22. Типовой тп изготовления полупроводниковой ис на униполярных (полевых) транзисторах.

1)Подготовка исходной кремневой пластины p- типа

2)термическое окисление для получения маски SiO₂

3)первая фотолитография по плёнке SiO₂ и вскрытие окон для формирования базовой области

4)формирование базовой области диффузии бора и термическое окисление

5)2-я фотолитография и вскрытие окон для формирования эмиттерной области и коллекторного контакта

6) формирование эмиттерной области и коллекторного контакта n⁺

7) формирование эмиттерной области и коллекторного контакта термической диффузией сурьмы или фосфора

8)3-я фотолитография по SiO₂ и вскрытие окон под контакты к коллекторной ,эмиторной и базовой областям транзистора

9)металлизация- формирование плёнки Al термическим испарением по всем областям поверхности

10)4-я фотолитография по плёнке Al и формирование элементов коммутации её травлением

Классическая планарная и планарно-эпитаксиальная технологии используются в основном для изготовления дискретных приборов. При изготовлении микросхем возникает проблема создания нескольких типов активных и пассивных элементов и их электрической изоляции. Основные методы изоляции:1)обратным смещённым p-n переходом 2)диэлектриком 3)метод комбинирования

1. Что такое степень интеграции ис, чем она ограничивается?

Основную долю соврем. ИС составляют полупроводниковые микросхемы, кот. интенсивно развиваются в направлении увеличения степени интеграции, числа выполняемых функций, быстродействия, надежности.

Степень интеграции опр-ся числом элементов. Обычно степень интеграции к=lgN, где N – активные элементы (округлённо).

Повышение степени интеграции ПП ИС сопровождается ростом плотности размещения элементов, уменьшением их размеров, увеличением числа функций, быстродействия, надежности, снижением энергопотребления и т.п.

Плотность элементов ограничивается геометрическими и физическими факторами. Геометрические связаны с размещением элементов и соединением м-ду ними на ограниченном участке подложки. При больших N рисунок соединений сложен и не мб размещён на 1 уровне, поэтому с БИС (большие) и УБИС (ультрабольшие интегральные схемы) разводка много уровневая.

Наибольшую степень интеграции имеют ЦИС (цифровые интегральные схемы) с регулярной структурой, ЗУ активного и постоянного типа, дешифраторы и пр.

2. В чем преимущества оптоэлектронных приборов перед приборами с электрическими связями?

Оптоэлектроника – охватывает методы создания приборов и устройств на эффектах взаимодействия электромагнитного излучения оптического диапазона с элементами в-ва для генерации, передачи, хранения, обработки и отображения инфы.

Характерные оптоэлектронные устройства – ист-ки когерентного и некогерентного излучения (лазеры, светодиоды), п-пр и ЖК индикаторы.

Преим-ва ОЭ по сравнению вакуумной и п-пр электроникой обусловлено:

1)электрической нейтральностью квантов излучения, что обеспечивает невосприимчивость к внешним э/магн полям (помехоустойчивость), полная гальванич развязка, в уст-вах с внутренними оптическими связями

2)высокой частотой и малой длиной волны -> высокой информац емкость, быстродействие.

3) малая расходимость луча об-т передачу сигнала в зад.область с малыми потерями.