимые для установки кристалла и проводников, кот. он соед-ся с выводной рамкой. По исп-нию корпуса делятся на типы и типа-размеры в зав-сти от формы, размеров, числа выводов и их вида. Корпуса изгот-ют из стекла, металла, керамики, полимеров и их сочетания. Наиболее высокую герметичность и защиту обеспечивают металлостеклянные и металлокерамические корпуса, но их из-за дороговизны мат-лов и сложности ТП применяют только для ответственных приборов, работающих в сложных условиях. Массовые изделия герметизируют в полимерных и металло-полимерных корпусах.
Монтаж кристаллов в корпус включает:1)подачу чипов на рабочую позицию 2)установку и присоединение кристаллов к основанию корпуса или выводной рамки 3)соединение контактных площадок с выводами. Подача чипов на рабочую позицию осуществляется манипулятором с вакуумным захватом (присоски),совмещение вводного кристалла и присоски осуществляется оптическими методами. Если кристаллы расположены хаотически, проводится их раздельная ориентация. Разделение проводят пластины, наклееные на эластичную плёнку. Установка и присоединение кристаллов к основанию металлостеклянного корпуса осуществляется припоем Au-Si.