- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
- •3. Опто- и функциональная электроника.
- •4. Классификация имэ по конструкторско-технологическим и функциональным признакам.
- •5. Элементы полупроводниковых ис: структура и свойства биполярных и униполярных (полевых) транзисторов.
- •7. Планар техн-гия. Осн гр операций тп изгот-я изделий мэ
- •8.Особенности проектирования изделий микроэлектроники.
- •9. Подложки полупроводниковых и гибридных микросхем: материалы, методы получения и обработки.
- •11. Формирование пленочных структур методами испарения (термического и электронно-лучевого).
- •12. Формирование пленочных структур методами распыления (катодного, магнетронного, ионно-лучевого и др.).
- •13. Эпитаксиальное наращивание слоев. Назначение и виды полупроводниковых эпитаксиальных структур.
- •14. Формирование конфигурации пленочных элементов и окон в пленках (фото-, рентгено- и электронография, электронное фрезерование и др.).
- •15.Формирование областей с различными электрофизическими характеристиками: физические основы и особенности диффузионное и ионного легирования.
- •16. Технология диффузионного и ионного легирования пп подложек,
- •17. Придание материалам и элементам требуемых свойств термообработкой (отжиг пленок, вжигание контактов, активирующий
- •18. Основные этапы тп сборки и герметизации (разделение пластин на кристаллы, сварка, пайка, склеивание и др.).
- •19. Разделение пластин на кристаллы, корпусирование и сборка.
- •20. Основные виды контрольных и испытательных операций.
- •21. Основные операции типового тп изготовления ттлш сбис на
- •22. Типовой тп изготовления полупроводниковой ис на униполярных (полевых) транзисторах.
- •1. Что такое степень интеграции ис, чем она ограничивается?
- •2. В чем преимущества оптоэлектронных приборов перед приборами с электрическими связями?
- •3.Что дает применение базовых матричных кристаллов (бмк) при проектировании ис?
- •4. Какие методы удаления материала называются «сухими» и в чем их преимущества перед традиционными «мокрыми»?
- •5. Что положено в основу классификации изделий мэ по функциональным признакам?
- •6.Какие виды конденсаторных структур применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •7.В чем отличие гомоэпитаксиальных структур от гетероэпитаксиальных, где применяются такие структуры?
- •8. Назовите преимущества униполярных транзисторных структур перед биполярными.
- •9. Почему в качестве базового конструктивного элемента ис принята транзисторная структура?
- •10. Какие виды резисторов применяются в составе ис, в чем преимущества одних перед другими?
- •11. Что является конечным продуктом проектирования имэ, что понимают под физической структурой ис.
- •12. Какие недостатки обычного термического испарения устраняются при использовании электронно-лучевого испарения?
- •13. Что скрывается за понятием «вакуумная гигиена», как она обеспечивается в производстве ис?
- •14. В чем сущность планарной технологии? Назначение входящих в нее основных операций.
- •15. На каких стадиях тп изготовления ис применяется обработка резанием?
- •16. Какие функции в составе приборов и в ходе тп изготовления ис играет SiO2?
- •17. Почему в современной технологии сбис все чаще SiO2 заменяют Si3n4?
- •18. Каким методом получают самый качественный по диэлектричес-ким свойствам оксид кремния?
- •19. Чем молекулярно-лучевая эпитаксия отличается от эпитаксии, основанной на газотранспортных реакциях?
- •20.Почему магнетронное распыление обеспечивает более высокую производительность при получении тонких пленок по сравнению с другими ионно-плазменными методами?
- •21.Какие материалы и почему используют для изготовления термических испарителей?
- •22.Функциональное назначение и основные характеристики фоторезистов.
- •23. Какие методы микролитографии применяются при изготовлении ис с топологическими размерами элементов меньшими 0,5 мкм?
- •24.Основные недостатки контактной литографии и способы их устранения?
- •25.На чем основан процесс диффузионного легирования, какие преимущества и недостатки этого метода?
- •26. Что кроется за понятиями «загонка» и «разгонка»?
- •27. На чем основан метод ионного легирования, какие недостатки термической диффузии он устраняет?
- •28. Почему электрический контроль кристаллов ис проводится на пластинах в неразделенном состоянии? Как его осуществляют?
- •29.Какие корпуса обеспечивают наилучшую защиту ис? Из каких элементов они состоят?
- •30. Почему метод сквозного прорезания имеет преимущества перед методами скрайбирования?
- •32.На каких стадиях тп изготовления ис применяются операции сварки, пайки и склеивания?
- •33. Назовите основные методы операционного и заключительного контроля в технологии ис.
- •34.Каким видам испытаний подвергаются полупроводниковые приборы и ис.
- •1. Интегральная электроника: основные направления, особенности конструкций и технологии изделий.
- •2. Микроэлектроника: этапы развития, основные понятия.
12. Какие недостатки обычного термического испарения устраняются при использовании электронно-лучевого испарения?
Основными в группе операций «нанесение тонких пленок в вакууме» являются термическое напыление (испарение) и методы ионного распыления. Они основаны на образовании потока атомных частиц (атомов, молекул, ионов) из напыляемых материалов, их перенос и осаждение на поверхность подложки.
При термич. испарении поток частиц образуется за счет прямого или косвенного нагрева напыляемого мат-ла до Т испарения (Т, при которой давление его насыщенных паров >> Рост в камере, на практике ≈ 1,33 Па). Обычно Т испарения больше Т плавления в-ва, но некоторые мат-лы (например, цинк, натрий) подвержены сублимации – испарению из твердого состояния. Испарители могут быть различной конфигурации (проволочные, ленточные, тигельные), но в основном исп-ся резистивные, разогреваемые проходящим через них током. Т.к. для большинства исп-мых в техногии ИС мат-лов темп-ры испарения высокие, их изгот-ют из тугоплавких металлов и сплавов (вольфрам, рений и др.).
Резистивные испарители обладают высокой инерционностью, и в силу различия темп-р испарения элементов, входящих в сплав, при испарении композиционных материалов состав пленок не соответствует составу испаряемого вещества. Этот недостаток отсутствует при электронно-лучевом испарении, для которого характерен очень быстрый (за 10-8-10-9 с) нагрев до темп-ры испарения. Имеется также возм-сть получать пленки любых мат-лов, в т.ч. тугоплавких.
Разновидностью метода явл-ся индуктивное испарение, когда металлический сплав разогревается токами высокой частоты в специальных индукторах.
Скорость роста, стр-ра и cв-ва пленок, получаемых вакуумным испарением, зависят от природы испаряемого мат-ла, вида и состояния пов-сти подложки, ее темп-ры, степени вакуума и др. факторов. Метод применяют для получения резистивных и проводящих пленок из медных, алюминиевых, никелевых и др. сплавов. Достоинства: простота и универсальность. Недостатки: высок. вакуум, энергоемкость, неоднородность пленок по толщине, невысокая адгезия.
13. Что скрывается за понятием «вакуумная гигиена», как она обеспечивается в производстве ис?
Важнейшим элементом планарной технологии является чистота производства. Вещества, используемые при изготовлении изделий, не должны содержать примесей, а рабочая атмосфера – вредных компонентов и пыли. Для повышения точности, стабильности и воспроизводимости ТП в производственных помещениях создают специальный микроклимат (постоянные Т, влажность и скорость движения воздуха, его запылённость, отсутствие электрических полей и др.). Все эти мероприятия относятся к понятию «вакуумная гигиена».
Т.е. понятие вакуумной гигиены охватывает комплекс мероприятий, осуществление кот. обеспечивает надежную работу эксплуатируемых вакуумных установок и получение необходимой глубины вакуума. Вакуумная гигиена определяет:
требования к помещениям, в которых установлено вакуумное оборудование;
правила содержания элементов конструкции вакуумного оборудования;
требования к персоналу, обслуживающему вакуумное оборудование.