- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
- •3. Опто- и функциональная электроника.
- •4. Классификация имэ по конструкторско-технологическим и функциональным признакам.
- •5. Элементы полупроводниковых ис: структура и свойства биполярных и униполярных (полевых) транзисторов.
- •7. Планар техн-гия. Осн гр операций тп изгот-я изделий мэ
- •8.Особенности проектирования изделий микроэлектроники.
- •9. Подложки полупроводниковых и гибридных микросхем: материалы, методы получения и обработки.
- •11. Формирование пленочных структур методами испарения (термического и электронно-лучевого).
- •12. Формирование пленочных структур методами распыления (катодного, магнетронного, ионно-лучевого и др.).
- •13. Эпитаксиальное наращивание слоев. Назначение и виды полупроводниковых эпитаксиальных структур.
- •14. Формирование конфигурации пленочных элементов и окон в пленках (фото-, рентгено- и электронография, электронное фрезерование и др.).
- •15.Формирование областей с различными электрофизическими характеристиками: физические основы и особенности диффузионное и ионного легирования.
- •16. Технология диффузионного и ионного легирования пп подложек,
- •17. Придание материалам и элементам требуемых свойств термообработкой (отжиг пленок, вжигание контактов, активирующий
- •18. Основные этапы тп сборки и герметизации (разделение пластин на кристаллы, сварка, пайка, склеивание и др.).
- •19. Разделение пластин на кристаллы, корпусирование и сборка.
- •20. Основные виды контрольных и испытательных операций.
- •21. Основные операции типового тп изготовления ттлш сбис на
- •22. Типовой тп изготовления полупроводниковой ис на униполярных (полевых) транзисторах.
- •1. Что такое степень интеграции ис, чем она ограничивается?
- •2. В чем преимущества оптоэлектронных приборов перед приборами с электрическими связями?
- •3.Что дает применение базовых матричных кристаллов (бмк) при проектировании ис?
- •4. Какие методы удаления материала называются «сухими» и в чем их преимущества перед традиционными «мокрыми»?
- •5. Что положено в основу классификации изделий мэ по функциональным признакам?
- •6.Какие виды конденсаторных структур применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •7.В чем отличие гомоэпитаксиальных структур от гетероэпитаксиальных, где применяются такие структуры?
- •8. Назовите преимущества униполярных транзисторных структур перед биполярными.
- •9. Почему в качестве базового конструктивного элемента ис принята транзисторная структура?
- •10. Какие виды резисторов применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •11. Что является конечным продуктом проектирования имэ, что понимают под физической структурой ис.
- •12. Какие недостатки обычного термического испарения устраняются при использовании электронно-лучевого испарения?
- •13. Что скрывается за понятием «вакуумная гигиена», как она обеспечивается в производстве ис?
- •14. В чем сущность планарной технологии? Назначение входящих в нее основных операций.
- •15. На каких стадиях тп изготовления ис применяется обработка резанием?
- •16. Какие функции в составе приборов и в ходе тп изготовления ис играет SiO2?
- •17. Почему в современной технологии сбис все чаще SiO2 заменяют Si3n4?
- •18. Каким методом получают самый качественный по диэлектричес-ким свойствам оксид кремния?
- •19. Чем молекулярно-лучевая эпитаксия отличается от эпитаксии, основанной на газотранспортных реакциях?
- •20.Почему магнетронное распыление обеспечивает более высокую производительность при получении тонких пленок по сравнению с другими ионно-плазменными методами?
- •21.Какие материалы и почему используют для изготовления термических испарителей?
- •22.Функциональное назначение и основные характеристики фоторезистов.
- •23. Какие методы микролитографии применяются при изготовлении ис с топологическими размерами элементов меньшими 0,5 мкм?
- •24.Основные недостатки контактной литографии и способы их устранения?
- •25.На чем основан процесс диффузионного легирования, какие преимущества и недостатки этого метода?
- •26. Что кроется за понятиями «загонка» и «разгонка»?
- •27. На чем основан метод ионного легирования, какие недостатки термической диффузии он устраняет?
- •28. Почему электрический контроль кристаллов ис проводится на пластинах в неразделенном состоянии? Как его осуществляют?
- •29.Какие корпуса обеспечивают наилучшую защиту ис? Из каких элементов они состоят?
- •30. Почему метод сквозного прорезания имеет преимущества перед методами скрайбирования?
- •32.На каких стадиях тп изготовления ис применяются операции сварки, пайки и склеивания?
- •33. Назовите основные методы операционного и заключительного контроля в технологии ис.
- •34.Каким видам испытаний подвергаются полупроводниковые приборы и ис.
- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
9. Подложки полупроводниковых и гибридных микросхем: материалы, методы получения и обработки.
Для подложек используется материал кремний в виде цилиндрического слитка. Подготовка подложек: зонная плавка, вытягивание и легирование монокристаллов, резка на пластины, притирка и полировка, травление с полировкой.
Обработка резанием (в основном образивная) используется только на стадиях изготовления подложек и разделения их на кристаллы в конце ТП. В типовой ТП механической обработки подложек входят: 1.резка слитков, монокристаллических п/п внутренней режущей кромкой стальных дисков с алмазным покрытием. Используются образивные зерна с диаметром 20-40 мкм с охлаждением водного раствора. Получают параллельность реза ± 20мкм, Rа=0,63. 2.двусторон. шлифование спец образивами до параллельности ±0,5мкм и Rа=0,16. 3.предварительное и окончательное полирование пластин пастой с алмазным микропорошком на замше.
10.Методы удаления материала в технологии ИМЭ. Обработка резанием исп-ся только на стадиях изгот-ния подложек и раздел-я их на кристаллы в конце ТП. Типовой ТП мех. обр-ки подложек: 1.резка слитков, монокристалл.п/п внутренней режущей кромкой стальных дисков с алмазн.покрытием. Исп-ся образивные зерна с диаметром 20-40 мкм с охлаждением водного раствора. Получают параллельность реза ±20мкм ,Rа=0,63. 2.двустор. шлифование спец образивами до парал-ти ±0,5мкм и Rа=0,16. 3.предварит.и окончат. полирование пластин пастой с алмазн. микро- порошком на замше. Хим.травл-ние прим-ся как д/удаления нарушенного слоя после мех.обработки, так и в ходе получения конфигурации Эл-тов. В основном исп-ся кислотные или щелочные травители. Эти пр-сы отлич-ся большой чувствит-стью к темп-ре, состоюнию пов-сти и кристаллографич.ориенации подложки. «-» травл-ния: 1.высок.ст-сть трав-лей; 2.плохая контрол-сть пр-са. Электрохим.трав-ние основано на электролит.реакциях. n/р-ная пластина явл. анодом, кот. подвергается операции 1го окисления, Исп-ся электролиты на основе HF и ее солей, скорость трав-ния более высокая. М-д прим-ся как д/удаления мат-ла, так и д/очистки и полировки. Газовое трав-ние основано на хим.взаимод-вии мат-ла с травителями, в рез-те кот. образ-ся летучие соед-ния. М-д окончат.очистки перед ответствен. операциями ТП(эпитаксия). Трав-ли –смесь Н2 или Не2 с галогенами, фтористыми и хлористыми соед-ниями, Обесп-ся высок.Vтрав-ния, чистота и отсутствие дефектов стр-ры, осн.нед-к: высок. t и необх-сть реагентов и газов высок. чистоты. Ионно-плазмен.и ионно-лучевое травл-е осн на удалении мат-ла при бомбардировке пов-сти высокоэнергет ионами инертных газов. Этот проц назыв. распылением , т.к.эти м-ды исп-ся также д/получения пленок . Д/такого трав-ния хар-но: универсальность и возм-сть локал.обр-ки. Плазмо-хим.травление осн. на разрушении мат-ла ионами активн.газов, кот.образ-ся в плазме газового разряда. Обл-ти прим-я –обр-ка кремния и др.п/п, SiO2, Si3N4, удаление фото- резистов и некот.мет-лов. В плазме ВЧ разряда такие соед-ния как CF4, SF6, фреоны, O2 выделяют ионы, электроны, радикалы, кот. взаимод-ют с обрабат-й пов-стью и травят ее с образованием летучих соед-ний. Три последних гр-пы м-дов назыв.сухими-наиб.эф-ны д/очистки и локал.обр-ки. В техн-гии изделий с малыми топологич. размерами. По бол-ву технолог.возм-стей они превосходят мокрые м-ды, но оборудование д/их реализации сложное и дорогое.